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中微公司2024年度營收增長強(qiáng)勁,研發(fā)加速推進(jìn)

2025-05-30 來源:中國電子報、電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 中微公司 刻蝕設(shè)備 MOCVD設(shè)備 研發(fā)投入 集成電路

5月27日,中微公司舉辦了2024年度暨2025年第一季度業(yè)績說明會,中微公司董事長兼總經(jīng)理尹志堯在會上表示:“經(jīng)過20多年的努力,公司已組建了超過千人的研發(fā)團(tuán)隊,并且十分全面。十年前,我們一般需要三到五年開發(fā)一個新產(chǎn)品,再花兩年時間進(jìn)入市場。但現(xiàn)在,只需要大約18個月,最多兩年就能完成新品研發(fā),半年到一年就可以量產(chǎn)并進(jìn)入市場?!?/p>

據(jù)了解,中微公司在2024年實現(xiàn)營業(yè)收入約90.65億元,較2023年增加約28.02億元,在近四年營業(yè)收入年均增長大于40%的基礎(chǔ)上,2024年營業(yè)收入同比增長約44.73%。其中,刻蝕設(shè)備收入約72.77億元,在最近四年收入年均增長超過50%的基礎(chǔ)上,2024年同比增長約54.72%。

尹志堯表示,2024年中微公司研發(fā)總投入達(dá)到24.5億元,同比94.3%,占營業(yè)收入比例約為27%,高于科創(chuàng)板上市公司平均研發(fā)投入占收入比例的10%到15%。

目前,中微公司累計已有超過6000臺等離子和化學(xué)薄膜的反應(yīng)臺,在國內(nèi)外137條生產(chǎn)線實現(xiàn)量產(chǎn)和大規(guī)模重復(fù)性銷售。尹志堯指出,公司的CCP(電容耦合等離子體)高能等離子體刻蝕設(shè)備和ICP(電感耦合等離子體)低能等離子體刻蝕設(shè)備已覆蓋國內(nèi)95%以上的刻蝕應(yīng)用需求,并成功在5納米及更先進(jìn)制程的國際領(lǐng)先產(chǎn)線中實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。此外,公司為先進(jìn)存儲器件和邏輯器件開發(fā)的六種LPCVD薄膜設(shè)備已順利進(jìn)入市場,2024年收到約4.76億元批量訂單,實現(xiàn)銷售收入約1.56億元。

在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域,中微公司的MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)設(shè)備持續(xù)領(lǐng)跑全球市場,占據(jù)氮化鎵基LED照明設(shè)備80%以上份額,碳化硅功率器件外延設(shè)備目前已經(jīng)進(jìn)入生產(chǎn)驗證階段,氮化鎵Micro LED藍(lán)綠光設(shè)備已經(jīng)被核準(zhǔn)并進(jìn)入生產(chǎn),氮化鎵功率器件外延設(shè)備、砷化鎵紅黃光設(shè)備將在今年進(jìn)入生產(chǎn)。

在研項目方面,尹志堯介紹到,公司根據(jù)市場及客戶需求,加大研發(fā)力度,在研項目涵蓋六大類,超過二十款新設(shè)備的開發(fā),包括新一代CCP高能等離子體刻蝕設(shè)備、ICP低能等離子體刻蝕設(shè)備、晶圓邊緣刻蝕設(shè)備、LPCVD及ALD薄膜設(shè)備、硅和鍺硅外延EPI設(shè)備、新一代等離子體源的PECVD設(shè)備和電子束量檢測設(shè)備等。2025年第一季度,公司研發(fā)投入同比增長90.53%至6.87億元。

展望未來,尹志堯表示,目前中微公司可以覆蓋30%的集成電路設(shè)備。而在今后五到十年內(nèi),中微公司將與合作伙伴共同覆蓋60%的集成電路高端設(shè)備,包括刻蝕、薄膜及量檢測的全部設(shè)備,以及一部分濕法設(shè)備,成為平臺式的集團(tuán)公司,并向著2035年成為全球第一梯隊半導(dǎo)體設(shè)備公司的目標(biāo)而努力。

責(zé)任編輯:許子皓





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