眾所周知，隨著芯片工藝的不斷前進(jìn)，光刻機(jī)也是不斷的改進(jìn)，越來越先進(jìn)，越來越精密。

比如普通DUV光刻機(jī)，只能生產(chǎn)最低65nm的芯片，而浸潤式DUV光刻機(jī)，則能生產(chǎn)最低7nm芯片，EUV光刻機(jī)則能生產(chǎn)5nm及以下的芯片。

可以說芯片工藝，與光刻機(jī)是相互促進(jìn)的。

有了先進(jìn)的光刻機(jī)，才能生產(chǎn)先進(jìn)工藝的芯片。同時先進(jìn)工藝的芯片，又推動光刻機(jī)的發(fā)展。

按照專家們的說法，目前的EUV光刻機(jī)，理論上能夠制造2nm左右的芯片，而下代的EUV光刻機(jī)，理論上能夠制造1nm左右的芯片。

然后芯片工藝想要再進(jìn)前，則需要EUV繼續(xù)升級突破，或者換成另外的光刻機(jī)，那么問題來了，EUV光刻機(jī)之后，光刻機(jī)的發(fā)展會是朝哪里突破？

事實上，三十年來ASML的技術(shù)領(lǐng)路人，ASML的聯(lián)席總裁范登布林克就表示過，當(dāng)EUV光刻機(jī)出貨NA=0.55的High-NA EUV光刻機(jī)后，就無法再前進(jìn)了，這將是最后一代EUV產(chǎn)品。

為何這么說呢，因為從現(xiàn)有的技術(shù)來看，EUV光刻機(jī)前進(jìn)的三個方向，都已經(jīng)是絕路了，至少在范登布林克認(rèn)為，目前已經(jīng)是技術(shù)的極限，跨不過去了。

對于EUV光刻機(jī)而言，突破只能從三個方向去努力。

一個方向是將13.5nm波長的光源換成更小波長的光源，但是目前的實驗表明，波長再低，會被幾乎所有的材料吸收，必須通過反射鏡來反射，而經(jīng)過收集反射后，光損失會非常嚴(yán)重，無法收集到足夠的能量來進(jìn)行光刻。

第二個方向則是提高NA值，也就是數(shù)值孔徑，因為NA越大，收集和聚焦光就越多，但ASML認(rèn)為，達(dá)到0.55后，也無法提升了。

還有一個方向則是提高光刻工藝因子，從而提高光刻的分辨率，但ASML認(rèn)為，目前也達(dá)到了物理極限，供應(yīng)鏈們難有突破。

所以ASML認(rèn)為，當(dāng)NA推進(jìn)到0.55之后，EUV光刻機(jī)的發(fā)展，就達(dá)到了盡頭，前面就是絕路了，至于接下來會是什么樣的光刻機(jī)，ASML也沒想清楚。

也許需要林本堅當(dāng)初提出浸潤式光刻機(jī)這種顛覆性的思路，也許要換成其它類型的光刻機(jī)。不過ASML日前已經(jīng)宣布，聯(lián)席總裁溫寧克和范登布林克明年4月份退休，所以接下來突破的事，要交給他們的繼任者了。