浸潤式光刻機之父:美國封鎖無用,中國大陸能造出5nm芯片
眾所周知,美國在本月再次升級芯片禁令,將大家最關(guān)注的浸潤式光刻機,也禁了。
理論上,浸潤式光刻機,雖然也是采用193nm波長的光源,但通過多重曝光之后,最高可以支持到7nm。
美國之所以禁了它,很多人猜測是被華為Mate60這款手機嚇住了,因為在禁令之下,中國居然能獨立搞出等效于7nm的芯片來,這是美國不能接受的,所以轉(zhuǎn)身又將浸潤式光刻機也禁了。
禁了浸潤式光刻機,我們的芯片產(chǎn)業(yè)怎么辦?無法再生產(chǎn)7nm芯片,再也無法進入7nm之下了么?
近日,臺積電前研發(fā)副總,浸潤式光刻機之父林本堅表示,美國是無法阻止中國大陸在先進制程芯片技術(shù)方面的進步,中國大陸可以利用現(xiàn)有設(shè)備,推進到5nm工藝。
其它人這樣說,可能大家覺得是在吹牛,但林本堅這樣說,意義卻不一樣的。
他不僅是臺積電前研發(fā)副總,更是浸潤式光刻機之父。當初尼康、佳能、ASML均在研發(fā)光刻機,大家在193nm波長的光源之后,有了分歧,尼康、佳能等要改進光源,采用154nm的,但這種光源非常不穩(wěn)定,很難搞。
而林本堅覺得,利用水的折射原理,將193nm波長光源,經(jīng)過水的折射后,就等效于134nm了,波長更短,同時還直接跳過154nm這個難搞的波長了。
尼康、佳能不相信他,堅持搞自己的154nm波長的光刻機。當時ASML還是小廠,反正也生存困難,不如陪林本堅賭一把,于是和臺積電配合,搞出浸潤式光刻機。
最后浸潤式光刻機非常成功,ASML占得先機,因此將佳能、尼康甩在了身后,奠定了自己光刻機老大的地位,最后現(xiàn)搞出EUV光刻機,佳能、尼康就徹底不是對手了。
可見,林本堅對光刻機技術(shù),芯片技術(shù)都是非常了解的,他認為我們基于現(xiàn)有設(shè)備,能夠繼續(xù)改進,然后推進到5nm,那么這很可能就會成為現(xiàn)實。
事實上,除了利用現(xiàn)有設(shè)備進行改進,推進到5nm之外,目前國產(chǎn)光刻機也在不斷的突破,這是兩條不同的線,任何一條線的前進,都能實現(xiàn)5nm這個小目標。
所以說,美國打壓,其實真的是沒有意義的,反而會逼著中國供應鏈崛起,最終擺脫對國外的依賴,甚至有可能讓國外的芯片設(shè)備廠商,徹底失去中國大陸這個市場。
那什么時候我們能搞定5nm?就讓時間來證明了,不知道那時候,美國還有何辦法可想?是不是就得放開,然后進行傾銷來打壓了?
