近期，英特爾在 IFS Direct Connect 活動(dòng)前的采訪中確認(rèn)了 Clearwater Forest 至強(qiáng)處理器的結(jié)構(gòu)，揭示了其令人矚目的設(shè)計(jì)。據(jù)報(bào)道，Clearwater Forest 將由最多17個(gè)小芯片組成，保持最大288核設(shè)計(jì)，為第二代能效核至強(qiáng)處理器，預(yù)計(jì)于2025年推出，作為首代產(chǎn)品 Sierra Forest 的繼任者。

最新消息，Clearwater Forest 的多芯片結(jié)構(gòu)包括計(jì)算芯片、基礎(chǔ)芯片和I/O芯片，分別基于不同的制程技術(shù)。計(jì)算芯片最多12個(gè)，采用英特爾18A制程，其中包含能效核處理器核心?；A(chǔ)芯片最多3個(gè)，基于英特爾3制程，包含主緩存、穩(wěn)壓電路和內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)。而I/O芯片最多2個(gè)，基于英特爾7制程，與之前處理器上采用的I/O芯片相似。

值得關(guān)注的是，每個(gè)基礎(chǔ)芯片上將搭載4個(gè)計(jì)算芯片，并通過(guò)Foveros Direct 3D連接，展現(xiàn)了先進(jìn)的多芯片互聯(lián)技術(shù)。這種設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)在于提高芯片互連密度和帶寬，降低電阻，使得模塊化設(shè)計(jì)更加靈活。

在對(duì)Clearwater Forest的設(shè)計(jì)思路進(jìn)行解釋時(shí)，英特爾數(shù)據(jù)中心技術(shù)和尋路總監(jiān)埃里克?費(fèi)策指出，芯片中的非邏輯部分并未顯著受益于制程改進(jìn)，因此選擇了將SRAM緩存和高速I/O部分與邏輯部分分離。這一決策不僅考慮到了制程帶來(lái)的收益問(wèn)題，還解決了大型芯片的良率問(wèn)題。

此外，Clearwater Forest采用的18A制程使用了RibbonFET晶體管，帶來(lái)了更大的靈活性。費(fèi)策表示，RibbonFET晶體管相較于傳統(tǒng)的FinFET更具性能提升，因?yàn)槠淇梢酝ㄟ^(guò)改變晶體管的寬度實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的連續(xù)調(diào)整。

Clearwater Forest將采用Foveros Direct先進(jìn)封裝技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)使用銅與銅的混合鍵合，將焊接替代為更為高效的方式，顯著提高了數(shù)據(jù)傳輸速度。預(yù)計(jì)Clearwater Forest將擁有288個(gè)核心，IPC和效能方面將有顯著提升，而先進(jìn)的封裝技術(shù)也為英特爾提供了更大的緩存空間，有望在2025年推出。

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