晶圓代工龍頭臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理米玉杰表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)短缺情況，需要 2-3 年時(shí)間，待新晶圓廠加入生產(chǎn)后才能解決，且與 2 年前相比，現(xiàn)在對(duì)未來需求的掌握度清晰許多。

米玉杰為臺(tái)積電先進(jìn)制程領(lǐng)域大將，在最新一期國際電子電機(jī)工程師學(xué)會(huì) (IEEE) 月刊雜志 IEEE Spectrum 中，談及在半導(dǎo)體領(lǐng)域面臨的挑戰(zhàn)，他認(rèn)為最重要的挑戰(zhàn)之一，是確定每項(xiàng)技術(shù)的選擇，這些技術(shù)將為臺(tái)積電客戶帶來最大價(jià)值，并在可預(yù)期時(shí)間內(nèi)提供解決方案。

米玉杰表示，即將推出的 3 納米就是如此，將在 5 納米推出的 2 年半后接替該制程技術(shù)，也就是在今年問世，目前也正進(jìn)行 2 納米技術(shù)開發(fā)。

米玉杰說，目前制程技術(shù)已推進(jìn)到接近原子尺度，過去可透過微調(diào)制程實(shí)現(xiàn)下世代制程技術(shù)，但現(xiàn)在每一代新的制程，都必須在電晶體架構(gòu)、材料、制程與工具上找到新方法。

米玉杰指出，在自己的半導(dǎo)體職涯前期，只要透過更好的微影制程 (lithography) 來微縮電晶體，就能發(fā)展出新制程技術(shù)，但以現(xiàn)在而言，要邁入下世代制程需要更多創(chuàng)新，而找到夠多優(yōu)秀工程師也是另一大挑戰(zhàn)。

半導(dǎo)體芯片短缺則是另一項(xiàng)他必須面對(duì)的難題。米玉杰認(rèn)為，必須要 2-3 年時(shí)間，待晶圓代工新產(chǎn)能上線，才能解決產(chǎn)業(yè)短缺情況。

米玉杰指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)錯(cuò)失需求成長的訊號(hào)，但也在這種情況中學(xué)到很多，并正投入大量資金來建置新產(chǎn)能。

米玉杰在臺(tái)積電任職超過 20 年，對(duì)先進(jìn)互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 技術(shù)開發(fā)與制造貢獻(xiàn)良多，成功開發(fā)出 90 納米、40 納米及 28 納米技術(shù)，而后更率領(lǐng)團(tuán)隊(duì)研發(fā) 16 納米、7 納米、5 納米、3 納米等更先進(jìn)的制程技術(shù)。