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芯德半導(dǎo)體獲4億戰(zhàn)略注資 攻堅(jiān)2.5D/3D封裝國產(chǎn)替代

2025-08-15 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng) 原創(chuàng)文章
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關(guān)鍵詞: 芯德半導(dǎo)體 B輪融資 AI算力芯片 先進(jìn)封測 技術(shù)突破

【導(dǎo)讀】9月12日,國內(nèi)高端封測龍頭芯德半導(dǎo)體宣布完成近4億元B輪融資,由南京政府產(chǎn)業(yè)基金領(lǐng)投。此次注資將全力攻堅(jiān)AI算力芯片封裝技術(shù)壁壘,加速55億元先進(jìn)封測基地建設(shè),突破Chiplet異質(zhì)集成量產(chǎn)瓶頸。


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一、技術(shù)攻堅(jiān)方向

針對AI/HPC芯片的散熱效率互連密度雙重挑戰(zhàn),芯德構(gòu)建三大技術(shù)護(hù)城河:

  • CAPiC異構(gòu)集成平臺(tái):實(shí)現(xiàn)7nm/14nm多工藝芯片3D堆疊(TSV密度達(dá)10?/cm2)

  • 玻璃通孔(TGV)技術(shù):射頻損耗較硅通孔降低40%,滿足5G毫米波封裝需求

  • 光感共封(CPO)方案:光電轉(zhuǎn)換效率提升35%,攻克1.6Tbps超高速互連



二、產(chǎn)能建設(shè)規(guī)劃

55億封測基地核心布局

產(chǎn)線類型技術(shù)指標(biāo)年產(chǎn)能目標(biāo)
2.5D封裝線4μm互連線寬/10層RDL18,000片晶圓
晶圓級封裝線0.8μm凸點(diǎn)間距3億顆芯片
Chiplet 3D線混合鍵合精度±0.1μm2024年Q2量產(chǎn)


三、市場破局價(jià)值

打破海外技術(shù)壟斷的三大突破點(diǎn)

  1. 存儲(chǔ)封裝:LPDDR5X封裝良率突破99.3%(國際競品均值97.5%)

  2. 射頻集成:首創(chuàng)AiP+濾波器異質(zhì)封裝,面積縮小60%

  3. 車規(guī)認(rèn)證:通過AEC-Q100 Grade1認(rèn)證(-40℃~150℃)


四、產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應(yīng)

本輪融資驅(qū)動(dòng)技術(shù)-產(chǎn)能-生態(tài)三重升級:

  • 研發(fā)加速:SiP模組引腳數(shù)突破5000+(對標(biāo)ASE FO-EB)

  • 設(shè)備升級:引進(jìn)全球首條國產(chǎn)化FOWLP貼裝產(chǎn)線

  • 生態(tài)共建:與寒武紀(jì)/地平線共建Chiplet設(shè)計(jì)-封測聯(lián)盟


結(jié)語

在摩爾定律逼近物理極限的當(dāng)下,芯德半導(dǎo)體以"CAPiC平臺(tái)+55億基地"的雙引擎戰(zhàn)略,為國產(chǎn)3D集成芯片開辟新路徑。其TGV/CPO等原創(chuàng)技術(shù)更標(biāo)志著中國封測產(chǎn)業(yè)從"跟跑代工"向"定義標(biāo)準(zhǔn)"的關(guān)鍵躍遷,為萬億級算力芯片市場注入自主可控的封裝基石。