雖然中國芯片技術(shù)落后,但大部分軍事武器,性能已超美國
近日,有媒體報道稱,雖然在芯片工藝技術(shù)上,中國落后美國好幾代,但是在軍事武器上,中國大部分的性能已經(jīng)超過美國了。
比如先進的軍用無人機,以及戰(zhàn)斗機,先進導彈、火箭炮、海軍作戰(zhàn)艦艇等等,這些裝備已經(jīng)超過了美國,甚至俄羅斯的軍事專家瓦西里卡申稱,目前中國的軍事實力已超過了俄羅斯,成為世界第二軍事強國。
那么問題來了, 如今的武器裝備,都是靠高科技、靠芯片堆出來的,為何芯片技術(shù)落后,終端武器方面,卻能超過美國呢?
原因很簡單,那就是武器設(shè)備所需要的芯片,并不是越先進越好,而是夠用就行,反而越先進的芯片,抗干擾能力越差,穩(wěn)定性也不如成熟的芯片。
另外大家要搞清楚一個事實,那就是在武器裝備中,使用CPU、Soc這樣的通用綜合算力芯片其實是較少的,更多的使用的是ASIC、FPGA、ASSP這樣的的專業(yè)芯片。
因為對于武器裝備而言,并不需要進行多么復(fù)雜的計算,而是專注于執(zhí)行某一項特定的指令,芯片也就不需要綜合算力強,只要穩(wěn)定,能夠執(zhí)行它該執(zhí)行的指令即可。
所以ASIC、FPGA、ASSP這樣的的專業(yè)芯片,更為合適,這樣的專業(yè)芯片簡單成熟,工藝要求極低,甚至130nm+的工藝都夠用,同時運行穩(wěn)定。
比如俄羅斯的武器,很多基本不使用這些所謂的芯片,很多使用的是電子管等,一樣性能優(yōu)秀,可見對于武器裝備而言,芯片工藝,真不是那么重要。
此外,我們知道,先進工藝與成熟工藝相比,無非是晶體管密度高,功耗更低,面積更小,成本也低一些。
但對于武器而言,面積、功耗、成本并不是最重要的,如果真的堆性能,完全可以在成熟工藝下,將芯片面積做大,堆更多的晶體管進去,一樣可以實現(xiàn)高性能的。
舉個例子,在不考慮成本、芯片面積、功耗的前提之下,我們完全可以將65nm工藝的芯片,做到和5nm芯片一樣的性能,無非是面積大,功耗大而已。
所以說,芯片工藝的先進與否,真不是武器先進的關(guān)鍵因素,否則芯片技術(shù)落后的國家,在現(xiàn)代化戰(zhàn)爭背景之下,都沒有軍事力量可言了。
