據(jù)日經(jīng)新聞近日報道稱，為了搶攻電動車（EV）市場商機，多家日本廠商正在積極增產(chǎn)車用第三代半導體——碳化硅（SiC）功率半導體，其中東芝（Toshiba）被傳出正式計劃將車用碳化硅器件產(chǎn)量擴增至10 倍。

日經(jīng)新聞稱，目前各家日本廠商擴產(chǎn)的產(chǎn)品主要為用來供應/控制電力的“功率半導體”產(chǎn)品，不過使用的材料不是現(xiàn)行主流的硅（Si）、而是采用了碳化硅。碳化硅功率半導體使用于電動車逆變器上的話，耗電力可縮減5~8%，可提升續(xù)航距離，目前特斯拉（Tesla）和中國車廠已開始在部分車型上使用SiC功率半導體。

報導指出，因看好來自電動車市場的需求有急速擴大的趨勢，東芝半導體事業(yè)子公司“東芝電子元件及儲存裝置（Toshiba Electronic Devices & Storage）”計劃在2023年度將旗下姬路半導體工廠的碳化硅功率半導體產(chǎn)量擴增至2020年度的3倍、之后計劃在2025年度進一步擴增至10倍，目標最遲在2030年度取得全球一成以上市占率。

羅姆也將投資500億日圓、目標在2025年之前將碳化硅功率半導體產(chǎn)能提高至現(xiàn)行的5倍以上。羅姆位于福岡縣筑后市的工廠內(nèi)已蓋好碳化硅新廠房、目標2022年啟用。中國吉利的電動車也已決定采用羅姆的SiC功率半導體產(chǎn)品，而羅姆目標在早期內(nèi)將全球市占率自現(xiàn)行的近兩成提高至三成。

此外，富士電機考慮將碳化硅功率半導體開始生產(chǎn)的時間自原先計劃（2025年）提前半年到1年。