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消息稱聯(lián)電擬在新加坡建新12英寸晶圓廠

2021-10-25 來(lái)源:財(cái)經(jīng)網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 聯(lián)電 新加坡 晶圓廠

10月25日訊,據(jù)媒體消息,近日有市場(chǎng)消息稱,聯(lián)電計(jì)劃投資約 229 億元人民幣在新加坡建設(shè)第二座 12 英寸晶圓廠,月產(chǎn)能至少 2 萬(wàn)~3 萬(wàn)片,可能生產(chǎn) 40nm 以下制程的芯片。



據(jù)報(bào)道,聯(lián)電對(duì)此回應(yīng)稱,新加坡本來(lái)就有設(shè)廠,在全球有據(jù)點(diǎn)的地方持續(xù)評(píng)估建廠規(guī)劃,不過(guò)目前還沒(méi)有確切地點(diǎn)。


據(jù)了解,聯(lián)電新加坡廠 Fab 12i 位于白沙晶圓科技園區(qū),于 2004 年開(kāi)始量產(chǎn),月產(chǎn)能為 5 萬(wàn)片,制程為 0.13 微米至 40nm,產(chǎn)品涵蓋 FPGA、無(wú)線通訊芯片等。


業(yè)界人士認(rèn)為,聯(lián)電此次可能采 40nm 以下制程,如 28nm 制程生產(chǎn)芯片。