臺(tái)積電稱無需ASML新機(jī)即可制造下一代芯片
中國臺(tái)灣芯片制造商臺(tái)積電提供了一個(gè)新選項(xiàng),說不一定需要使用ASML為下一代芯片制造技術(shù)A16推出的下一代“高NA EUV”機(jī)器,該技術(shù)將于2026年下半年開發(fā)。
高數(shù)值孔徑光刻工具預(yù)計(jì)將有助于將芯片設(shè)計(jì)縮小多達(dá)三分之二,但芯片制造商必須權(quán)衡這一優(yōu)勢(shì)與更高的成本,以及 ASML 的成熟技術(shù)是否更可靠、足夠好。
臺(tái)積電的Kevin 張?jiān)诎⒛匪固氐さ囊淮螘?huì)議上發(fā)表講話時(shí)表示,該公司的 A16 工廠的設(shè)計(jì)有可能適應(yīng)該技術(shù),但這還不確定。全球最大的合約芯片制造商臺(tái)積電是 ASML 常規(guī) EUV 機(jī)器的最大用戶。
“我喜歡這項(xiàng)技術(shù),但我不喜歡標(biāo)價(jià)”,Kevin 張告訴記者。臺(tái)積電的A16節(jié)點(diǎn)將跟隨其2納米生產(chǎn)節(jié)點(diǎn),預(yù)計(jì)于2025年進(jìn)入量產(chǎn)。
“當(dāng)高數(shù)值孔徑 EUV 真正發(fā)揮作用時(shí),我認(rèn)為這取決于我們可以實(shí)現(xiàn)的最佳經(jīng)濟(jì)和技術(shù)平衡,”他說。
每個(gè)高 NA 工具的成本預(yù)計(jì)將超過 3.5 億歐元(3.78 億美元),而 ASML 常規(guī) EUV 機(jī)器的成本為 2 億歐元。
ASML 是歐洲最大的科技公司,主導(dǎo)著光刻系統(tǒng)市場(chǎng),光刻系統(tǒng)是使用光束幫助創(chuàng)建芯片電路的機(jī)器。光刻是芯片制造商用來改進(jìn)芯片的眾多技術(shù)之一,但它是芯片上的功能可以有多小的限制因素——更小意味著更快、更節(jié)能。
在臺(tái)積電還在猶豫的時(shí)候,英特爾已經(jīng)買下了High NA EUV的所有供應(yīng)。
根據(jù)韓媒TheElec報(bào)道,截至明年上半年,英特爾已獲得 ASML 生產(chǎn)的大部分高數(shù)值孔徑極紫外 (EUV) 設(shè)備。
消息人士稱,這家荷蘭晶圓廠設(shè)備制造商今年將生產(chǎn)五套該套件,這些套件將全部供應(yīng)給這家美國芯片制造商。他們表示,由于 ASML 高數(shù)值孔徑 EUV 設(shè)備的產(chǎn)能約為每年 5 至 6 臺(tái),這意味著英特爾將獲得所有初始產(chǎn)能。英特爾正在俄勒岡州工廠啟動(dòng)并運(yùn)行第一臺(tái)高數(shù)值孔徑機(jī)器,但預(yù)計(jì)要到 2025 年才能全面投入運(yùn)行。
為了贏得客戶,英特爾比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更快地采用高數(shù)值孔徑 EUV。該公司于 2021 年重新進(jìn)入代工市場(chǎng),但去年該業(yè)務(wù)虧損 70 億美元。在最近,他們更是將公司的晶圓代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人更換為經(jīng)驗(yàn)豐富的Kevin O'Buckley。
資料顯示,O'Buckley 加入英特爾時(shí)擁有超過 25 年的半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。在此之前,他擔(dān)任 Marvell Technologies 定制、計(jì)算和存儲(chǔ)事業(yè)部硬件工程高級(jí)副總裁。更早之前,他擔(dān)任Global Foundries 的產(chǎn)品開發(fā)副總裁,然后隨著Marvell在2019 年收購 Avera Semiconductor ,他加入 Marvell,并擔(dān)任業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人。在更早之前,他在 IBM 技術(shù)開發(fā)和制造組織工作了 17 年多。O'Buckley 擁有阿爾弗雷德大學(xué)電氣工程理學(xué)學(xué)士學(xué)位和佛蒙特大學(xué)電氣工程理學(xué)碩士學(xué)位。
關(guān)于High NA EUV的應(yīng)用,英特爾院士兼英特爾代工邏輯技術(shù)開發(fā)光刻、硬件和解決方案總監(jiān)表示:“隨著高數(shù)值孔徑 EUV 的加入,英特爾將擁有業(yè)界最全面的光刻工具箱,使該公司能夠在本十年后半段推動(dòng)超越英特爾 18A 的未來工藝能力?!?/span>
英特爾上個(gè)月表示,它已成為第一家組裝 ASML 新型高 NA EUV 光刻工具的公司,這是這家美國計(jì)算機(jī)芯片制造商超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的重要組成部分。英特爾下單訂購了最新High-NA EUV光刻機(jī)Twinscan EXE:5200,并于2023年12月底將第一臺(tái)機(jī)器運(yùn)往美國俄勒岡州的一家工廠。
之前,英特爾購買了ASML的EUV設(shè)備Twinscan EXE:5000,英特爾正在使用它來學(xué)習(xí)如何更好地使用High-NA EUV設(shè)備,并用于18A制程工藝技術(shù)研發(fā),獲得了寶貴的經(jīng)驗(yàn),該公司計(jì)劃從 2025 年開始使用Twinscan EXE:5200量產(chǎn)18A制程芯片。
配備 0.55 NA鏡頭的 High-NA EUV 光刻設(shè)備可實(shí)現(xiàn) 8nm 的分辨率,與配備 0.33 NA(Low-NA)鏡頭的標(biāo)準(zhǔn) EUV相比,進(jìn)步顯著,該鏡頭提供 13nm 分辨率。預(yù)計(jì)高數(shù)值孔徑技術(shù)將在后 2nm 級(jí)工藝技術(shù)中發(fā)揮至關(guān)重要的作用,這些技術(shù)要么需要使用低數(shù)值孔徑 EUV 雙重圖案化,要么需要使用高數(shù)值孔徑 EUV 單圖案化。
由于高數(shù)值孔徑光刻機(jī)與低數(shù)值孔徑光刻機(jī)有許多不同之處,需要對(duì)基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行大量更改,因此,在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之前部署Twinscan EXE:5200對(duì)英特爾來說是一個(gè)優(yōu)勢(shì)。一方面,英特爾將有足夠的時(shí)間來調(diào)整其后18A工藝技術(shù),另一方面,該公司將為自己調(diào)整High-NA基礎(chǔ)設(shè)施,這將使其比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更具優(yōu)勢(shì)。
