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  • JSM2184STR 4A 700V集成自舉帶SD功能柵極驅(qū)動(dòng)芯片

    JSM2184STR 4A 700V集成自舉帶SD功能柵極驅(qū)動(dòng)芯片

    在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具、電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等高壓功率場(chǎng)景中,柵極驅(qū)動(dòng)芯片就像 “功率器件的大腦”,直接決定了整個(gè)電路的穩(wěn)定性、效率與安全性。長(zhǎng)期以來(lái),IRS2184 作為經(jīng)典的高壓柵極驅(qū)動(dòng)方案,占據(jù)了不少市場(chǎng)份額。但隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,杰盛微半導(dǎo)體推出的JSM2184STR憑借更優(yōu)的性能、更完善的保護(hù)機(jī)制與高兼容性,成為了 IRS2184 的理想替代型號(hào),今天就帶大家全面拆解這款 “國(guó)產(chǎn)高壓驅(qū)動(dòng)新星”。
  • MDD穩(wěn)壓二極管開路失效問(wèn)題解析

    MDD穩(wěn)壓二極管開路失效問(wèn)題解析

    MDD穩(wěn)壓二極管(Zener Diode)作為電子電路中常見的電壓基準(zhǔn)與保護(hù)元件,因其反向擊穿時(shí)能夠提供相對(duì)穩(wěn)定的電壓而被廣泛應(yīng)用。然而,在實(shí)際使用過(guò)程中,穩(wěn)壓管并不是“永不失效”的器件,它也會(huì)出現(xiàn)開路、短路或參數(shù)漂移等問(wèn)題。其中,開路失效是一種較為典型的失效模式,對(duì)電路功能影響很大。作為FAE,在現(xiàn)場(chǎng)支持客戶時(shí),常常需要針對(duì)這種現(xiàn)象進(jìn)行分析和解答。
  • HT8312 內(nèi)置高效率自適應(yīng)電荷泵升壓,防削頂失真功能,DIAB切換的 5.2W單聲道高保真音頻功率放大器

    HT8312 內(nèi)置高效率自適應(yīng)電荷泵升壓,防削頂失真功能,DIAB切換的 5.2W單聲道高保真音頻功率放大器

    HT8312是一款D類音頻功率放大器,在VBAT=4.2V、THD+N=10%,4Q負(fù)載條件下能連續(xù)輸出5.2W功率。該D類功放的電源電壓由內(nèi)置的自適應(yīng)電荷泵升壓模塊提供。該升壓模塊在低功率時(shí)不升壓,可有效提升電池的播放時(shí)間。 HT8312的最大特點(diǎn)是防削頂失真(ACF)輸出控制功能,可檢測(cè)并抑制由于輸入音樂(lè)、語(yǔ)音信號(hào)幅度過(guò)大所引起的輸出信號(hào)削頂失真(破音),也能自適應(yīng)地防止在升壓電壓下降所造成的輸出削頂,顯著提高音質(zhì),創(chuàng)造非常舒適的聽音享受,并保護(hù)揚(yáng)聲器免受過(guò)載損壞。 HT8312具有AB類和D類的自由切換功能,在受到D類功放EMI干擾困擾時(shí),可隨時(shí)切換至AB類音頻功放模式(此時(shí)電荷泵升壓功能關(guān)閉)。 HT8312內(nèi)部集成免濾波器數(shù)字調(diào)制技術(shù),能夠直接驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器,并最大程度減小脈沖輸出信號(hào)的失真和噪音。輸出無(wú)需濾波網(wǎng)絡(luò),極少的外部元器件節(jié)省了系統(tǒng)空間和成本,是便攜式應(yīng)用的理想選擇。 此外,HT8312內(nèi)部固定28dB增益,內(nèi)置的關(guān)斷功能使待機(jī)電流最小化,還集成了輸出端過(guò)流保護(hù)、片內(nèi)過(guò)溫保護(hù)和電源欠壓異常保護(hù)等功能。
    2025-08-27 133
  • HT8313 內(nèi)置高效率自適應(yīng)電荷泵升壓,防削頂失真功能,DIAB切換的5.5W單聲道高保真音頻功率放大器

    HT8313 內(nèi)置高效率自適應(yīng)電荷泵升壓,防削頂失真功能,DIAB切換的5.5W單聲道高保真音頻功率放大器

    HT8313是一款D類音頻功率放大器,在VBAT=5V、THD+N=10%,4Q負(fù)載條件下能連續(xù)輸出5.5W功率。該D類功放的電源電壓由內(nèi)置的自適應(yīng)電荷泵升壓模塊提供。該升壓模塊在低功率時(shí)不升壓,可有效提升電池的播放時(shí)間。 HT8313的最大特點(diǎn)是防削頂失真(ACF)輸出控制功能,可檢測(cè)并抑制由于輸入音樂(lè)、語(yǔ)音信號(hào)幅度過(guò)大所引起的輸出信號(hào)削頂失真(破音),也能自適應(yīng)地防止在升壓電壓下降所造成的輸出削頂,顯著提高音質(zhì),創(chuàng)造非常舒適的聽音享受,并保護(hù)揚(yáng)聲器免受過(guò)載損壞。
    2025-08-27 119
  • 國(guó)產(chǎn)MOS管HKTD120N04,打破工業(yè)應(yīng)用困局!

    國(guó)產(chǎn)MOS管HKTD120N04,打破工業(yè)應(yīng)用困局!

    對(duì)于工業(yè)變頻器廠家、充電樁企業(yè)、電動(dòng)兩三輪車制造商等企業(yè)來(lái)說(shuō),他們?cè)谶x擇電子元器件時(shí)面臨著不少困擾。進(jìn)口品牌雖然性能不錯(cuò),但交期長(zhǎng),常常影響生產(chǎn)進(jìn)度;高頻應(yīng)用時(shí)開關(guān)損耗高,導(dǎo)致設(shè)備效率低下;散熱設(shè)計(jì)復(fù)雜,增加了產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)成本。
    2025-08-27 198
  • 穩(wěn)壓二極管為什么電壓不穩(wěn)?

    穩(wěn)壓二極管為什么電壓不穩(wěn)?

    MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的穩(wěn)壓二極管(Zener Diode)因其在反向擊穿區(qū)具有相對(duì)穩(wěn)定的電壓特性,被廣泛應(yīng)用于電路基準(zhǔn)源、過(guò)壓保護(hù)和小電流穩(wěn)壓場(chǎng)合。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,許多工程師或初學(xué)者會(huì)發(fā)現(xiàn),穩(wěn)壓二極管在電路中的電壓并不總是像教科書里描述的那樣穩(wěn)定:有時(shí)電壓偏高,有時(shí)偏低,甚至隨負(fù)載和溫度變化而波動(dòng)。那么,造成穩(wěn)壓二極管電壓不穩(wěn)的原因究竟有哪些呢?
    2025-08-27 225
  • JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動(dòng)芯片

    JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動(dòng)芯片

    在功率電子領(lǐng)域,高壓柵極驅(qū)動(dòng)芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”,其性能直接決定了電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換等系統(tǒng)的可靠性與效率。一直以來(lái),IRS21867 作為經(jīng)典的 4A700V 高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片,廣泛應(yīng)用于工業(yè)與家電場(chǎng)景,但國(guó)產(chǎn)替代需求的日益增長(zhǎng),也推動(dòng)著本土半導(dǎo)體企業(yè)推出更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。 杰盛微半導(dǎo)體(JSMSEMI)研發(fā)的JSM21867STR,正是一款對(duì)標(biāo) IRS21867 的集成 BSD 單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動(dòng)芯片。它不僅在封裝、核心參數(shù)上與 IRS21867 高度兼容,更在保護(hù)機(jī)制、電氣特性與設(shè)計(jì)適配性上實(shí)現(xiàn)優(yōu)化,為工程師提供了高性價(jià)比的國(guó)產(chǎn)替代新選擇。今天,我們就從參數(shù)對(duì)比、性能優(yōu)勢(shì)、設(shè)計(jì)指南與應(yīng)用場(chǎng)景四個(gè)維度,全面解析這款 “國(guó)產(chǎn)強(qiáng)芯”。
  • JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動(dòng)芯片

    JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動(dòng)芯片

    在功率電子領(lǐng)域,高壓柵極驅(qū)動(dòng)芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”,其性能直接決定了電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換等系統(tǒng)的可靠性與效率。一直以來(lái),IRS21867 作為經(jīng)典的 4A700V 高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片,廣泛應(yīng)用于工業(yè)與家電場(chǎng)景,但國(guó)產(chǎn)替代需求的日益增長(zhǎng),也推動(dòng)著本土半導(dǎo)體企業(yè)推出更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。 杰盛微半導(dǎo)體(JSMSEMI)研發(fā)的JSM21867STR,正是一款對(duì)標(biāo) IRS21867 的集成 BSD 單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動(dòng)芯片。它不僅在封裝、核心參數(shù)上與 IRS21867 高度兼容,更在保護(hù)機(jī)制、電氣特性與設(shè)計(jì)適配性上實(shí)現(xiàn)優(yōu)化,為工程師提供了高性價(jià)比的國(guó)產(chǎn)替代新選擇。今天,我們就從參數(shù)對(duì)比、性能優(yōu)勢(shì)、設(shè)計(jì)指南與應(yīng)用場(chǎng)景四個(gè)維度,全面解析這款 “國(guó)產(chǎn)強(qiáng)芯”。
    2025-08-27 171
  • 電子元器件價(jià)格進(jìn)入低位區(qū)間,合科泰MOSFET助力解決工業(yè)控制挑戰(zhàn)

    電子元器件價(jià)格進(jìn)入低位區(qū)間,合科泰MOSFET助力解決工業(yè)控制挑戰(zhàn)

    深圳華強(qiáng)等頭部渠道商最新監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,2025年二季度以來(lái),MOSFET等核心電子元器件價(jià)格已進(jìn)入近三年低位區(qū)間,主流型號(hào)均價(jià)較2023年峰值下降35%-40%,庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)回落至60天以內(nèi)的健康水平。這一趨勢(shì)為工業(yè)控制企業(yè)優(yōu)化供應(yīng)鏈成本、實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代提供了關(guān)鍵窗口期。合科泰MOSFET以“參數(shù)精準(zhǔn)匹配+供應(yīng)鏈可控+成本優(yōu)化”三重優(yōu)勢(shì),為工業(yè)控制企業(yè)提供高可靠性的國(guó)產(chǎn)替代選項(xiàng)。
  • HT8731 內(nèi)置自適應(yīng)H類升壓和防破音功能的10WD類及AB類音頻功率放大器

    HT8731 內(nèi)置自適應(yīng)H類升壓和防破音功能的10WD類及AB類音頻功率放大器

    HT8731是一款內(nèi)置自適應(yīng)H類升壓的單聲道D類音頻功率放大器,由鋰電池供電時(shí),THD+N<1%、20-20kHz全頻段信號(hào)條件下,能連續(xù)輸出6W功率(4Ω負(fù)載);另外,其還支持AB類模式。 HT8731內(nèi)置的H類升壓,提供8.0V最大輸出電壓。其小音樂(lè)信號(hào)時(shí)不升壓,僅當(dāng)功率較大時(shí),提供一個(gè)適應(yīng)輸出功率的電壓給D類功放,其可大幅提高系統(tǒng)效率,延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間 HT8731的最大特點(diǎn)是防削頂失真(ACF)輸出控制功能,可檢測(cè)并抑制由于輸入音樂(lè)、語(yǔ)音信號(hào)幅度過(guò)大所引起的輸出信號(hào)削頂失真(破音),也能自適應(yīng)地防止在BOOST升壓電壓下降所造成的輸出削頂,顯著提高音質(zhì),創(chuàng)造非常舒適的聽音享受,并保護(hù)揚(yáng)聲器免受過(guò)載損壞。HT8731提供兩種不同音樂(lè)體驗(yàn)的ACF模式以及ACF-Of 模式。
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