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SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4UCE3Q4AA-MGCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封裝

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SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4U6E3S4AA-MGCL 為下一代移動(dòng)設(shè)備提供更快的速度 速率4266Mbps 電壓1.8V~1.1V ~0.6V 溫度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封裝

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SAMSUNG/三星內(nèi)存芯片K4FHE3D4HM-MHCJ 數(shù)據(jù)傳輸速度更快，能耗更低。速率3733Mbps 電壓1.8V~1.1V 溫度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封裝

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