當(dāng)傳統(tǒng)制程微縮逼近物理極限,芯片巨頭們正在另一條賽道加速沖刺——垂直方向。Counterpoint Research最新報(bào)告指出,混合鍵合(Hybrid Bonding) 技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)“單顆芯片一萬億晶體管”目標(biāo)的關(guān)鍵跳板。當(dāng)前先進(jìn)封裝雖提高了I/O密度,但愈發(fā)復(fù)雜的異構(gòu)設(shè)計(jì)與Chiplet架構(gòu)對I/O數(shù)量、延遲提出了更高要求,以滿足AI、5G和高性能計(jì)算等應(yīng)用?;旌湘I合互連技術(shù)正成為關(guān)鍵突破口,它可顯著降低能耗、擴(kuò)大帶寬、優(yōu)化熱管理,從而助力摩爾定律繼續(xù)前行。