全球前三大DRAM廠三星、SK海力士、美光全力搶攻AI用高頻寬記憶體（HBM）與新一代DDR5商機，無暇顧及DDR3、DDR4等成熟型產(chǎn)品，讓以DDR3、DDR4為主力產(chǎn)品的華邦、南亞科樂翻天，預期將出現(xiàn)供不應求盛況，報價看漲之余，還將喜迎新一波轉(zhuǎn)單與拉貨潮。

業(yè)界看好，三大DRAM廠不會再擴充成熟型DRAM產(chǎn)能甚至將生產(chǎn)線升級改為生產(chǎn)高頻寬記憶體與DDR5，將使得DDR3、DDR4供給大幅縮減，等于讓出相關市場，南亞科、華邦可乘勢擴大市占搶商機。

SK海力士25日即表態(tài)，今年將提高資本支出至7兆韓元，略多于去年的6兆韓元，將優(yōu)先投入高頻寬記憶體和其他策略性產(chǎn)品，并非DDR3、DDR4等成熟型產(chǎn)品，同時確保效率與限制市場干擾。

臺灣記憶體業(yè)者對國際大廠猛攻高階記憶體技術，逐步淡出成熟型產(chǎn)品樂觀看待。華邦總經(jīng)理陳沛銘認為，今年三大原廠產(chǎn)能配置不會放在DDR3與DDR4，估第2季到第3季，DDR3市場呈現(xiàn)供應平衡或略為供不應求，助攻價格走勢，對以DDR3為主力產(chǎn)品的華邦有利。

南亞科方面，現(xiàn)階段DDR3占比低于四成，DDR4占比則逾六成。南亞科目前部分產(chǎn)品正往DDR5移動，但留在DDR4的產(chǎn)品需求仍大，公司認為，三大記憶體廠朝DDR5發(fā)展趨勢明確，使得DDR4供給減少，預期今年DDR4有可能出現(xiàn)供不應求。

南亞科指出，現(xiàn)階段公司第一顆DDR5是16Gb產(chǎn)品，也正在設計第二顆DDR5 16Gb，第二顆DDR5會是高密度產(chǎn)品。


內(nèi)存產(chǎn)業(yè)價格趨勢

業(yè)內(nèi)人士指出，現(xiàn)在的內(nèi)存市場報價完全打破了過往的規(guī)則，沒有固定的價格模式，只有在發(fā)貨時才知道最新價格。在原廠出貨量嚴格受控的漲價氛圍中，最終產(chǎn)品價格勢必上漲，只有終端需求復蘇，才能支撐價格的持續(xù)上漲。

在這一輪內(nèi)存價格下跌周期中，價格已累計下降了50%。隨著原廠積極減產(chǎn)，控制供應量，現(xiàn)在的供需接近平衡，導致現(xiàn)貨價格開始回升，合約價也隨之上漲。預計到2024年第一季，DRAM和NAND的價格仍有18至23%的雙位數(shù)漲幅。

隨著第四季度客戶庫存去化接近尾聲，加上傳統(tǒng)旺季的拉貨效應，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的供需已接近平衡。產(chǎn)業(yè)界人士預測，未來市場走向?qū)⑷Q于兩個關鍵因素：一是各大原廠產(chǎn)能恢復的速度，二是實際需求的回升。

業(yè)內(nèi)人士觀察到，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的資本支出和供需比呈現(xiàn)負相關。當資本支出達到谷底，通常是內(nèi)存供過于求的高峰。目前，內(nèi)存大廠已限縮資本支出，預計本次下行周期即將結束。從2024年第二季開始，各廠有望進入獲利改善、產(chǎn)能利用率提升的階段。

美國市場研究公司Gartner預測，在內(nèi)存需求強勁復蘇的推動下，2024年將是半導體市場反彈之年，全球半導體營收預計年增17%。Gartner指出，由于供過于求和價格下跌，2023年全球內(nèi)存營收預計將年減38.8%，但預計2024年將迎來強勁復蘇，營收預計暴增66.3%。其中，2024年NAND型快閃內(nèi)存營收預計增長49.6%，DRAM營收預計增長88%。Gartner還預測，2025年全球半導體營收將年增15.5%，達到7210億美元。

世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會（WSTS）的最新預測報告顯示，由于生成式AI的普及和內(nèi)存需求的大幅回升，預計2024年全球半導體銷售額將達到5883.64億美元，同比增長13.1%，超過2022年的5740.84億美元，創(chuàng)下新的歷史記錄。

具體來看，WSTS預計2024年全球芯片銷售額將達到4874.54億美元，同比增長15.5%。其中，內(nèi)存銷售額預計從1203.26億美元上調(diào)至1297.68億美元，同比增長44.8%；邏輯芯片（包括CPU等產(chǎn)品）銷售額預計從1852.66億美元上調(diào)至1916.93億美元，同比增長9.6%。

隨著AI應用的擴散，服務器、機箱、散熱等部件需求激增。內(nèi)存模組作為的生成式AI重要應用，預計將率先受益。隨著聯(lián)發(fā)科和高通推出AI手機芯片，AI應用預計將進一步擴展到手機領域。預計明年不僅是AI服務器的大量出貨年，還將是AI PC和AI手機的元年，很大可能出現(xiàn)一輪十年難得一見的換機潮。預計明年AI PC、AI手機等各類AI應用將更加普遍，推動上游原廠的產(chǎn)能配置和新增投資都集中在HBM和DDR5，為產(chǎn)業(yè)帶來新一輪繁榮。

目前，各家DRAM大廠都在將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5，推動DDR4和DDR5加快進入黃金交叉點。預計到2024年第一季末，DDR5的出貨量將超過DDR4。隨著AI熱潮逐步擴大到PC、手機等終端應用，上游原廠的產(chǎn)能配置和新增投資將集中在HBM和DDR5。

盡管DDR4目前處于虧損出貨狀態(tài)，且原廠還有不小的庫存，但由于不再新增產(chǎn)能，預計2024年下半年可能出現(xiàn)短缺。內(nèi)存大廠的供給產(chǎn)出轉(zhuǎn)移，預計將為產(chǎn)業(yè)帶來新一波利好，未來2至3年將是內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的黃金時光。

值得注意的是，過去DDR3是工控內(nèi)存的主流，但2023年DDR4首次超過DDR3。預計DDR5將從2024年下半年開始進入工控應用。目前，工控應用中DDR3的比重達到20至30%，盡管內(nèi)存大廠的產(chǎn)能供應逐步減少，但終端需求也在逐漸減少。近期DDR3價格也出現(xiàn)了小幅上漲。為了推動工控客戶升級到入門級DDR4，一些內(nèi)存大廠曾將DDR4的價格降至與DDR3同等水平，但主流PC應用規(guī)格已轉(zhuǎn)向DDR5。盡管目前DDR3的庫存仍然較大，但未來隨著產(chǎn)能的轉(zhuǎn)移，市場的競爭壓力將逐步減輕。預計到2024年第一季，DDR3的合約價將可能回漲，甚至到第二、第三季可能出現(xiàn)供不應求的情況。


HBM和DDR5成為潛力增長市場

集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷表示，2023年全球存儲市場出現(xiàn)下滑，三星、SK海力士、美光等大型存儲芯片廠商必須通過減產(chǎn)才能消化現(xiàn)在行業(yè)當中的庫存。2023年底比較去年年底，最健康的情況是去庫存已經(jīng)達到成效。三星今年對DRAM做了大幅度減產(chǎn)，特別是第四季度，產(chǎn)能利用率降到70%以下。

據(jù)悉，2023年第四季度DRAM與NAND Flash合約價格將開始全面上漲，DRAM合約價格季漲約3%到8%。

吳雅婷表示，2024年預計DRAM的產(chǎn)能利用率上半年偏低，隨著均價的復蘇還有市場狀況的改善，下半年的時候會提高到13.2%，其中主要是DDR5和HBM產(chǎn)品的貢獻。

從行業(yè)應用來看，2024年PC、服務器、手機、圖形和消費電子對內(nèi)存的需求占比不同，但是服務器對內(nèi)存的需求占據(jù)市場14.8%，超越手機對內(nèi)存市場需求，成為市場供應的主流，真正對均價會產(chǎn)生影響的，主要以服務器需求DRAM為主。

HBM即為高帶寬存儲器，是一種基于3D堆疊工藝的DRAM內(nèi)存芯片，具有更高帶寬、更多I/O數(shù)量、更低功耗、更小尺寸等優(yōu)點。HBM已經(jīng)存在十年，在DRAM的整體頹勢之中，HBM卻在逆市增長。2023年開年后三星、SK海力士兩家存儲大廠HBM訂單快速增加，HBM3規(guī)格DRAM價格上漲5倍。

吳雅婷分析表示，目前高端AI服務器GPU搭載HBM芯片已成主流，預計2023年全球HBM需求量將增近六成，達到2.9億GB，占據(jù)DRAM整體營收的3%，但是2024年HBM供應量將會增長一倍，在整個DRAM營收中占比將達到9%。

DDR5在服務器和PC上的使用進程不如預期，DDR5的滲透率在DRAM占比不大。吳雅婷認為，HBM和DDR5明年可能都會爭奪原廠的工藝制程，根據(jù)現(xiàn)在行業(yè)客戶的需求，HBM3e將在2024年支持主要AI服務器需求，這也是AMD、亞馬遜和微軟向SK海力士獲取HBM3e樣本的原因。

終端產(chǎn)品出貨量來看，服務器需求DRAM的量2024年比較2023年會增加2.3%。手機對DRAM需求，2024年比較2023年會增加2.9%。PC對DRAM需求量2024年比較2023年會增加2.1%。