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三星KLMCG2UCTA-B041閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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三星KLMDG4UCTA-B041閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。128GB 1.8 ~3.3 V -25~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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三星KLMEG8UCTA-B041 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。256GB 1.8 ~3.3 V -25~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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三星KLM8G1GESD-B03P 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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三星KLM8G1GESD-B03Q 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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三星KLM8G1GESD-B04P 閃存芯片 移動存儲領(lǐng)域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設(shè)備。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

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專業(yè)SAMSUNG/三星內(nèi)存 KMAS9001PM-BC02 256 GB UFS3.1 64 Gb LPDDR5 297FBGA 6400Mbps

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M474A4G43AB1-CWE帶錯(cuò)誤檢查和糾正的小型無緩存雙列直插式內(nèi)存模塊32GB 2R x 8 LPDDR4 3200Mbps 1.2 V 260FBGA

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M378A1G44AB0-CWE無緩沖雙列直插式存儲模塊 延遲值更小 8GB 1R x 16 LPDDR4 3200Mbps 1.2 V 288FBGA

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M378A2G43AB3-CWE無緩沖雙列直插式存儲模塊 寄存器：延遲值更小16GB 1R x 8 LPDDR4 3200Mbps 1.2 V 288FBGA

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M378A4G43AB1-CVF無緩沖雙列直插式存儲模塊 無緩沖區(qū)和寄存器：延遲值更小32GB 2R x 8 LPDDR4 2988Mbps 1.2 V 288FBGA

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