消息稱(chēng)兩巨頭已搶先當(dāng)客戶(hù),使用臺(tái)積電3nm制程來(lái)測(cè)試自家芯片
日經(jīng)亞洲(Nikkei Asia)引述知情人士報(bào)導(dǎo)指出,在臺(tái)積電3nm制程明年量產(chǎn)之前,蘋(píng)果和英特爾已搶先當(dāng)客戶(hù),目前正使用臺(tái)積電3nm制程來(lái)測(cè)試自家芯片,其中一位消息人士表示,英特爾計(jì)劃使用的芯片數(shù)量超過(guò)了蘋(píng)果。
臺(tái)積電曾在6月的技術(shù)論壇時(shí)表示,3nm技術(shù)預(yù)計(jì)2022年下半年開(kāi)始量產(chǎn),屆時(shí)將成為全球最先進(jìn)的邏輯技術(shù),相較于5nm技術(shù),速度將增快15%,功耗降低達(dá)30%,邏輯密度增加達(dá)70%。
目前蘋(píng)果的iPhone 12是采用臺(tái)積電5nm制程芯片,報(bào)導(dǎo)引用消息人士的說(shuō)法,明年將推出的下一代iPhone,因調(diào)度原因?qū)⑹褂弥虚g的4nm技術(shù)芯片,而iPad可能是第一款采用3nm技術(shù)制造的處理器設(shè)備。
報(bào)導(dǎo)指出,英特爾與臺(tái)積電的合作至少有兩項(xiàng)3nm制程計(jì)劃,分別為提供筆電與數(shù)據(jù)中心服務(wù)器使用的中央處理器,希望從AMD和Nvidia手上搶回過(guò)去被奪走的市占率,一位消息人士透露,「目前計(jì)劃給英特爾的3nm制程芯片數(shù)量,比蘋(píng)果iPad的使用量更多?!?/p>
對(duì)于日經(jīng)的報(bào)導(dǎo),英特爾僅證實(shí)正在與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)2023年的產(chǎn)品陣容,但沒(méi)有說(shuō)明正在使用哪種技術(shù),臺(tái)積電表示不會(huì)就單一客戶(hù)的訊息發(fā)表評(píng)論,而蘋(píng)果公司則沒(méi)有響應(yīng)。
臺(tái)積電法說(shuō)前,外資關(guān)注焦點(diǎn)搶先曝光
臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)將于15日登場(chǎng),高盛證券率先起跑,點(diǎn)出臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)關(guān)注六大焦點(diǎn):3nm制程的回報(bào)、全球布局、加密貨幣訂單影響、智能機(jī)與PC終端需求、晶圓代工廠(chǎng)靠客戶(hù)長(zhǎng)約來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)能是否成常態(tài),以及晶圓代工供需狀況所牽動(dòng)的獲利結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變。
高盛先以中長(zhǎng)線(xiàn)看好臺(tái)積電觀(guān)點(diǎn),替尚未到來(lái)的法說(shuō)行情投下贊成票。高盛認(rèn)為,晶圓代工供應(yīng)直至2023年都將極為短缺,臺(tái)積電在5G、高效能運(yùn)算(HPC)與人工智能(AI)龐大需求帶動(dòng)下,市占率將節(jié)節(jié)攀升。
另一方面,受惠成熟制程需求續(xù)強(qiáng),加上蘋(píng)果、聯(lián)發(fā)科、AMD繼續(xù)扮演先進(jìn)制程關(guān)鍵客戶(hù),高盛分析,臺(tái)積電整體產(chǎn)能利用率仍將保持超高水平。
短期來(lái)看,外資認(rèn)為臺(tái)積電第二季營(yíng)運(yùn)狀況將合乎市場(chǎng)預(yù)期,單季毛利率、營(yíng)業(yè)利益率為51.8、41.2%,每股純益5.38元;第三季營(yíng)收可望季增5.2%,單季毛利率、營(yíng)業(yè)利益率則是50.8與40.6%。
市場(chǎng)最關(guān)心的3nm等先進(jìn)制程回報(bào)率上,高盛證券認(rèn)為,先進(jìn)制程需求高昂確實(shí)使臺(tái)積電資本支出大增,預(yù)期2022年折舊費(fèi)用的成長(zhǎng)速度會(huì)超過(guò)營(yíng)收,對(duì)臺(tái)積電毛利率造成影響。
不過(guò),臺(tái)積電先前已通知客戶(hù)2022年將暫停年度降價(jià),將有效提高晶圓價(jià)格,抵銷(xiāo)成本上漲干擾,晶體管成本上揚(yáng)對(duì)臺(tái)積電毛利率影響不大;另一方面,盡管晶體管成本下降空間有限,壓抑客戶(hù)升級(jí)至更先進(jìn)制程的動(dòng)機(jī),但部分客戶(hù)為了更好的性能,還是樂(lè)于升級(jí)到臺(tái)積電5、3nm制程。
