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SAMSUNG/三星KLUFG8RHDA-B2E1 儲存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，適合移動設備和汽車。512GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUEG8UHDC-B0E1 儲存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，適合移動設備和汽車。256GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUEG8UHDB-C2E1 儲存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，適合移動設備和汽車。256GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUDG4UHDC-B0E1 儲存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，適合移動設備和汽車。128GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLUDG4UHDB-B2E1 儲存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，適合移動設備和汽車。128GB 1.2~2.5 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm G4 2Lane接口

SAMSUNG/三星KLMDG8JEUD-B04Q 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMDG8JEUD-B04P 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B04Q 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B04P 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B03Q 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG8GESD-B03P 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG4JEUD-B04Q 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG4JEUD-B04P 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG4JEUD-B04P 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。64GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMCG4JETD-B041 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMBG4GESD-B04Q 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMBG4GESD-B04P 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMBG4GESD-B03Q 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMBG4GESD-B03P 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMBG4GESD-B03P 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMBG2JETD-B041 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。32GB 1.8 ~3.3 V -25 ~85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMAG2GESD-B04Q 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMAG2GESD-B04P 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

SAMSUNG/三星KLMAG2GESD-B03Q 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMAG2GESD-B03P 閃存芯片 移動存儲領域的高性能產(chǎn)品，可用于開發(fā)超薄移動設備。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口