中商情報網(wǎng)訊：碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，以其制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關速度快、效率高的優(yōu)勢，可大幅降低產(chǎn)品功耗、提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積。

近年來從國家到地方相繼制定了一系列產(chǎn)業(yè)政策來推動碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》提出集中電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發(fā)，集中電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機電系統(tǒng)（MEMS）等特色工藝突破，先進存儲技術(shù)升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發(fā)展。

資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理