Fujitsu推出新款8Mbit FRAM存儲(chǔ)器，支持高達(dá)100萬(wàn)億次寫入次數(shù)
2021-11-24
來(lái)源：21IC電子網(wǎng)
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關(guān)鍵詞： FRAM存儲(chǔ)器
（全球TMT2021年11月24日訊）Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited已推出帶并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2TA存儲(chǔ)器，這也是Fujitsu首款支持100萬(wàn)億次讀/寫周期的FRAM系列產(chǎn)品。
MB85R8M2TA存儲(chǔ)器配有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V-3.6V的電源電壓范圍內(nèi)工作。新款FRAM在快頁(yè)模式下可實(shí)現(xiàn)25ns的訪問(wèn)時(shí)間，因此在持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸時(shí)的訪問(wèn)速度可與SRAM相媲美。與Fujitsu的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，該存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)了高速運(yùn)行（訪問(wèn)速度提高約30%）和低功耗（工作電流減少10%）。這款存儲(chǔ)器IC是SRAM的理想替代產(chǎn)品，可用于需要高速運(yùn)行的工業(yè)機(jī)器。
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