存儲(chǔ)市場(chǎng)消費(fèi)電子應(yīng)用疲軟的環(huán)境下，HBM成為發(fā)展新動(dòng)能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴(kuò)產(chǎn)HBM的消息。


大廠積極布局HBM

近期，媒體報(bào)道三星為了擴(kuò)大HBM產(chǎn)能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國(guó)天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑及設(shè)備，用于HBM生產(chǎn)。據(jù)悉，三星計(jì)劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規(guī)模生產(chǎn)HBM，該公司已花費(fèi)105億韓元購買上述建筑和設(shè)備等，預(yù)計(jì)追加投資7000億-1萬億韓元。

此前，據(jù)三星電子副社長(zhǎng)、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人黃尚俊透露，三星已開發(fā)出9.8Gbps的HBM3E，計(jì)劃開始向客戶提供樣品。同時(shí)，三星正在開發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨。據(jù)悉，三星電子正開發(fā)針對(duì)高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的非導(dǎo)電粘合膜（NCF）組裝技與混合鍵合（HCB）等技術(shù)，以應(yīng)用于HBM4產(chǎn)品。

11月6日，美光科技宣布臺(tái)灣地區(qū)臺(tái)中四廠正式啟用。美光表示，臺(tái)中四廠將整合先進(jìn)探測(cè)與封裝測(cè)試功能，量產(chǎn)HBM3E及其他產(chǎn)品，從而滿足人工智能、數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算及云端等各類應(yīng)用日益增長(zhǎng)的需求。

稍早之前，美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra透露，美光計(jì)劃于2024年初開始大量出貨HBM3E。美光HBM3E目前正在進(jìn)行英偉達(dá)認(rèn)證，首批HBM3E采用8-Hi設(shè)計(jì)，提供24GB容量和超過1.2TB/s頻寬。公司計(jì)劃于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆疊。此前美光曾透露，預(yù)計(jì)2024年新的HBM將帶來「數(shù)億」美元的收入。


存儲(chǔ)賽道走出底部形態(tài)

AI人工智能行業(yè)今年快速擴(kuò)張，算力需求大幅提振之后，存儲(chǔ)需求水漲船高，全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在萬億之上，存儲(chǔ)器核心為DEAM和NAND。對(duì)于我們國(guó)產(chǎn)自主可控的芯片產(chǎn)業(yè)鏈而言，存儲(chǔ)領(lǐng)域的新一輪的國(guó)產(chǎn)替代在加速。

從存儲(chǔ)市場(chǎng)結(jié)構(gòu)上來看，DRAM一般是內(nèi)存，主要是運(yùn)行軟件，對(duì)應(yīng)PC電腦和服務(wù)器；NAND就是我們一般常說的物理存儲(chǔ)器，比如硬盤、U盤、刻錄光盤等，主要是做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。從市場(chǎng)規(guī)模來看，二者接近，都是是5000億RMB左右的規(guī)模，年化增速為10%。

對(duì)于當(dāng)下數(shù)據(jù)存儲(chǔ)賽道的情況，我們做出以下三點(diǎn)分析。

其一，目前是存儲(chǔ)器產(chǎn)品周期的底部，三季度看好存儲(chǔ)產(chǎn)品去庫完成，終端產(chǎn)品價(jià)格有望回暖。2022年存儲(chǔ)芯片，我們的市場(chǎng)銷售額達(dá)5938億元，預(yù)計(jì)2023年中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將逼近6500億元。

一季度，存儲(chǔ)器的價(jià)格實(shí)際是走弱的，終端手機(jī)與服務(wù)器出貨量下降，二者是強(qiáng)相關(guān)關(guān)系。消費(fèi)市場(chǎng)來看，顆粒價(jià)格觸底，然而海外經(jīng)濟(jì)周期疲弱，需求并未見到放量。6月份，老美有停止加息的預(yù)期，疊加全球各經(jīng)濟(jì)體會(huì)拿出更多刺激經(jīng)濟(jì)措施，本月各行業(yè)出現(xiàn)拐點(diǎn)的可能性較大。存儲(chǔ)器預(yù)計(jì)供需改善，但產(chǎn)能不足，存儲(chǔ)器進(jìn)入漲價(jià)周期可能性較大。

其二，自主可控2.0時(shí)代，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化替代加速，產(chǎn)業(yè)鏈也正在變遷之中。

再從市場(chǎng)結(jié)構(gòu)來看。DRAM賽道，三星、美光、海力士占據(jù)全球95%的份額，合肥長(zhǎng)鑫是我們的市場(chǎng)上最大的DRAM全產(chǎn)業(yè)鏈廠商。19納米DRAM目前量產(chǎn)穩(wěn)定，17納米處于研發(fā)之中，長(zhǎng)鑫是全球第四家可以生產(chǎn)20納米以下DRAM產(chǎn)品的廠商。但產(chǎn)品仍處于DDR4階段，與海力士10納米DDR5內(nèi)存相比仍有較大技術(shù)差距。但從中低端產(chǎn)品序列來看，國(guó)產(chǎn)替代再加速。

在外置硬件NAND賽道來看，三星、凱俠、海力士、西部數(shù)據(jù)、美光五家共占全球97%以上的市場(chǎng)份額。其中，三星一家獨(dú)大，其他四家平分秋色。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)是我們最大的NAND廠商，全球份額低于5%。目前全球先進(jìn)制程上，存儲(chǔ)器已經(jīng)開始規(guī)模量產(chǎn)232層NAND，美光是現(xiàn)在目前支撐產(chǎn)能最高的企業(yè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND已經(jīng)逐步趕上國(guó)際領(lǐng)先水平。但缺點(diǎn)也明顯，在存儲(chǔ)顆粒的穩(wěn)定性和接口速率方面，仍需加強(qiáng)。

其三，AI賽道中，HBM是技術(shù)核心。HBM實(shí)質(zhì)上是一種封裝工藝，這或?qū)⒊蔀橐粋€(gè)新的A股概念。HBM將通過3D堆棧工藝，讓DRAM與GPU緊密結(jié)合，而GPU是算力技術(shù)的核心芯片，進(jìn)而形成高性能的DRAM。

高帶寬的HBM3可以達(dá)到819GB每秒，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和調(diào)用速度大大加快，普通的DRAM僅為96G每秒的帶寬。因此，HBM是AI芯片的主流服務(wù)器，英偉達(dá)和AMD的架構(gòu)都大量采用了HBM存儲(chǔ)器。從終端來看，HBM3存儲(chǔ)器的價(jià)格已經(jīng)翻了5倍，是AI諸多硬件賽道中的漲價(jià)之王。


2024年市場(chǎng)需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3

當(dāng)前HBM市場(chǎng)以HBM2e為主，隨著原廠不斷發(fā)力，未來HBM3與HBM3e將挑起大梁。

集邦咨詢調(diào)查顯示，當(dāng)前HBM市場(chǎng)主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數(shù)CSPs自研加速芯片皆以此規(guī)格設(shè)計(jì)。同時(shí)，為順應(yīng)AI加速器芯片需求演進(jìn)，各原廠計(jì)劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e，預(yù)期HBM3與HBM3e將成為明年市場(chǎng)主流。

以HBM不同世代需求比重而言，據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3，需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，2024年市場(chǎng)需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3，而2024年將直接超越HBM2e，比重預(yù)估達(dá)60%，且受惠于其更高的平均銷售單價(jià)（ASP），將帶動(dòng)明年HBM營(yíng)收顯著成長(zhǎng)。