7月14日消息，作為中國乃至全球氮化鎵（GaN）功率半導體領域的領軍企業(yè)，英諾賽科（Innoscience）近期宣布其8英寸氮化鎵晶圓產能將在年底從目前的13000片/月提升至20000片/月。這一產能提升計劃是公司中長期戰(zhàn)略的一部分，其目標是在未來五年內將月產能進一步擴大至70000片/月，是當前水平的五倍以上。

這一增長得益于公司在8英寸晶圓制造工藝上的成熟化，以及對良率的持續(xù)優(yōu)化，也體現(xiàn)了英諾賽科在技術創(chuàng)新和產能擴張方面的持續(xù)投入。根據(jù)此前公開資料，英諾賽科的晶圓良率超過95%，顯著高于行業(yè)平均水平。

在晶圓尺寸方面，相較于8英寸晶圓，12英寸晶圓的芯片產出數(shù)增加了2.3倍，但維持穩(wěn)定的良率和實現(xiàn)成本效益的穩(wěn)定量產仍面臨挑戰(zhàn)。目前，全球范圍內尚未有公開宣布已推出支持12英寸氮化鎵外延的解決方案的MOCVD設備廠商。因此，英諾賽科強調，公司將聚焦8英寸產線工程化的成熟度，再逐步推進12英寸產線，預計到2030年才能實現(xiàn)商業(yè)化。

在產能擴張的同時，英諾賽科也注重產品迭代和市場拓展。公司計劃通過提升產能和優(yōu)化產品結構，在性能和成本方面顯著超越傳統(tǒng)硅基功率半導體，為客戶提供最多40%的性能提升和30%的成本節(jié)省。目前，英諾賽科的產品線覆蓋了從晶圓制造到分立器件、智能氮化鎵IC、驅動控制芯片和氮化鎵功率模塊等多個領域。其產品廣泛應用于消費電子、可再生能源、工業(yè)控制、汽車電子和數(shù)據(jù)中心等終端市場。

英諾賽科（Innoscience）是一家專注于第三代半導體硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術的高新技術企業(yè)，致力于推動氮化鎵功率器件在多個領域的廣泛應用。公司成立于2015年12月17日，總部位于中國珠海，并在蘇州設有生產基地。英諾賽科采用IDM（設計-制造-封測一體化）全產業(yè)鏈模式，建立了全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓量產線，具備從設計、研發(fā)、生產到銷售的完整產業(yè)鏈能力。英諾賽科于2024年12月30日正式在中國香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市，股票代碼為02577.HK ，成為全球首家實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵（GaN）晶圓大規(guī)模量產的IDM企業(yè)。