日前的李國鼎紀念論壇上，臺積電董事長劉德音的一席話，給當下大火的“SiC+GaN”潑了一大盆“冷水”。

劉德音認為：“當前的第三代半導體產(chǎn)值偏小，無法與硅基（silicon base）半導體相比，只是特殊技術。盡管這類產(chǎn)品備受期待，但目前主要是廣告效果。且當前臺積電的這類客戶也主要都是美國企業(yè)?！?/span>

劉德音的言論，似乎從數(shù)據(jù)方面也能得到證實。據(jù)TrendForce的預估，從2020年至2025年，GaN的市場將從0.48億美元成長到8.5億美元，至于SiC則從6.8億美元成長到33.9億美元，年復合成長率（CAGR）分別是78%及38%。

圖片來源：今周刊

即便是四年后，第三代半導體體量合計也僅有42多億美元。據(jù)統(tǒng)計，2020年，“GaN+SiC”的產(chǎn)值只占所有半導體的千分之三，即0.3%左右的份額；2025年則將成長為千分之六，也僅達到0.6%左右。無論是市場體量和產(chǎn)值，都難以與當下占據(jù)絕對主導的硅基半導體相提并論。

論及最根本的原因，主要是當前投資SiC或GaN產(chǎn)品的成本居高不下。以SiC為例，安森美中國區(qū)應用工程總監(jiān)吳志民在接受記者采訪時表示：“碳化硅的成本比較高，最主要的原因是因為要做碳化硅的晶錠是非常困難的。同樣時間做硅的晶錠和做碳化硅的晶錠，碳化硅只有1/10，做碳化硅的晶錠需要非常高的成本，晶錠也要做成碳化硅的芯片，現(xiàn)在的運費對比硅來講也是比較低的，這兩個原因加起來，導致碳化硅的價錢比較高。” 

但吳志民也對這個產(chǎn)業(yè)的未來相當樂觀，他強調(diào)：“技術正在不斷發(fā)展，對比幾年前，碳化硅其實已經(jīng)有比較大的應用了。有些公司已經(jīng)使用碳化硅在設備上面，生產(chǎn)量不斷的增加，成本也會隨著降低。另外，就是包括我們公司在內(nèi)的主流企業(yè)，會將SiC從6寸晶圓改成8寸晶圓，這些都會慢慢把碳化硅的成本降下來。為什么碳化硅這樣貴，客戶還是會把它用在汽車上面，肯定是在續(xù)航能力、整個汽車的重量等方面都有好處的。安森美能提供從襯底、外延到晶圓的制造設計等一條龍的供應商，還可以提供裸片、元件和模塊等工業(yè)器件，在系統(tǒng)方面安森美也有很強的技術和系統(tǒng)知識，為客戶提供全球的應用支持。為了增強碳化硅的供應能力，安森美完成了對碳化硅晶錠公司GTAT的收購，GTAT有很強的晶體生長技術，跟安森美合作已有很長時間，從2020年3月份就已經(jīng)開始向安森美供應碳化硅晶錠?！?/span>

2018-2021年8月宣布投資額與項目數(shù)量（圖片來源：芯謀研究）

的確，以SiC為代表的這類“成本高”“技術先進”“能做局”的賽道，對于想拉投資“做大事”的國內(nèi)企業(yè)們來說，也很有奔頭兒。因此，近幾年越來越多國內(nèi)有經(jīng)驗或沒經(jīng)驗的半導體廠商紛紛加碼SiC或者GaN這類第三代半導體賽道。據(jù)統(tǒng)計，近三年以來，國內(nèi)有17個省份開始大量涌現(xiàn)SiC的半導體產(chǎn)線投資項目。且投資額逐年增長，2018年總投資額為50億，項目總計3個。2019年，投資額大幅暴漲至238億，項目達到14個。2020年，宣布投資額再次翻倍，一舉超過500億，項目超過20個。

SiC項目簽約/開工/投產(chǎn)情況（圖片來源：芯謀研究）

不過，有半導體投資圈兒人士認為劉德音的話其實不無道理，他表示：“隨著國家近幾年越來越加大半導體賽道的資本注入，如今的國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)正呈現(xiàn)出‘投資虛火’的趨勢，‘什么火就做什么’，已經(jīng)成為不少有經(jīng)驗或者沒經(jīng)驗的‘做局人’們的‘信條’，雖然近兩年半導體賽道的投資正逐漸趨于理性，但在如SiC或者GaN這類‘風口’級賽道上很多投資機構也很難保持理性，因為知道這是趨勢，也是幾年后汽車等智能設備的剛需，現(xiàn)在不投，未來也會后悔。”

的確，無論是從SiC的實際投資額還是投產(chǎn)率來看，也充分印證了國內(nèi)半導體圈兒在第三代半導體賽道上正日益燃起“虛火”。以露笑科技合肥市長豐縣碳化硅產(chǎn)業(yè)園項目為例，該項目投資總規(guī)模預計100億，將建設第三代功率半導體（碳化硅）的設備制造、長晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地。一期投資21億，其中一期首次投資3.6億。但就目前來看，實際投資額僅為3.6億，與宣稱的100億存在非常大的差距。

投產(chǎn)率方面，據(jù)芯謀研究統(tǒng)計，自2018年開始，碳化硅襯底及外延片雖然宣布的總產(chǎn)能已達479萬片/年（折合4吋），已投產(chǎn)產(chǎn)能樂觀估計僅為150萬片。但實際投產(chǎn)率則很低，宣布總產(chǎn)能215萬片，實際投產(chǎn)產(chǎn)能樂觀估計為27萬片，僅有三安光電、泰科天潤和積塔半導體等少量產(chǎn)線順利通線。剩余項目中，部分項目在簽約或者開工后就再無進展。

對此，該半導體投資圈兒人士道出了其中的原因：“這是國內(nèi)很多半導體公司‘做局’的套路之一，在項目建設前期給各地政府機構‘畫大餅’，這樣能夠拿到更多的資源。即便是最后實際投產(chǎn)與規(guī)劃投產(chǎn)差距很大，也能夠以其他各種理由‘蒙混過關’。對于半導體企業(yè)來說，多出來的這些資源可以做很多其他的項目，甚至不少都與半導體行業(yè)無關，目的都是借助當前國內(nèi)‘虛火’的半導體投資氛圍盡快的‘跑馬圈地’。”

所以，臺積電劉德音的驚人言論，細細思索其實不無道理。劉德音的話語，對國內(nèi)SiC或GaN賽道的老牌或新晉廠商們而言，也是一大警醒。畢竟，如今的國內(nèi)半導體企業(yè)，無論是從襯底材料、外延、器件設計還是器件制造上，與國外同業(yè)競爭對手差距依然十分明顯。

尤其是工藝方面，也是第三代半導體器件的主要附加值所在，工藝的優(yōu)劣也會直接影響到器件的性能。國內(nèi)產(chǎn)線大多處于剛通線的狀態(tài)，離大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)還有一定的距離，制造工藝需要時間的積累。而國外主流廠商起步較早，整體工藝水平處于領先。但在心態(tài)上，相比于國際大廠們的“沉著冷靜”，如今的本土半導體企業(yè)整體更加“浮躁”，如果后續(xù)沒有國家的出手和產(chǎn)業(yè)頭部廠商的牽頭理性。在當前這種國際化競爭日趨激烈的大環(huán)境下，如此“虛浮”的心態(tài)，最后只能造就一個又一個半導體“爛尾傳奇”。