近日,由西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧靜教授等在寬禁帶半導(dǎo)體材料集成領(lǐng)域取得取得突破性進(jìn)展,研究成果以“Van der Waals β-Ga?O?thin ?lms on polycrystalline diamond substrates”為題在線發(fā)表于《Nature Communications》(DOI:10.1038/s41467-025-63666-x),該研究成功實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量β-Ga?O?薄膜與高導(dǎo)熱多晶金剛石襯底的有效集成,為解決氧化鎵基電子器件熱管理難題提供了新路徑。張進(jìn)成教授為論文通訊作者,寧靜教授與碩士研究生楊芷純?yōu)檎撐墓餐谝蛔髡摺?/div>