11 月 29 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道，由于中國芯片制造公司和晶圓代工廠對(duì)光掩膜的強(qiáng)勁需求，光掩膜市場的緊缺情況并未緩解，預(yù)估 2024 年會(huì)出現(xiàn)價(jià)格上漲的情況。

報(bào)道指出包括日本的凸版印刷（Toppan）、美國的福尼克斯（Photronics）和大日本印刷（DaiNippon Printing）在內(nèi)，目前大部分光掩膜制造商產(chǎn)能利用率均在 100% 滿負(fù)荷生產(chǎn)。甚至部分中國芯片公司愿意額外支付費(fèi)用，以縮短交貨周期。

注：在集成電路領(lǐng)域，光掩模的功能類似于傳統(tǒng)相機(jī)的“底片”，在光刻機(jī)、光刻膠的配合下，將光掩模上已設(shè)計(jì)好的圖案，通過曝光和顯影等工序轉(zhuǎn)移到襯底的光刻膠上，進(jìn)行圖像復(fù)制，從而實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。

光掩膜在半導(dǎo)體芯片制造過程中扮演著不可或缺的角色，尤其是在先進(jìn)制程中，更為精密的電路圖案需要更多層的光掩膜來協(xié)助生產(chǎn)。比如，成熟的工藝可能需要 30 個(gè)光掩膜，而最新的先進(jìn)制程可能需要多達(dá) 70 到 80 個(gè)光掩膜來處理。

中芯國際目前采用 DUV 生產(chǎn) 7nm 芯片，相比較 EUV，DUV 需要更多光掩膜來實(shí)現(xiàn)多重電路圖案制造。

凸版印刷在其最新的季度財(cái)報(bào)（7 月至 9 月）中表示，預(yù)計(jì) 2023 年光掩膜的需求將持續(xù)增強(qiáng)。大日本印刷也在 4 月至 9 月期間的半年財(cái)報(bào)中對(duì)這一說法表示同意。

民生證券方競研報(bào)認(rèn)為，隨著我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)占全球比重的逐步提升，我國半導(dǎo)體掩膜版市場規(guī)模也逐步擴(kuò)大，國內(nèi)掩膜版行業(yè)的景氣度有望持續(xù)旺盛，廠商有望迎來業(yè)績的高速增長。

半導(dǎo)體光掩膜版的圖形尺寸、精度及制造技術(shù)要求不斷提高，高端光掩膜版國產(chǎn)化率僅為 3%。在光罩的制備上我國半導(dǎo)體掩膜版產(chǎn)業(yè)同樣面臨高端設(shè)備、材料被國外廠商壟斷的情況。

在光掩膜產(chǎn)業(yè)鏈，上游主要為設(shè)備、基板、遮光膜、化學(xué)試劑；中游為光掩膜制造；下游則是芯片、平板顯示、觸控、電路板等。

掩膜版國產(chǎn)替代需求迫切，我國大陸光掩膜廠商營收規(guī)模與海外龍頭廠商仍有較大差距。預(yù)計(jì)到 2028 年，我國掩膜版市場規(guī)模將達(dá)到 360 億元。

A 股公司中，路維光電已實(shí)現(xiàn) 250nm 制程節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體掩膜版的量產(chǎn)，掌握 180nm / 150nm 制程節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體掩膜版制造核心技術(shù)能力；清溢光電已實(shí)現(xiàn) 180nm 工藝節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體芯片掩膜版的客戶測試認(rèn)證及量產(chǎn)，正在開展 130nm-65nm 半導(dǎo)體芯片掩膜版的工藝研發(fā)和 28nm 半導(dǎo)體芯片所需的掩膜版工藝開發(fā)規(guī)劃。