3月份Intel新任CEO帕特·基辛格宣布了全新的IDM 2．0戰(zhàn)略,其中主要內容就是投資200億美元在美國建設2座新的晶圓廠。9月24日,基辛格駕駛挖掘機正式給新項目奠基,2024年這些工廠要首發(fā)量產20A埃米工藝。

美國亞利桑那州是Intel晶圓生產的重鎮(zhèn),算上這次的投資,Intel公司40多年來已經在該地區(qū)投資了500億美元,CEO基辛格表示這次的投資代表著Intel致力于在該領域長期投資,幫助美國半導體重回領先地位。

該投資計劃預計將創(chuàng)造3000多個高技術、高薪酬的長期工作崗位,以及3000多個建筑就業(yè)崗位和大約15000個當地長期工作崗位。

Intel公布了這里兩座晶圓廠的細節(jié),分別會命名為Fab 52、Fab 62,并首次透露這些工廠將會在2024年量產20A工藝——這與之前預期的不同,原本以為會量產的是Intel 4這樣的下兩代工藝。

Intel 20A工藝是今年7月份才公布的,是Intel 10/7/4/3工藝之后的升級版,而且首次進入后納米時代,直接用了埃米(A代表的是?ngstrom,1納米等于10埃米),技術細節(jié)美公布,但字面意義上看20A差不多就是2nm工藝的級別,符合3nm之后的摩爾定律升級規(guī)則。

20A工藝除了EUV光刻工藝之外,還會有2大黑科技——R ibbonFET及PowerVia。

根據Intel所說,RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現(xiàn),它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度,同時實現(xiàn)與多鰭結構相同的驅動電流,但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網絡,通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。

按照規(guī)劃,20A工藝預計會在2024年量產,屆時臺積電的2nm工藝應該也會問世,Intel的工藝再次回到最先進水平。