下世代HBM4（第六代HBM）爭(zhēng)霸戰(zhàn)提前展開，臺(tái)積電新任董事長(zhǎng)魏哲家正式接任后，SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源和SK海力士社長(zhǎng)郭魯正6日搭乘專機(jī)閃電旋風(fēng)來臺(tái)，藉此強(qiáng)化AI半導(dǎo)體的競(jìng)爭(zhēng)力，搶佔(zhàn)HBM4開發(fā)先機(jī)，依照規(guī)劃，SK海力士預(yù)計(jì)將在2025年量產(chǎn)HBM4。

三大記憶體廠將開發(fā)重點(diǎn)聚焦于HBM市場(chǎng)大餅，根據(jù)NVIDIA規(guī)劃，次世代Rubin GPU將採用8層堆疊HBM4，而Rubin Ultra GPU則會(huì)採12層堆疊HBM4，執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勳日前也指出，Rubin R100 GPU預(yù)計(jì)2025年第4季量產(chǎn)，相關(guān)DGX和HGX超級(jí)運(yùn)算解決方案預(yù)計(jì)2026年上半量產(chǎn)，Rubin GPU及相關(guān)平臺(tái)將于2026年推出。

SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源專機(jī)閃電來臺(tái)，與臺(tái)積電新任董事長(zhǎng)魏哲家會(huì)面，確立雙方強(qiáng)化AI及半導(dǎo)體合作。SK集團(tuán)

為了持續(xù)確保HBM領(lǐng)先地位，SK海力士已提前展開布局，預(yù)計(jì)2025年將導(dǎo)入量產(chǎn)HBM4，崔泰源亦在4月底前往美國(guó)硅谷，專程會(huì)見黃仁勳，更透過個(gè)人社群平臺(tái)，上傳兩人的合影。

據(jù)指出，魏哲家正式接手兼任董事長(zhǎng)暨總裁，臺(tái)積電開啟魏哲家全面執(zhí)政時(shí)代，崔泰源和郭魯正立即敲定專程前往臺(tái)積電，以強(qiáng)化雙方HBM4開發(fā)制程順利，并討論在AI及半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作方案等，崔泰源與魏哲家也留下兩人合影，SK集團(tuán)高層來臺(tái)僅短短數(shù)小時(shí)便閃電離開臺(tái)灣，可見對(duì)于HBM4技術(shù)開發(fā)的高度重視。

此外，SK海力士2024年首度參展COMPUTEX，并在攤位展出最新HBM3E記憶體以及MR-MUF技術(shù)（Mass Re-flow Molded Underfill），據(jù)悉，SK海力士社長(zhǎng)層級(jí)高層先后到達(dá)臺(tái)灣，并前往COMPUTEX現(xiàn)場(chǎng)參觀，掌握全球技術(shù)發(fā)展動(dòng)向。

SK海力士于4月宣布與臺(tái)積電簽訂技術(shù)合作合作備忘錄，為了提高效能，從HBM4開始，SK海力士將採用臺(tái)積電的先進(jìn)制程工藝用于生產(chǎn)Base Die，透過在Base Die採用超細(xì)微工藝，將可以增加更多功能，并在效能和功效等方面，更能滿足客戶定制化（Customized）HBM產(chǎn)品的需求。

同時(shí)，2家公司也決定將優(yōu)化SK海力士的HBM和臺(tái)積電的CoWoS技術(shù)結(jié)合，以共同應(yīng)對(duì)HBM相關(guān)顧客的要求。

SK海力士以往生產(chǎn)HBM產(chǎn)品，包括HBM3E採由自身制程技術(shù)來制造Base Die，但從HBM4開始將打破邏輯制程與記憶體的界線，開始採用先進(jìn)邏輯制程，換言之，未來在Base Die完成后，將交由SK海力士等記憶體制造DRAM堆疊制程，最后再交回臺(tái)積電進(jìn)行CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)。

SK集團(tuán)表示，為了促進(jìn)AI及半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球合作，崔泰源從2023年底開始推動(dòng)廣泛合作，并傳達(dá)了“一起開啟有助于人類的AI時(shí)代基石”的資訊，并確保加強(qiáng)SK海力士和TSMC再HBM領(lǐng)域合作能達(dá)成共識(shí)。