據(jù)臺媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，晶圓代工大廠臺積電3nm供不應(yīng)求，蘋果、英偉達(dá)（NVIDIA）等七大客戶幾乎包下了臺積電的全部產(chǎn)能，預(yù)期訂單滿至2026年。據(jù)悉，明年臺積電3nm代工價(jià)格將上調(diào)超過5%，先進(jìn)封裝明年年度報(bào)價(jià)也大約有10%～20%的漲幅。

目前臺積電3nm家族成員包含N3、N3E及N3P，以及N3X、N3A等，其中去年第4季量產(chǎn)的N3E主要瞄準(zhǔn)AI加速器、高端智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用所需。N3P則預(yù)計(jì)今年下半年量產(chǎn)，后續(xù)估將成為2026年移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)類產(chǎn)品、基站乃至網(wǎng)通等主流應(yīng)用所需芯片制程；N3X、N3A則是為高性能計(jì)算、汽車客戶等定制化需求打造。

據(jù)悉，臺積電3nm家族主要訂單來源于蘋果、高通、英偉達(dá)、AMD等四大客戶，今年這四家廠商新的高端芯片都將會(huì)采用3nm制程。比如，蘋果今年推出的M4系列處理器和即將推出的新一代A18系列處理器，高通下半年將推出的旗艦移動(dòng)平臺驍龍8 Gen4，英偉達(dá)將推出的RTX50系列顯卡，AMD下半年將推出的第五代EPYC Turin處理器以及明年計(jì)劃推出的MI350系列，聯(lián)發(fā)科下半年將推出的旗艦級移動(dòng)平臺天璣9400都將會(huì)采用臺積電3nm工藝。

面對這么多大客戶對于臺積電3nm制程的旺盛需求，業(yè)內(nèi)傳出臺積電2024年及2025年3nm家族產(chǎn)能都已被客戶包下的傳聞也并不意外。業(yè)界認(rèn)為，在客戶搶著預(yù)訂產(chǎn)能背景下，臺積電3nm家族產(chǎn)能持續(xù)吃緊，將成為近兩年的常態(tài)。預(yù)計(jì)明年3nm代工價(jià)格將上漲5%。

除臺積電3nm代工價(jià)格看漲，先進(jìn)封裝價(jià)格也同步看漲。臺積電竹南先進(jìn)封裝廠（AP6）啟用至今一年，隨AP6C機(jī)臺陸續(xù)到位，已成為臺積電最大的CoWoS產(chǎn)能基地，今年第三季度臺積電CoWoS月產(chǎn)能有望自1.7萬片增長至3.3萬片。


封測行業(yè)率先回暖，高端芯片漲價(jià)空間大

從臺灣封測公司和A股半導(dǎo)體封測公司的業(yè)績表現(xiàn)來看，經(jīng)過2022年下半年的低谷，2023年下半年以來，單季度收入開始穩(wěn)定增長，且增速逐漸提高。其中，A股半導(dǎo)體封測公司存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)在持續(xù)下降，證明庫存正在逐步消化，市場補(bǔ)庫需求呈現(xiàn)回升態(tài)勢。

與之相對的是，由于金、銅等金屬價(jià)格上漲直接影響芯片封裝環(huán)節(jié)，部分涉及功率器件和電源管理芯片的企業(yè)隨即發(fā)布漲價(jià)函，幅度高達(dá)20%。雖然金屬價(jià)格上漲對中高端芯片的影響還在逐步傳導(dǎo)，但在庫存周期較長的情況下，成本端壓力加大使得漲價(jià)變得"名正言順"。


先進(jìn)封裝大勢所趨，AI加速其發(fā)展

先進(jìn)封裝是超越摩爾定律、提升芯片性能的關(guān)鍵。先進(jìn)封裝也稱為高密度封裝，通過縮短I/O間距和互聯(lián)長度，提高I/O密度，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)芯片性能的提升。相比傳統(tǒng)封裝，先進(jìn)封裝擁有更高的內(nèi)存帶寬、能耗比、性能，更薄的芯片厚度，可以實(shí)現(xiàn)多芯片、異質(zhì)集成、芯片之間高速互聯(lián)。

英偉達(dá)從2020年開始采用臺積電CoWoS技術(shù)封裝其A100GPU系列產(chǎn)品，相比上一代產(chǎn)品V100，A100在BERT模型的訓(xùn)練上性能提升6倍，BERT推斷時(shí)性能提升7倍。Bump、RDL、TSV、HybridBonding是實(shí)現(xiàn)先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)。WLP、2.5D、3D是當(dāng)前主流的幾種先進(jìn)封裝技術(shù)。英特爾 在積極布局 2.5D/3D 封裝領(lǐng)域，其封裝產(chǎn)品量產(chǎn)時(shí)間晚于臺積電，其 2.5D EMIB 技術(shù)可以對 標(biāo)臺積電的 CoWoS 技術(shù)，3D Foveros 技術(shù)可以對標(biāo)臺積電的 InFO 技術(shù)。三星：2016 年被臺積電搶走蘋果處理器訂單后，三星開始在先進(jìn)封裝領(lǐng)域大力布局，目前對應(yīng)的產(chǎn)品推出時(shí)間都晚于臺 積電和英特爾，處于落后狀態(tài)，應(yīng)用產(chǎn)品仍少。

先進(jìn)封裝技術(shù)的應(yīng)用范圍廣泛，涵蓋了移動(dòng)設(shè)備、高性能計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域?，F(xiàn)代智能手機(jī)中大量使用了CSP和3D封裝技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)高性能、低功耗和小尺寸的目標(biāo)；在高性能計(jì)算領(lǐng)域，2.5D和3D集成技術(shù)被廣泛應(yīng)用于處理器和存儲器的封裝，顯著提升了計(jì)算性能和數(shù)據(jù)傳輸效率。Yole預(yù)計(jì)，全球先進(jìn)封裝市場規(guī)模有望從2023年的468.3億美元增長到2028年的785.5億美元。得益于AI對高性能計(jì)算需求的快速增長，通信基礎(chǔ)設(shè)施是先進(jìn)封裝增長最快的領(lǐng)域，2022-2028年預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)17%的復(fù)合增長。


先進(jìn)封裝市場逐鹿中原，技術(shù)升級助推行業(yè)擴(kuò)張

從中長期來看，隨著高端消費(fèi)電子、人工智能、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用領(lǐng)域迅速發(fā)展，對先進(jìn)封裝的依賴日益提升。Yole預(yù)計(jì)2021至2027年先進(jìn)封裝市場的復(fù)合年增長率高達(dá)10.1%，顯著高于傳統(tǒng)封裝市場。在先進(jìn)封裝細(xì)分領(lǐng)域中，F(xiàn)CBGA、FCCSP和2.5D/3D封裝技術(shù)有望于2024年成為市場主流。

值得注意的是，在高性能計(jì)算（HPC）和人工智能（AI）技術(shù)的推動(dòng)下，2.5D/3D封裝市場空間增長最為迅猛，預(yù)計(jì)將從2022年的94億美元增至2028年的225億美元，年復(fù)合增長率高達(dá)15.6%。這意味著，無論是先發(fā)優(yōu)勢明顯的境外大廠，還是后來者居上的國內(nèi)企業(yè)，只有不斷加碼前沿封裝工藝，才能在未來市場競爭中突圍而出。

中國作為全球最大的芯片消費(fèi)國，市場對于封測的需求也日益增加，據(jù)前瞻 產(chǎn)業(yè)研究員預(yù)測，2026 年有望提升至 4419 億元，增速遠(yuǎn)快于全球，原因一是中國半導(dǎo)體市場需求蓬勃，二是受益于國產(chǎn)替代的加速進(jìn)行，三是國內(nèi)封測廠積極擴(kuò)廠使封裝量產(chǎn)能力增加，而刺激國內(nèi)封測收入激增。

內(nèi)資封測廠商積極布局先進(jìn)封裝，國產(chǎn)設(shè)備、材料環(huán)節(jié)持續(xù)獲得技術(shù)突破。封裝，海外Foundry在2.5D/3D封裝、混合鍵合等技術(shù)方面較為領(lǐng)先；內(nèi)資封測廠更熟悉后道環(huán)節(jié)、異質(zhì)異構(gòu)集成，因此在SiP、WLP等技術(shù)相對有優(yōu)勢，同時(shí)也在積極布局2.5D/3D、Chiplet等。設(shè)備，相較于先進(jìn)制造，先進(jìn)封裝對制程節(jié)點(diǎn)要求不高，國產(chǎn)設(shè)備基本具備前段核心工藝與后段封裝測試的自主發(fā)展能力與進(jìn)口替代潛力。材料，關(guān)鍵材料性能要求升級，國產(chǎn)廠商在電鍍液、CMP材料、光刻膠、掩膜版、剝離液、環(huán)氧塑封料、硅微粉、玻璃基板等領(lǐng)域替代在加快。

綜上所述，半導(dǎo)體景氣周期正在重啟，先進(jìn)封裝的戰(zhàn)略地位愈發(fā)凸顯。那些在低谷期堅(jiān)持研發(fā)投入、優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的企業(yè)，將在成本端壓力轉(zhuǎn)嫁和技術(shù)迭代加速的大趨勢下，率先突破成長瓶頸。