近日消息，三星正積極從ASML引進更多高數(shù)值孔徑EUV光刻機，并計劃將其融入本地生產(chǎn)體系。盡管這些設(shè)備價格高昂，但三星此舉意在為公司帶來關(guān)鍵優(yōu)勢，尤其是加速2nm GAA晶圓的生產(chǎn)進程。

2025年初，三星引進了首臺ASML的High-NAEUV光刻機（如EXE:5000）。該設(shè)備價值約5000億韓元（約24.88億元人民幣），并計劃將其用于2nm及以下制程的制造。該設(shè)備的數(shù)值孔徑提升至0.55，能夠?qū)崿F(xiàn)更窄的電路線寬，從而降低功耗并提升芯片性能，是實現(xiàn)2nm及以下制程的關(guān)鍵設(shè)備。

不過，由于ASML的高數(shù)值孔徑EUV光刻機成本高昂，即使臺積電也不確定是否要升級采用這類設(shè)備，畢竟其現(xiàn)有設(shè)備有能力過渡到1.4納米制程。

然而，有外媒報道稱，三星斥巨資購置這些設(shè)備的目的是為了在2納米GAA制程中占據(jù)優(yōu)勢。幾個月前，這家韓國巨頭在Exynos2600芯片的測試中，上述光刻技術(shù)的良率達到了30%。

臺積電作為全球晶圓代工市場的領(lǐng)導(dǎo)者，在先進制程工藝方面一直保持著領(lǐng)先地位。此前，在3納米芯片工藝上，三星全面落后于臺積電，無論是芯片良率，還是客戶導(dǎo)入上。

目前，臺積電在2納米節(jié)點首次采用全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管技術(shù)，徹底告別了FinFET時代，在同等功耗下性能提升10~15%，或在同頻下功耗下降25~30%，晶體管密度再增15%。這是全球首次把GAAFET推進到量產(chǎn)級別，技術(shù)難度與資本開支均以“百億美元”為單位。

據(jù)悉，臺積電2納米制程芯片的初始月產(chǎn)能將集中在臺灣新竹寶山與高雄兩座工廠，2025年底月產(chǎn)能可達到4.5萬~5萬片左右，并計劃在2026年將月產(chǎn)能提升到10萬片以上。

與此同時，臺積電擁有眾多高端客戶，包括蘋果、高通、AMD等。這些客戶對先進制程芯片的需求旺盛，為臺積電提供了穩(wěn)定的訂單來源。三星雖然也擁有一些高端客戶，但在客戶基礎(chǔ)方面遠不如臺積電。

值得一提的是，今年7月，三星電子與特斯拉達成165億美元芯片制造協(xié)議，將采用2納米芯片工藝生產(chǎn)特斯拉下一代核心芯片“AI6”，為三星2納米芯片產(chǎn)能擴張給予了客戶支持。

此外，三星已確認(rèn)Exynos 2600將是該公司首款2nm GAA芯片組，而且最近又有報道稱這款旗艦級SoC已開始量產(chǎn)。這是否意味著三星2nm GAA芯片工藝良率在近期又得到大幅提升？

根據(jù)一些行業(yè)經(jīng)驗，即使三星在財務(wù)上允許，但其2納米芯片工藝良率至少需要達到70%，才能具備規(guī)模化量產(chǎn)的經(jīng)濟效益。

而如今，三星希望利用高數(shù)值孔徑EUV光刻機在2納米上扳回一局，特別是采購更多相關(guān)設(shè)備，就是希望最大限度地減少損失、提高良率，以便能夠大規(guī)模生產(chǎn)自有芯片，同時向業(yè)界證明其在芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位能夠與臺積電相媲美。