英諾賽科（珠海）科技有限公司為ASML光刻機成功導入8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線舉辦了慶典。英諾賽科于2021年引入ASML光刻機，憑借著其卓越的成像性能和獨特的TWINSCAN架構(gòu)（雙晶圓工件平臺），英諾賽科進一步提升了硅基氮化鎵功率器件制造的產(chǎn)能及產(chǎn)線良率。此次慶典上，ASML副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理沈波代表ASML被英諾賽科授予“最佳戰(zhàn)略合作伙伴”稱號。

近年來，相較傳統(tǒng)硅材料，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 等第三代半導體，以其更小尺寸、更高轉(zhuǎn)換頻率、更高功率密度等特點，逐漸成為了全球半導體產(chǎn)業(yè)的新焦點。此新材料可滿足節(jié)能、減排、智能制造等全球戰(zhàn)略需求。氮化鎵是“第三代半導體”關(guān)鍵材料之一，具有廣闊的市場前景，可滲透到包括消費、工業(yè)和汽車類電子應(yīng)用領(lǐng)域。作為全球領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵芯片制造商（IDM），英諾賽科一直致力于推動第三代半導體制造技術(shù)的創(chuàng)新和革命。