3月18日消息，受過去兩年半導(dǎo)體市場需求下滑的影響，三星存儲芯片部門連續(xù)多個季度一直處于虧損當(dāng)中。財報顯示，整個2023財年，三星的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)虧損額高達(dá)14.88萬億韓元（約合人民幣800.5億元）。不過，在2023年一季度后，三星啟動了減產(chǎn)計劃，推動了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的虧損持續(xù)收窄，其中DRAM業(yè)務(wù)已率先于2023年四季度扭虧為盈?，F(xiàn)在，隨著市場需求的持續(xù)回暖，以及NAND Flash價格的回升和增產(chǎn)，將帶動三星半導(dǎo)體乃至整個三星電子業(yè)績的改善。

此前，慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章指出，目前整個存儲市場在數(shù)據(jù)中心的部分，DRAM方面受益于需求的增長，尤其是HBM、DDR5在人工智能與高性能計算上的應(yīng)用，已經(jīng)開始獲利。而過去跌幅較深的NAND Flash市場，也因?yàn)樽?023年下半年價格的陸續(xù)開始回溫，預(yù)計2024年第一季度將會讓部分供應(yīng)商獲利。目前，NAND Flash第二季的價格都已經(jīng)談完，預(yù)計將會漲價20%，第二季之后則會讓大多數(shù)的供應(yīng)商開始賺錢。而NAND Flash增產(chǎn)的時間點(diǎn)最快也要等到今年下半年以后。預(yù)計2025年上半年也將會維持著這一波的漲價行情，整體持續(xù)向上的狀態(tài)預(yù)計將可維持兩年的時間。

韓國《朝鮮日報》近日也報道稱，三星將針對手機(jī)、PC和服務(wù)器等客戶重新議價，預(yù)計將對NAND Flash漲價15%~20%。報道稱，因?yàn)樵贜AND Flash持續(xù)漲價的情況下，客戶下單訂購的意愿強(qiáng)勁。根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce的最新數(shù)據(jù)顯示，USB通用型NAND Flash存儲卡（128Gb 16Gx8 ML）固定交易價格在2024年1月為4.72美元，較2023年12月漲價8.8%，而且到了2月份又再漲了3.8%，達(dá)到了4.9美元，這使得NAND Flash價格呈現(xiàn)了連續(xù)五個月上漲。

在對NAND Flash漲價的同時，三星還對于NAND Flash進(jìn)行了增產(chǎn)。據(jù)據(jù)韓國媒體TheElec引述未具名消息人士報導(dǎo)稱，三星電子正在提升其位于中國西安NAND Flash閃存廠的產(chǎn)能利用率，目前已恢復(fù)到了70%左右。自2023年二季度減產(chǎn)之后，三星西安NAND Flash廠的產(chǎn)能利用率在2023下半年一度滑落至20%~30%的低谷，但是隨著2023年四季度市場需求的回暖，三星西安NAND Flash廠的產(chǎn)能利用率也開始逐步回升。

市場研究機(jī)構(gòu)Omdia對 2024年三星 DRAM 晶圓產(chǎn)量水平也持樂觀態(tài)度。隨著市場過渡到升級周期，消費(fèi)者希望更換現(xiàn)有的存儲和內(nèi)存產(chǎn)品，預(yù)計產(chǎn)量將同比增長。據(jù)稱，該公司的目標(biāo)是到 2024 年第四季度晶圓產(chǎn)量達(dá)到 200 萬片，比去年的數(shù)字增長 41%。三星現(xiàn)在的目標(biāo)是通過提高生產(chǎn)水平來挽回?fù)p失的利潤，因?yàn)樵摴绢A(yù)計未來需求將會增加。

除此之外，隨著人工智能行業(yè)需求的增加，三星正在尋求“重塑”其市場戰(zhàn)略，將其重點(diǎn)更多地轉(zhuǎn)向 HBM 生產(chǎn)。隨著三星贏得 NVIDIA 和 AMD 等巨頭的信任，預(yù)計三星將升級現(xiàn)有設(shè)施，以滿足人工智能產(chǎn)品的 HBM 需求。據(jù)悉，三星已經(jīng)收到了 HBM3e 的訂單，客戶希望將其應(yīng)用于下一代 AI GPU。

KB證券也表示，“三星電子的存儲半導(dǎo)體業(yè)績有望改善”，并認(rèn)為三星電子今年第一季度的營業(yè)利潤將達(dá)到4.9萬億韓元左右，超過證券公司共識（4.6812萬億韓元，三個月平均預(yù)期）。與去年的6,402 億韓元相比，暴漲了669%。對于2024年全年的營業(yè)利潤預(yù)期也從32.536萬億韓元上調(diào)至33.06萬億韓元，并將明年的營業(yè)利潤從48.805萬億韓元上調(diào)至48.921韓元。