臺積電已公布了A16（相當于1.6納米）工藝，預計在2026年實現(xiàn)量產(chǎn)，外媒指出該項工藝很可能會繼續(xù)采用現(xiàn)有的第一代EUV光刻機實現(xiàn)，原因可能是2納米EUV光刻機實在太貴了。

ASML今年量產(chǎn)的2納米EUV光刻機幾乎已被Intel搶購一空，業(yè)界曾以為三星和臺積電會爭搶ASML明年的2納米EUV光刻機，然而外媒指出臺積電似乎氣定神閑，并未有搶購2納米EUV光刻機的計劃。

這已不是臺積電第一次依靠原有的設備生產(chǎn)先進工藝了，此前的7納米業(yè)界就曾認為需要EUV光刻機才能量產(chǎn)，然而臺積電卻采用DUV光刻機開發(fā)了第一代7納米工藝。

臺積電當時堅持采用原有的DUV光刻機開發(fā)7納米工藝，在于EUV光刻機過于昂貴，而且新一代光刻機的出現(xiàn)，往往需要芯片工具、芯片材料等的配合，這就可能導致研發(fā)先進工藝面臨風險。

相比臺積電，三星激進地采用EUV光刻機開發(fā)7納米工藝，三星也如臺積電預期的那樣遇到了問題，三星的7納米EUV工藝存在良率過低的問題，諸多芯片企業(yè)大多選擇了成本更低的臺積電7納米工藝。

不過先進光刻機對于提升芯片性能確實有好處，臺積電第二代7納米工藝就采用了EUV光刻機，性能提升兩成以上，證明了先進的EUV光刻機確實有巨大的作用。

相比起第一代EUV光刻機，如今的2納米EUV光刻機更為昂貴，第一代EUV光刻機的價格大約為1.2億美元，2納米EUV光刻機則高達3.8億美元，昂貴的價格促使臺積電計劃繼續(xù)采用原有的EUV光刻機A16工藝。

臺積電采用原有的設備開發(fā)7納米工藝和1.6納米工藝，對中國芯片來說無疑是巨大的啟發(fā)，意味著中國芯片有可能依靠現(xiàn)有的DUV光刻機開發(fā)7納米、5納米工藝，這對于當下難以獲得EUV光刻機的中國芯片來說意義重大。

事實上目前消息都認為中國芯片行業(yè)應該已依靠現(xiàn)有的DUV光刻機實現(xiàn)了接近7納米工藝的，某國產(chǎn)手機企業(yè)的5G芯片應該就已接近7納米工藝，依靠DUV光刻機進一步開發(fā)5納米工藝有一定的可行性。

早前業(yè)界傳出國內芯片企業(yè)研發(fā)成功四重曝光技術，可能并非虛言，依靠這種技術可以進一步挖掘DUV光刻機的潛力，進而實現(xiàn)5納米工藝。對此浸潤式DUV光刻機的奠基人林本堅（臺積電前技術負責人）就給出了肯定的答案，他認為DUV光刻機仍有潛力可挖，當然采用DUV光刻機開發(fā)5納米工藝的弊端就是成本偏高。

臺積電一再挖掘舊款光刻機的潛力，體現(xiàn)了臺積電在芯片技術方面的深厚積累，說明先進工藝未必一定需要最先進的設備來實現(xiàn)，這鼓舞了中國芯片加強技術研發(fā)以利用現(xiàn)有的DUV光刻機開發(fā)先進工藝的信心，臺積電前資深技術負責人之一的梁孟松如今正在中芯國際擔任聯(lián)席CEO，有如此淵源，相信中國芯片開發(fā)更先進的工藝有更大的希望。