在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)場(chǎng)上，群雄逐鹿，硝煙彌漫。各大廠商紛紛加碼，力圖在這片新興領(lǐng)域中占據(jù)一席之地。然而，在這個(gè)快速發(fā)展和激烈競(jìng)爭(zhēng)的時(shí)期，變數(shù)還有很多！誰(shuí)能最終勝出，尚未可知。


股價(jià)暴跌、市場(chǎng)被蠶食、投資者施壓，

SiC老大Wolfspeed的無(wú)奈

手握全球六成SiC襯底材料供應(yīng)，是第一家大型的8英寸SiC晶圓廠，也是唯一一家純粹的垂直一體化SiC公司，在新能源汽車(chē)對(duì) SiC 材料需求旺盛的情況下，Wolfspeed 本應(yīng)是一家光芒萬(wàn)丈的公司。然而，Wolfspeed 的股價(jià)卻從 2021 年 11 月的峰值 139 美元暴跌至 2024 年 5 月的 25 美元，跌幅高達(dá) 82%，股價(jià)與市場(chǎng)地位嚴(yán)重不符。

作為SiC襯底的先驅(qū)和市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，Wolfspeed近年來(lái)經(jīng)歷了頻繁瘦身、業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型，成為一家專注于SiC的廠商。但是業(yè)績(jī)似乎有點(diǎn)不溫不火。

自2017年到現(xiàn)在，Wolfspeed的營(yíng)收都沒(méi)有超過(guò)10億美元。2024財(cái)年前三季度的合并收入分別為1.97億美元、2.08億美元、2.01億美元，結(jié)合第四季度的財(cái)報(bào)預(yù)測(cè)，大約2024年收入為8億美元。2023財(cái)年，Wolfspeed公司的收入為近五年來(lái)最高，達(dá)到9.219億美元。

然而，Wolfspeed正在實(shí)施一項(xiàng)總投資達(dá)65 億美元的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。這種豪賭的策略也導(dǎo)致了財(cái)報(bào)中的明顯虧損。2023財(cái)年，根據(jù)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則（GAAP）計(jì)算，Wolfspeed的凈虧損達(dá)到了3.299億美元。2024財(cái)年，按照通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則計(jì)算，Wolfspeed持續(xù)經(jīng)營(yíng)部門(mén)的凈虧損目標(biāo)為1.66億美元至1.89億美元。因此，Wolfspeed目前尚未實(shí)現(xiàn)盈利。

通過(guò)美國(guó)莫霍克谷工廠的建設(shè)，Wolfspeed在從6英寸晶圓向8英寸晶圓過(guò)渡方面具有先發(fā)優(yōu)勢(shì)。莫霍克谷工廠已經(jīng)開(kāi)始貢獻(xiàn)收入，2024財(cái)年的前三季度分別貢獻(xiàn)了400萬(wàn)美元、1200萬(wàn)美元、約2,800萬(wàn)美元的收入，較上一季度增長(zhǎng)超過(guò)兩倍多。

從Wolfspeed霍克谷8英寸工廠的利用率來(lái)看，并不是很高，4月份的時(shí)候剛剛達(dá)到16%的利用率，該公司預(yù)計(jì)到2024年6月將實(shí)現(xiàn)20%的利用率。這說(shuō)明一大部分產(chǎn)能處于閑置狀態(tài)，因此Wolfspeed的毛利率很低，2024財(cái)年前三季度大約都在15% 左右。晶圓廠本身就具有巨大的折舊成本，按照這個(gè)利用率的情況來(lái)看，這將導(dǎo)致單位生產(chǎn)的晶圓成本增加，資金回報(bào)率也會(huì)低。

前景廣闊的SiC市場(chǎng)，瑞薩和英飛凌與WolfSpeed的長(zhǎng)約、不斷創(chuàng)紀(jì)錄的功率器件設(shè)計(jì)營(yíng)收記錄（2024財(cái)年前三季度WolfSpeed這部分的營(yíng)收分別是22億美元、21億美元、28億美元）、利用率不斷增高的霍克谷工廠，并沒(méi)有得到投資者的買(mǎi)賬。

巨額資本支出和緩慢的投資回報(bào)，投資者有點(diǎn)坐不住了。Wolfspeed的一個(gè)大股東Jana Partners甚至給Wolfspeed董事會(huì)發(fā)信要其考慮出售的方案來(lái)改善股東的價(jià)值回報(bào)。并且，Jana還呼吁董事會(huì)為 Wolfspeed 位于莫霍克谷和錫勒城的兩家芯片制造工廠制定并執(zhí)行指標(biāo)和關(guān)鍵里程碑，并為未來(lái)支出確定“明確的融資路徑”，包括CHIPS法案資金。對(duì)此，Wolfspeed董事會(huì)表示將仔細(xì)審查JANA的信件。

盡管Wolfspeed正在推動(dòng)8英寸晶圓產(chǎn)能的增長(zhǎng)，但6英寸SiC晶圓相對(duì)于市場(chǎng)其他產(chǎn)品而言正變得更具成本競(jìng)爭(zhēng)力。“SiC 制造很復(fù)雜，過(guò)渡到 8 英寸也很困難。即使主要SiC器件制造商轉(zhuǎn)向8英寸，我們也不認(rèn)為8英寸會(huì)成為未來(lái)五年的主要平臺(tái)?！盰ole Group 半導(dǎo)體基板和材料高級(jí)技術(shù)和市場(chǎng)分析師Poshun Chiu表示。

因此，該WolfSpeed的份額被進(jìn)入該市場(chǎng)的中國(guó)企業(yè)搶走，經(jīng)過(guò)幾年的快速發(fā)展，中國(guó)企業(yè)正在迅速搶占6英寸SiC市場(chǎng)。

據(jù)日本權(quán)威行業(yè)調(diào)研機(jī)構(gòu)富士經(jīng)濟(jì)發(fā)布的《2024版下一代功率器件&相關(guān)市場(chǎng)現(xiàn)狀及未來(lái)展望》報(bào)告，2023年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場(chǎng)占有率前三的公司有1家來(lái)自中國(guó)，天岳先進(jìn)（SICC）超過(guò)千年老二高意(Coherent)躍居全球第二，僅次于Wolfspeed。

2023年度天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入12.51億元，較2022年增長(zhǎng)199.90%。公司的2023年年度報(bào)告中指出，全球前十大功率半導(dǎo)體企業(yè)超過(guò) 50%已成為其客戶，包括拿下了英飛凌、博世等國(guó)際知名客戶。天岳先進(jìn)主要向英飛凌提供 6 英寸導(dǎo)電型襯底和晶棒，占英飛凌需求的兩位數(shù)水平。

綜上，可以看出，Wolfspeed面臨多方面的挑戰(zhàn)，包括來(lái)自股東的壓力、中國(guó)企業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)，以及8英寸晶圓產(chǎn)能利用率低和毛利率低的問(wèn)題。未來(lái)，Wolfspeed可能需要加快8英寸晶圓產(chǎn)能的提升速度，以提高利用率，并降低生產(chǎn)成本，從而提高毛利率。同時(shí)，公司需要加強(qiáng)研發(fā)創(chuàng)新，推出更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，并積極拓展市場(chǎng)，擴(kuò)大客戶群。

未來(lái)SiC的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)仍然愈發(fā)激烈。各家SiC廠商也有著很明確的目標(biāo)，意法半導(dǎo)體到2025年實(shí)現(xiàn)SiC營(yíng)收20億美元，2030年?duì)I收達(dá)50億美元。羅姆在今年調(diào)低了碳化硅的營(yíng)收預(yù)期目標(biāo)，最新的目標(biāo)是，預(yù)計(jì)到2025年SiC收入達(dá)到1100億日元（~7億美元），2027年達(dá)到2200億日元（~14億美元）。英飛凌預(yù)計(jì)2025 年SiC 收入將達(dá)10 億美元，市占率目標(biāo)達(dá)30%。

GaN產(chǎn)業(yè)并購(gòu)浪潮來(lái)襲，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇

隨著GaN（氮化鎵）材料在射頻、電力電子等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，GaN產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出快速發(fā)展態(tài)勢(shì)。marketsandmarkets的報(bào)告分析，預(yù)計(jì)2023年全球GaN半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到211億美元，到2028年將達(dá)到283億美元，預(yù)測(cè)期內(nèi)復(fù)合年增長(zhǎng)率為6.1%。為了搶占市場(chǎng)份額，提升技術(shù)實(shí)力，全球各大芯片廠商紛紛加碼GaN領(lǐng)域的投資，并掀起了一股并購(gòu)狂潮。

Yole表示，雖然目前消費(fèi)行業(yè)是功率氮化鎵的最大市場(chǎng)領(lǐng)域，但汽車(chē)市場(chǎng)將會(huì)在未來(lái)幾年迎來(lái)最顯著的增長(zhǎng)。多家公司正在努力為電動(dòng)汽車(chē)（EV）提供 GaN 系統(tǒng)。Yole Group預(yù)測(cè)，到2028年，汽車(chē)GaN領(lǐng)域的價(jià)值將達(dá)到5.04億美元，復(fù)合年均增長(zhǎng)率為110%。

繼去年英飛凌收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)（GaN Systems）之后，1月11日，日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子發(fā)布公告稱，將以每股5.10美元的價(jià)格收購(gòu)Transphorm，總估值約為3.39億美元。這是功率氮化鎵行業(yè)一年內(nèi)發(fā)生的第二起重大收購(gòu)案。該交易預(yù)計(jì)將于2024年下半年完成，具體取決于Transphorm股東的批準(zhǔn)、所需的監(jiān)管許可以及其他慣例成交條件的滿足。

瑞薩收購(gòu)Transphorm就是為了開(kāi)發(fā)增強(qiáng)型電動(dòng)汽車(chē)電源解決方案。GaN Systems在汽車(chē)領(lǐng)域也有很大優(yōu)勢(shì)，這也是英飛凌在2023年收購(gòu)該公司的主要原因。因此，在汽車(chē)行業(yè)高利潤(rùn)的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)在快速發(fā)展的功率GaN生態(tài)系統(tǒng)中將出現(xiàn)更多并購(gòu)。

從技術(shù)路徑上來(lái)看，垂直GaN，也就是GaN-On-GaN，是GaN市場(chǎng)中的一個(gè)高地。據(jù)悉。垂直GaN的性能和成本水平是碳化硅 (SiC) 的10倍，有望取代SiC，成為新興的高壓功率開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體材料的選擇。然而垂直GaN企業(yè)活的卻并沒(méi)有那么光彩。

2024年1月4日，位于美國(guó)紐約州德威特的NexGen Power Systems，在2023年圣誕節(jié)前夕倒閉，而其旗下總投資超過(guò)1億美元的晶圓廠也已關(guān)閉。NexGen主要研發(fā)垂直GaN (GaN-on-GaN)半導(dǎo)體技術(shù)，還是CHIPS法案旨在幫助的公司。NexGen剛開(kāi)始交付用于高功率應(yīng)用的全球首批700V和1200V垂直GaN器件的工程樣品，其關(guān)閉是如此突然。

3月13日，又一家美國(guó)垂直GaN器件廠商O(píng)dyssey在官網(wǎng)宣布，他們已與客戶簽署最終協(xié)議，將以952萬(wàn)美元（約合人民幣0.67億）現(xiàn)金，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導(dǎo)體公司，當(dāng)時(shí)買(mǎi)家信息處于保密狀態(tài)。Odyssey是一家總部位于美國(guó)紐約州的垂直GaN器件企業(yè)，運(yùn)營(yíng)著一座占地 10,000 平方英尺的半導(dǎo)體晶圓制造工廠，還可以提供代工服務(wù)。

5月7日，隨著Power Integrations宣布，他們收購(gòu)了氮化鎵企業(yè)Odyssey Semiconductor 的資產(chǎn)。這筆交易也浮出了水面，該交易預(yù)計(jì)將于 2024 年 7 月完成，之后 Odyssey 的所有主要員工預(yù)計(jì)將加入 Power Integrations。根據(jù)《2023氮化鎵產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書(shū)》，PI公司是全球營(yíng)收排名第二的氮化鎵企業(yè)。

3月1日，總部位于新加坡的射頻GaN芯片供應(yīng)商Gallium Semiconductor也釋放出了倒閉的信號(hào)，并解雇所有員工。Gallium Semiconductor是一家為蜂窩通信領(lǐng)域射頻、微波及相關(guān)應(yīng)用提供高性能GaN基射頻半導(dǎo)體的全球供應(yīng)商。關(guān)閉的緣由是因?yàn)槠湮ㄒ煌顿Y者兼母公司GaasLabs LLC的創(chuàng)始人約翰·奧坎波 (John Ocampo) 于 2023 年11月去世，GaasLabs 選擇不再繼續(xù)提供財(cái)務(wù)支持，導(dǎo)致該公司關(guān)閉。

好在，后來(lái)射頻芯片廠商Guerrilla RF將Gallium Semiconductor收入麾下。Guerrilla RF成立于2013年，總部位于北卡羅來(lái)納州格林斯伯勒，開(kāi)發(fā)和制造高性能單片微波集成電路（MMIC）。4月29日，Guerrilla RF公司宣布，已完成對(duì)Gallium Semiconductor整個(gè)GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合的收購(gòu)。自2024年4月26日起，GUER收購(gòu)了所有已發(fā)布的組件以及Gallium Semiconductor正在開(kāi)發(fā)的新核心。此外，所有相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）也已作為此次組合收購(gòu)的一部分轉(zhuǎn)讓給GUER。

GUER的首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人Ryan Pratt評(píng)論道：“隨著公司不斷發(fā)展為RFIC和MMIC供應(yīng)商，將GaN技術(shù)整合到我們不斷擴(kuò)展的產(chǎn)品組合中是至關(guān)重要的。GaN代表了我們?yōu)槟繕?biāo)市場(chǎng)提供完整信號(hào)鏈的關(guān)鍵進(jìn)步?！蓖ㄟ^(guò)整合這些資產(chǎn)，公司計(jì)劃大力推動(dòng)新一代GaN器件的開(kāi)發(fā)和商業(yè)化，這些器件主要面向無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用。

GaN行業(yè)掀起的并購(gòu)狂潮反映了市場(chǎng)對(duì)該技術(shù)的高度認(rèn)可，這些并購(gòu)案例表明，GaN產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)入了強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合、優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的新階段。通過(guò)并購(gòu)，芯片廠商可以快速獲取對(duì)方在技術(shù)、人才、市場(chǎng)等方面的優(yōu)勢(shì)，從而提升自身的競(jìng)爭(zhēng)力。


氮化鎵和碳化硅：它們的競(jìng)爭(zhēng)領(lǐng)域

在高壓功率晶體管市場(chǎng)，氮化鎵器件在400伏左右以下的應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位，而碳化硅現(xiàn)在在800伏及以上的應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)（2000伏左右以上的市場(chǎng)相對(duì)較?。ｋS著GaN器件的改進(jìn)，400至1,000V之間的重要戰(zhàn)場(chǎng)格局將發(fā)生變化。例如，隨著1,200V GaN晶體管的推出（預(yù)計(jì)在2025年推出），電動(dòng)汽車(chē)逆變器這個(gè)最重要的市場(chǎng)將加入這場(chǎng)戰(zhàn)斗。

SiC和GaN將大大減少排放。根據(jù)2007年創(chuàng)立的GaN器件公司Transphorm對(duì)公開(kāi)數(shù)據(jù)的分析，到2041年，僅基于GaN的技術(shù)就可以在美國(guó)和印度減少超過(guò)10億噸的溫室氣體排放。數(shù)據(jù)來(lái)自國(guó)際能源署、Statista 和其他來(lái)源。相同的分析表明可節(jié)省1,400太瓦時(shí)的能源，即兩國(guó)當(dāng)年預(yù)計(jì)能源消耗的10%至15%。

寬帶隙的優(yōu)勢(shì)

與普通晶體管一樣，功率晶體管可以充當(dāng)放大設(shè)備或開(kāi)關(guān)。放大作用的一個(gè)重要例子是無(wú)線基站，它放大信號(hào)以傳輸?shù)街悄苁謾C(jī)。在全世界，用于制造這些放大器中的晶體管的半導(dǎo)體正在從稱為橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體 (LDMOS) 的硅技術(shù)轉(zhuǎn)向 GaN。新技術(shù)具有許多優(yōu)勢(shì)，包括能效提高 10%或更多取決于頻率。另一方面，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，晶體管充當(dāng)開(kāi)關(guān)而不是放大器。標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)稱為脈寬調(diào)制。例如，在常見(jiàn)類型的電機(jī)控制器中，直流電脈沖被饋送到安裝在電機(jī)轉(zhuǎn)子上的線圈。這些脈沖建立了一個(gè)磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)與電機(jī)定子的磁場(chǎng)相互作用，從而使轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)。這種旋轉(zhuǎn)的速度是通過(guò)改變脈沖的長(zhǎng)度來(lái)控制的：這些脈沖的圖形是一個(gè)方波，脈沖“開(kāi)”而不是“關(guān)”的時(shí)間越長(zhǎng)，電機(jī)提供的轉(zhuǎn)速和扭矩就越大。功率晶體管完成開(kāi)關(guān)。

脈寬調(diào)制也用于開(kāi)關(guān)電源，這是最常見(jiàn)的電源轉(zhuǎn)換示例之一。開(kāi)關(guān)電源是為幾乎所有以直流電運(yùn)行的個(gè)人電腦、移動(dòng)設(shè)備和電器供電的類型?；旧?，輸入的交流電壓被轉(zhuǎn)換為直流，然后該直流被“斬波”為高頻交流方波。這種斬波是由功率晶體管完成的，它通過(guò)打開(kāi)和關(guān)閉直流電來(lái)產(chǎn)生方波。方波被施加到變壓器，變壓器改變波的幅度以產(chǎn)生所需的輸出電壓。為了獲得穩(wěn)定的直流輸出，來(lái)自變壓器的電壓經(jīng)過(guò)整流和濾波。

這里的重點(diǎn)是，功率晶體管的特性幾乎完全決定了電路執(zhí)行脈寬調(diào)制的能力，因此也決定了控制器調(diào)節(jié)電壓的效率。理想的功率晶體管在處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)會(huì)完全阻斷電流，即使在施加的電壓很高時(shí)也是如此。這種特性稱為高電擊穿場(chǎng)強(qiáng)，它表示半導(dǎo)體能夠承受多大的電壓。另一方面，當(dāng)它處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，這種理想晶體管對(duì)電流的流動(dòng)阻力非常小。這一特征源于半導(dǎo)體晶格內(nèi)電荷（電子和空穴）的非常高的遷移率。將擊穿場(chǎng)強(qiáng)和電荷遷移率視為功率半導(dǎo)體的陰陽(yáng)。

與它們所取代的硅半導(dǎo)體相比，GaN和SiC更接近這一理想狀態(tài)。首先，考慮擊穿場(chǎng)強(qiáng)。GaN和SiC都屬于寬帶隙半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的帶隙定義為半導(dǎo)體晶格中的電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶所需的能量，以電子伏特為單位。價(jià)帶中的電子參與晶格內(nèi)原子的鍵合，而導(dǎo)帶中的電子可以在晶格中自由移動(dòng)并導(dǎo)電。

在具有寬帶隙的半導(dǎo)體中，原子之間的鍵很強(qiáng)，因此材料通常能夠在鍵斷裂之前承受相對(duì)較高的電壓，據(jù)說(shuō)晶體管會(huì)損壞。與GaN的3.40eV相比，硅的帶隙為1.12電子伏特。對(duì)于最常見(jiàn)的SiC類型，帶隙為3.26eV。[見(jiàn)下表，“Bandgap Menagerie”]

運(yùn)行速度和阻斷高壓的能力是功率晶體管的兩個(gè)最重要的特性。這兩種品質(zhì)又由用于制造晶體管的半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵物理參數(shù)決定。速度取決于半導(dǎo)體中電荷的遷移率和速度，而電壓阻斷則取決于材料的帶隙和電擊穿場(chǎng)。

現(xiàn)在讓我們看看遷移率，它以平方厘米/伏秒 (cm2/V·s)為單位。遷移率和電場(chǎng)的乘積產(chǎn)生電子的速度，速度越高，對(duì)于給定數(shù)量的移動(dòng)電荷，攜帶的電流就越大。對(duì)于硅，這個(gè)數(shù)字是1,450；對(duì)于SiC，它約為950；對(duì)于GaN，約為2,000。GaN異常高的價(jià)值是它不僅可以用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，還可以用于微波放大器的原因。GaN晶體管可以放大頻率高達(dá)100GHz 的信號(hào)——遠(yuǎn)高于通常被認(rèn)為是硅LDMOS最大值的3至4GHz。作為參考，5G 的毫米波頻率最高可達(dá)52.6GHz。這個(gè)最高5G頻段尚未廣泛使用，但是，高達(dá)75GHz的頻率正在部署在dish to dish通信中，研究人員現(xiàn)在正在使用高達(dá)140GHz 的頻率進(jìn)行室內(nèi)通信。對(duì)帶寬的需求是無(wú)法滿足的。

這些性能數(shù)據(jù)很重要，但它們并不是針對(duì)任何特定應(yīng)用比較 GaN 和 SiC 的唯一標(biāo)準(zhǔn)。其他關(guān)鍵因素包括設(shè)備及其集成系統(tǒng)的易用性和成本。總而言之，這些因素解釋了這些半導(dǎo)體中的每一種在何處以及為何開(kāi)始取代硅——以及它們未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)可能如何擺脫困境。


國(guó)產(chǎn)碳化硅設(shè)備進(jìn)展“喜人”

以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體的快速崛起，正在成為我國(guó)8英寸半導(dǎo)體設(shè)備商的新機(jī)遇。

在SEMICON China 2024展會(huì)上，碳化硅長(zhǎng)晶爐、碳化硅量測(cè)檢測(cè)設(shè)備、碳化硅零部件等領(lǐng)域均有廠商亮相。比如，志橙股份攜旗下碳化硅外延設(shè)備、MOCVD設(shè)備、碳化硅涂層石墨零部件等解決方案亮相；中機(jī)新材攜碳化硅晶圓切磨拋耗材方案中的大部分樣品供與會(huì)人員參觀了解。

“碳化硅產(chǎn)業(yè)方興未艾，對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈公司而言，這不僅是新興的市場(chǎng)，更是新興的創(chuàng)新機(jī)遇?！庇邪雽?dǎo)體業(yè)內(nèi)人士對(duì)記者表示，在硅半導(dǎo)體領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)歉S全球先進(jìn)發(fā)展，從設(shè)備到材料全產(chǎn)業(yè)鏈都是復(fù)制已有的產(chǎn)品，走的是“替代”邏輯。但碳化硅作為一種新型材料，中國(guó)與全球幾乎站在同一個(gè)起跑線上，這讓全產(chǎn)業(yè)鏈公司有了“創(chuàng)新”發(fā)展的機(jī)會(huì)。

事實(shí)上，在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈上，中國(guó)已經(jīng)跑出來(lái)一批明星公司。富士經(jīng)濟(jì)發(fā)布的報(bào)告顯示，在2023年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場(chǎng)占有率排行中，天岳先進(jìn)超過(guò)美國(guó)Coherent，躍居全球第二，顯示出強(qiáng)勁的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

部分初創(chuàng)公司成為一級(jí)市場(chǎng)的“寵兒”，其發(fā)展表現(xiàn)可圈可點(diǎn)。比如，致力于半導(dǎo)體量測(cè)檢測(cè)設(shè)備的優(yōu)睿譜，已經(jīng)在FTIR（傅里葉變換紅外光譜測(cè)量設(shè)備）上迫使國(guó)際廠商開(kāi)打價(jià)格戰(zhàn)，并量產(chǎn)交付了碳化硅自動(dòng)光學(xué)位錯(cuò)微管檢測(cè)設(shè)備SICD系列等。專注于碳化硅外延爐業(yè)務(wù)的芯三代半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司已于2月份啟動(dòng)上市輔導(dǎo)。

風(fēng)頭正勁的碳化硅，還吸引了硅基半導(dǎo)體設(shè)備頭部廠商，這給擁有8英寸半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品線的公司帶來(lái)新的機(jī)遇。

在本次展會(huì)的同期論壇上，北方華創(chuàng)介紹了其碳化硅系列設(shè)備。晶盛機(jī)電展示了6英寸、8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)。華卓精科展示了晶圓鍵合設(shè)備、8英寸碳化硅激光退火設(shè)備、精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)、靜電卡盤(pán)等產(chǎn)品。

當(dāng)前，碳化硅從6英寸向8英寸進(jìn)化的步伐正在加快，天岳先進(jìn)、晶盛機(jī)電、天科合達(dá)、山西爍科等頭部廠商均在8英寸碳化硅襯底片研發(fā)量產(chǎn)上取得相應(yīng)進(jìn)展，各大廠商均積極擴(kuò)產(chǎn)。