根據(jù) Digitimes 報道，半導(dǎo)體廠商英飛凌大中華區(qū)電源與感測系統(tǒng)事業(yè)部協(xié)理陳志星日前表示，該公司的 SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等新材料產(chǎn)品已經(jīng)走入量產(chǎn)，未來這類功率芯片的制造從主流的 6 英寸廠轉(zhuǎn)移到 8 英寸晶圓廠生產(chǎn)，是國際大廠共同看好的趨勢。

陳志星指出，SiC、GaN 相關(guān)寬能隙 (WBG) 功率元件價格已經(jīng)出現(xiàn)很大的降幅，但成本仍是打開市場的關(guān)鍵。碳化硅、氮化鎵兩類芯片的價格差距不大，但是這這兩種產(chǎn)品與單純的 Si 硅產(chǎn)品之間成本差距確實存在，目前成本還比較高昂。

英飛凌預(yù)測，未來在生產(chǎn)規(guī)模、產(chǎn)能投資、良率控制等方面的共同推進下，SiC、GaN 功率元件的成本有望有效下降，預(yù)計 3~5 年后有機會把成本降到跟硅基元件相仿的程度，后段制程技術(shù)也持續(xù)推進。

英飛凌此前率先使用 12 英寸晶圓工廠生產(chǎn)硅基功率元件，近年來 GaN 氮化鎵芯片隨著手機、電腦充電器的發(fā)展，得到越來越廣的應(yīng)用，相關(guān)制造技術(shù)也在快速推進中。由于 SiC 碳化硅功率元件已經(jīng)問世 20 多年，英飛凌表示，這類芯片以往使用 2、4 英寸晶圓工廠生產(chǎn)，現(xiàn)在則轉(zhuǎn)向主流的 6 英寸，未來走向使用 8 英寸廠生產(chǎn)是非常正常的。