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華為發(fā)布黃金動(dòng)力平臺(tái),碳化硅成最大助力!未來(lái)行業(yè)風(fēng)向標(biāo)

2023-11-17 來(lái)源:賢集網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 新能源汽車 碳化硅 半導(dǎo)體

近日,華為發(fā)布了一款具有革命性的DriveONE800V碳化硅黃金動(dòng)力平臺(tái),這款產(chǎn)品搭載高轉(zhuǎn)速電機(jī),提供超強(qiáng)的性能和駕乘體驗(yàn),無(wú)疑將為新能源汽車市場(chǎng)帶來(lái)一場(chǎng)革命。

這款DriveONE800V碳化硅黃金動(dòng)力平臺(tái)的交流異步電機(jī)擁有150kW的功率,智能輔驅(qū)算法可以在各種路況下發(fā)揮出超強(qiáng)的性能,提高18km的續(xù)航能力。無(wú)論是城市駕駛還是高速公路,都能讓你輕松應(yīng)對(duì)。

永磁同步電機(jī)也是這款平臺(tái)的亮點(diǎn)之一。它的功率高達(dá)215kW,采用扁線繞組和高壓SiC模組,達(dá)到行業(yè)最高的22000rpm轉(zhuǎn)速,高效率達(dá)到98%,處于行業(yè)領(lǐng)先水平。這意味著在駕駛過(guò)程中,你可以享受到更快的加速和更輕松的超車體驗(yàn)。



更令人驚喜的是,這款DriveONE800V碳化硅黃金動(dòng)力平臺(tái)的售價(jià)不到三分之一就能讓你享受超跑般的駕乘體驗(yàn)。這無(wú)疑是一個(gè)極具吸引力的選擇,無(wú)論是對(duì)于環(huán)保人士還是對(duì)于追求性能的車迷來(lái)說(shuō),都是一個(gè)不可錯(cuò)過(guò)的選擇。

華為DriveONE800V碳化硅黃金動(dòng)力平臺(tái)的發(fā)布,無(wú)疑走在新能源汽車技術(shù)的最前沿。它的高轉(zhuǎn)速電機(jī)、智能輔驅(qū)算法以及高效的永磁同步電機(jī)都展現(xiàn)了華為在新能源領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

隨著全球?qū)Νh(huán)保和可持續(xù)發(fā)展的重視,新能源汽車市場(chǎng)的前景越來(lái)越廣闊。而華為的這款DriveONE800V碳化硅黃金動(dòng)力平臺(tái),無(wú)疑將為這個(gè)市場(chǎng)帶來(lái)更多的可能性。


碳化硅與800V是“絕配”

碳化硅的崛起,跟汽車行業(yè)正在推進(jìn)的800V高壓平臺(tái)系統(tǒng)算是“絕配”。在800V高壓平臺(tái)趨近的趨勢(shì)下,行業(yè)預(yù)計(jì),未來(lái)幾年SiC功率元器件將隨著800V平臺(tái)的大規(guī)模上車進(jìn)入快速爆發(fā)階段。

為什么這么說(shuō)?因?yàn)椋?00V甚至更高水平的平臺(tái)上,原本的硅基IGBT芯片達(dá)到了材料極限,碳化硅則具備耐高壓、耐高溫、高頻等優(yōu)勢(shì),無(wú)疑是IGBT最佳的替代方案。

作為今年熱炒的第三代功率半導(dǎo)體材料,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)應(yīng)用在更高階的高壓功率元器件以及高頻通訊元器件領(lǐng)域,代表5G時(shí)代的主要材料。特別是碳化硅,可謂集“萬(wàn)千寵愛(ài)于一身”。

當(dāng)然,碳化硅面臨的一大挑戰(zhàn)是它高企的價(jià)格。而如何確保以碳化硅芯片實(shí)現(xiàn)的成本節(jié)約效益,蓋過(guò)碳化硅芯片較高生產(chǎn)成本這一不利因素,就成為當(dāng)下最重要的任務(wù)。

俗話說(shuō),榜樣的力量是無(wú)窮的,就像特斯拉所做的那樣——特斯拉數(shù)年來(lái)在功率控制芯片中使用碳化硅,效果是能量損失減少,造就更強(qiáng)大的發(fā)動(dòng)機(jī),提升續(xù)航里程,從TCO(總體擁有成本)的角度來(lái)講,單車成本反而下降了不少。



實(shí)際上,當(dāng)下SiC+800V大熱,說(shuō)不清是碳化硅成就了800V,還是800V成就了碳化硅,我們能確定的是,接下來(lái),碳化硅替代IGBT正在成為主流。

從價(jià)格方面來(lái)說(shuō),目前國(guó)際上SiC價(jià)格是對(duì)應(yīng)硅基產(chǎn)品的5~6倍,并以每年10%的速度下降。據(jù)預(yù)測(cè),隨著未來(lái)2~3年市場(chǎng)供應(yīng)加大,預(yù)計(jì)價(jià)格達(dá)到對(duì)應(yīng)硅基產(chǎn)品的2~3倍時(shí),由系統(tǒng)成本減少和性能提升帶來(lái)的優(yōu)勢(shì),將推動(dòng)SiC逐步替代硅基IGBT等產(chǎn)品。

按照《華爾街日?qǐng)?bào)》的報(bào)道,“研究者估計(jì),根據(jù)電動(dòng)車種類的不同,碳化硅相關(guān)技術(shù)可以幫助一輛車最終節(jié)約出750美元的電池成本。”也有人測(cè)算,最終使用SiC合計(jì)大約會(huì)產(chǎn)生約2000元左右的成本降低。不過(guò),碳化硅材料的成本要接近硅基材料,估計(jì)還要等幾年。

而碳化硅價(jià)格高的原因很簡(jiǎn)單,因?yàn)殡y造。碳化硅為什么那么難造?可以這么說(shuō),鉆石有多硬,它就有多硬。所以,碳化硅的制造成本在短期內(nèi)依然高企。


碳化硅廠商加速布局

電動(dòng)汽車800V高壓平臺(tái)的落地推動(dòng)車規(guī)級(jí)碳化硅快速發(fā)展。上述業(yè)內(nèi)人士指出,目前來(lái)看,800V高壓平臺(tái)有望成為未來(lái)SiC的核心應(yīng)用產(chǎn)品,得到功率器件廠商“前所未有”的重視。

800V的高壓系統(tǒng),需要800V—1200V的功率元器件支持。英飛凌、意法半導(dǎo)體、Wolfspeed、法雷奧、博世等功率器件廠商、汽車零部件一級(jí)供應(yīng)商(Tier1)與車企展開(kāi)深入合作,加速推進(jìn)高壓碳化硅架構(gòu)上車進(jìn)程。

英飛凌2021年6月上市電動(dòng)汽車逆變器碳化硅模組,應(yīng)用于現(xiàn)代汽車下一代800V電動(dòng)車型?;谠撃=M,現(xiàn)代汽車車輛續(xù)航里程提高5%以上。今年6月,英飛凌宣布推出適用于汽車應(yīng)用的新一代1200V CoolSiC MOSFET,與第一代產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品開(kāi)關(guān)損耗降低25%,在實(shí)現(xiàn)高頻操作的同時(shí),可縮小系統(tǒng)尺寸、提高功率密度。目前,該產(chǎn)品已被汽車充電系統(tǒng)供應(yīng)商科世達(dá)用于下一代車載充電機(jī)(OBC)平臺(tái)中。

意法半導(dǎo)體于2021年5月宣布,為電源模塊系統(tǒng)廠商塞米控的eMPack電動(dòng)汽車電源模塊提供碳化硅技術(shù),幫助其建立750V和1200V eMPack平臺(tái)。去年年底,意法半導(dǎo)體宣布推出新型碳化硅功率模組,并稱該模組將被現(xiàn)代集團(tuán)800V E-GMP電動(dòng)車平臺(tái)采用。今年3月,英國(guó)跑車制造商邁凱倫宣布已與意法半導(dǎo)體達(dá)成合作,下一代 IPG5 800V 逆變器將搭載由后者提供的1200V SiC MOSFET模塊。

Wolfspeed為Rhombus Energy Solutions提供1200V SiC MOSFET;博世基于碳化硅模塊,在乘用車方面推出扁線800V三合一電驅(qū)動(dòng)總成(電機(jī)+電控+減速器),并與江淮汽車在800V電驅(qū)、碳化硅逆變器展開(kāi)全方面合作;法雷奧新開(kāi)發(fā)出800V 碳化硅功率模塊,可提升5%的續(xù)航里程,同時(shí)減重約40%......



放眼市場(chǎng),車規(guī)級(jí)碳化硅領(lǐng)域仍由外國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位。但隨著國(guó)內(nèi)新能源汽車的快速發(fā)展,也吸引了一批國(guó)內(nèi)企業(yè)積極發(fā)力。比亞迪半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)、中國(guó)中車、三安光電、華潤(rùn)微電子、派恩杰、芯聚能等都在布局車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品。

根據(jù)CASA Research不完全統(tǒng)計(jì),2022年國(guó)內(nèi)至少有14家企業(yè)推出了超過(guò)217款碳化硅MOSFET,品種較2021年增加70%,耐壓水平提高到1700V。模塊技術(shù)方面,2022年,比亞迪推出1200V/1040A碳化硅模塊,功率再創(chuàng)新高,大量應(yīng)用于比亞迪熱銷車型。芯聚能1200V APD系列碳化硅模塊已搭載主驅(qū)逆變器上車過(guò)萬(wàn)臺(tái)。

對(duì)于國(guó)內(nèi)企業(yè)在800V 碳化硅器件上的進(jìn)展和挑戰(zhàn),三安光電副總經(jīng)理陳東坡表示:“對(duì)于碳化硅器件和模塊,如果要將系統(tǒng)電壓提升到800V,那么元器件應(yīng)推升到1200V,但是1200V碳化硅MOSFET器件,目前國(guó)內(nèi)還較為欠缺。再往上游看,襯底和材料部分,目前國(guó)內(nèi)4英寸的基本可以滿足,但如果要追求性價(jià)比,降低成本的話需要往6英寸甚至8英寸延伸,目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)和國(guó)外龍頭企業(yè)還有一些差距?!?/span>