韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。

據悉，MUF 是一種在半導體上打上數(shù)千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV) 技術后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個半導體牢固地固定并連接起來。而經過測試后獲得的結論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技術制造，主要應用于服務器上。

在此之前，三星已經在其現(xiàn)有的雙列直插式存儲器模塊（RDIMM）中使用了熱壓非導電膜（TC NCF）技術。而 MUF 是另一家存儲大廠用于制造高頻寬存儲器（HBM）的技術，其所用的技術為 Mass Re-flow Molded Underfill，簡稱 MR-MUF。事實上，MUF 是一種環(huán)氧樹脂模塑化合物，自從該大廠成功將其應用于 HBM 生產后，便在半導體產業(yè)中受到關注，業(yè)界認為該材料被認為在避免晶圓翹曲方面更有優(yōu)勢。

消息人士稱三星計劃與三星 SDI 合作開發(fā)自己的 MUF 化合物，目前已經訂購了 MUF 應用所需的模壓設備。而因為三星是世界最大的存儲器龍頭企業(yè)，所以若三星也導入 MUF，那么 MUF 可能會成為主流技術，半導體材料市場也會發(fā)生巨大的變化。


SK海力士打敗三星的關鍵技術

SK海力士在HBM市場之所以嶄露頭角的原動力就是因為MR-MUF這種技術。MR-MUF是一種高端封裝工藝技術。MR-MUF是指將半導體芯片貼附在電路上，在芯片向上堆放時，在芯片和芯片之間使用一種稱為EMC的物質填充和粘貼的工藝。

到目前為止，在這個工藝中使用NCF技術。NCF是一種在芯片和芯片之間使用薄膜進行堆疊的方式。三星電子、SK海力士、美光半導體等DRAM廠商采用了NCF技術。SK海力士從第三代HBM-HBM2E開始采用這種方式。

當初，三星電子等競爭廠商預測是成功采用MR-MUF方式是不可能的。但是SK海力士PKG開發(fā)部門通過日本NAMICS公司獲得材料供應，并成功開發(fā)。據傳，三星電子等主要DRAM廠商聽到上述消息后，均感到無比震驚。據了解，三星電子目前也在研究MR-MUF方式。

業(yè)界某相關人士表示：“MR-MUF方式與NCF相比，導熱率高出2倍左右，不僅對于工藝速度，還是良率等都有很大影響。雖然現(xiàn)在仍處于初期階段，但是從明年開始，預計HBM3市場將正式擴大。”


三星電子如何將非導電膠（NCF）更改為模塑底部填膠（MUF）的具體技術細節(jié)是什么？

三星電子計劃將非導電膠（NCF）更改為模塑底部填膠（MUF）的具體技術細節(jié)包括：首先，三星將從非導電薄膜（NCF）過渡至模塑底部填膠（MUF）。NCF是一種在半導體之間形成一層耐用薄膜的方法，用于防止芯片輕易彎曲。而MUF技術則是SK海力士用于制造高帶寬內存（HBM）的技術，這表明MUF技術相比于NCF具有更高的技術要求和應用場景。因此，三星電子通過升級工藝，采用MUF技術，旨在實現(xiàn)更先進的封裝工藝，以提高芯片的封裝質量和性能。

三星電子新一代2.5D封裝技術"I-Cube4"的技術原理和應用前景如何？

三星電子的新一代2.5D封裝技術"I-Cube4"是一種異構集成技術，它能夠將一個或多個邏輯芯片（如CPU、GPU等）和多個內存芯片（如HBM）水平放置在硅中介層（Interposer）的頂部。這種技術不僅提高了芯片的集成度，還通過異構集成實現(xiàn)了更高效的性能和功耗管理。

應用前景方面，I-Cube4已經被正式投入商用，適用于HPC、AI、5G、云、數(shù)據中心等多個領域。這表明該技術具有廣泛的應用潛力，能夠滿足不同行業(yè)對高性能計算、人工智能、5G通信、數(shù)據中心存儲等方面的需求。此外，隨著摩爾定律面臨晶體管微縮物理極限和成本上升的挑戰(zhàn)，I-Cube4技術的推出有望為半導體產業(yè)提供新的發(fā)展方向和解決方案。

三星電子的"I-Cube4"封裝技術在技術原理上實現(xiàn)了高度集成化和異構優(yōu)化，其應用前景廣闊，特別是在推動高性能計算、人工智能、5G通信、數(shù)據中心等關鍵領域的發(fā)展中發(fā)揮著重要作用。

三星電子計劃推出的先進3D芯片封裝技術SAINT的技術細節(jié)和預期影響是什么？

三星電子計劃推出的先進3D芯片封裝技術SAINT，旨在通過將多個設備合并并封裝成一個電子設備的方式，提高半導體性能而無需通過超精細加工縮小納米尺寸。SAINT技術包括三種不同的技術類型：SAINT S、SAINT D和SAINT L，分別用于垂直堆疊SRAM存儲芯片和CPU、涉及處理器（如CPU和GPU）和DRAM存儲器的垂直封裝以及堆疊應用處理器（APs）。這些技術能夠將AI芯片等高性能芯片的內存和處理器集成在更小尺寸的封裝中。

預期影響方面，SAINT技術的推出預計將對半導體行業(yè)產生重大影響。首先，它將推動芯片集成度和性能的提升，特別是對于高性能芯片如AI芯片的需求增加。其次，由于3D封裝技術允許芯片之間對能源密集型數(shù)據傳輸?shù)男枨鬁p少，從而實現(xiàn)整體節(jié)能。此外，三星通過SAINT技術的投資，有望贏得NVIDIA和AMD等大客戶的青睞，這表明SAINT技術在技術上的先進性和市場潛力。最后，隨著SAINT技術的進一步發(fā)展和服務范圍的擴大，預期將提高數(shù)據中心AI芯片及內置AI功能手機應用處理器的性能。

三星電子計劃推出的SAINT技術，不僅在技術上具有創(chuàng)新，而且預期將顯著提升半導體性能，促進節(jié)能減排，并增強與主要客戶的合作關系，從而在全球半導體行業(yè)中占據更重要的地位。