MOS管在100W電源以上的半橋式電路應用方案

2025-08-07 來源：作者：廣東合科泰實業(yè)有限公司原創(chuàng)文章

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對于正激式開關電源，我們常見的 100W 以上電源基本是使用半橋或者 LLC 拓撲結構的電路。如果使用半橋式電路的舞臺燈光電源要怎么從電路設計的角度來延長其產品質量呢？

這個問題對于舞臺燈光電源廠家而言估計是蠻重要的。今天合科泰半導體就來回答對于 100W 以上舞臺燈光電源的半橋式電路，要使用什么 MOS 管型才能適配電路這一問題。

其實對于 100W 以上舞臺燈光電源的半橋式電路，我們推薦使用 2 個 HKTD120N04。畢竟 HKTD120N04 是可以替代 IRF3205 等 MOS 管的高性價比國產型號。

為何HKTD120N04可替代

為何？因為 HKTD120N04 具備超低導通內阻（典型值 1.7mΩ）、高雪崩能量（70mJ）、快速開關特性（開通延遲 15ns）、100% 經過雪崩測試、100% 經過 DVDS 熱阻測試、100% EAS 測試、符合 RoHS 標準、100% 經過 RG 測試、高抗 dv/dt 能力（±50V/ns）、參數一致性好、可靠性高，屬于工業(yè)級產品。

從上述特點可知，這款工業(yè)級的 120A、40V 場效應管非常適合 100W 以上舞臺燈光電源的低壓側半橋式電路（如 DC-DC 變換模塊、電子鎮(zhèn)流器驅動級）。

當然，在實際應用中，研發(fā)工程師一定要了解這款優(yōu)質國產場效應管的詳細參數：

HKTD120N04

電氣特性：120A 連續(xù)電流、40V 耐壓
導通電阻：RDS(ON)=1.7mΩ(TYP) @VGS=10V，ID=50A
RDS(ON)=2.6mΩ(MAX) @VGS=10V，ID=50A
柵源電壓：VGS=±20V
封裝形式：TO-252（貼片式，優(yōu)化散熱路徑）

HKTD120N04 為 N 溝道增強型（VDMOS）場效應管，除舞臺燈光電源外，還可應用于高頻開關電源次級側、低壓逆變器、電機驅動，可直接替代國際品牌。

舞臺燈光電源應用方案

在 380V/220V 輸入的舞臺燈光電源中，經過 AC-DC 整流濾波后，通過隔離變壓器降壓至 40V 以下直流母線，此時半橋電路推薦使用2 只 HKTD120N04（上下橋臂各 1 只），配合 RCD 緩沖電路，可實現：

效率提升：比傳統方案降低導通損耗 35%
散熱優(yōu)化：TO-252 封裝配合 2oz 銅皮，結溫降低 15℃
可靠性增強：-55℃~+150℃寬溫工作范圍

關鍵設計注意事項

柵極驅動電壓需穩(wěn)定在 10V±1V，避免過驅動導致柵極氧化層損壞
layout 時源極回路需短而粗，減少寄生電感
建議并聯 0.1μF 陶瓷電容抑制 dv/dt 噪聲

綜上所述，對于 100W 以上舞臺燈光電源的半橋式電路，選用合科泰 HKTD120N04 場效應管，既能滿足低壓大電流場景需求，又能通過國產替代降低供應鏈風險，是高性價比的優(yōu)選方案。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設計、生產、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術及專精特新企業(yè)。專注提供高性價比的元器件供應與定制服務，滿足企業(yè)研發(fā)需求。

產品供應品類：覆蓋半導體封裝材料、電阻/電容/電感等被動元件；以及MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復、橋堆、二極管、三極管及功率器件，電源管理IC及其他，一站式配齊研發(fā)與生產所需。
兩大智能生產制造中心：華南和西南制造中心（惠州7.5萬㎡+南充3.5萬㎡）配備共3000多臺先進設備及檢測儀器；2024年新增3家半導體材料子公司，從源頭把控產能與交付效率。
提供封裝測試OEM代工：支持樣品定制與小批量試產，配合100多項專利技術與ISO9001、IATF16949認證體系，讓“品質優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。

合科泰在始終以“客戶至上、創(chuàng)新驅動”為核心，為企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的元件。

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