MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE,幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景,能夠有效提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)的效率與穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)分析MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比,特別是在中低壓功率系統(tǒng)中的權(quán)衡。