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DDR5成競逐焦點

2023-10-31 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
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關(guān)鍵詞: 人工智能 芯片 半導(dǎo)體

如今,無論是 PC、筆記本電腦還是人工智能,各行業(yè)正在加速向 DDR5 新紀(jì)元邁進(jìn)。今年,生成式 AI 市場蓬勃發(fā)展,用于大模型應(yīng)用的 AI 服務(wù)器大力推動了對 DDR5 的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖,內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第四季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能。



那么,DDR5究竟有哪些優(yōu)勢?以及它如何成為未來存儲市場的焦點?


DDR3、DDR4再到DDR5


在過去的十多年,DDR3內(nèi)存是服務(wù)器中常用的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),其時鐘頻率通常從800MHz到2133MHz不等,適用于小型企業(yè)和辦公環(huán)境等,隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步以及服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?nèi)存帶寬等提出更高的需求,DDR4登場。


相比DDR3,DDR4具有更高的頻率和帶寬、更大的容量以及更低的能耗。據(jù)悉,DDR4內(nèi)存的時鐘頻率通常從2133MHz開始,隨后逐步提高,達(dá)到3200MHz以上。這使得DDR4可以更好地服務(wù)于企業(yè)級服務(wù)器、科學(xué)計算和數(shù)據(jù)分析、高性能計算等領(lǐng)域。


然而現(xiàn)代應(yīng)用的復(fù)雜度在不斷提升,對計算能力的要求也越來越高。為了提高計算性能,無論是英特爾還是AMD,都將多核CPU視為重點。隨著核數(shù)增多,實際性能卻并非線性增長,限制性能發(fā)揮的原因之一,就是單核內(nèi)存帶寬的下降。受限于帶寬降低,應(yīng)用延遲就會增大、性能會降低,為進(jìn)一步提高內(nèi)存性能、降低功耗并增強數(shù)據(jù)完整性,DDR5應(yīng)運而生。


DDR5內(nèi)存的時鐘頻率通常在4800MHz以上,隨后又有了5600MT/s等更高標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存,未來DDR5的峰值將達(dá)到8800MT/s,DDR5的內(nèi)存提升幅度會很大。


此外,在架構(gòu)層面,DDR5 的芯片密度是DDR4的兩倍,結(jié)合新的芯片設(shè)計,這意味著DDR4內(nèi)存芯片的容量最高可達(dá)16GB,而DDR5芯片的容量最高可達(dá)64GB。


盡管DDR5提供了更高的頻率和帶寬以及更大的容量,DDR5卻能做到更省電。DDR4的工作電壓為1.2V,而DDR5的工作電壓下降至1.1V,功耗降低8%。


整體來看,DDR5可提供更高的效率、更大的容量卻只需要更低的能耗,因此備受市場青睞。


存儲三巨頭,DDR5爭鋒


在DRAM這個重要的存儲芯片細(xì)分領(lǐng)域,三星、SK海力士和美光是當(dāng)之無愧的佼佼者。


SK海力士在DDR5市場先聲奪人,于2021年10月推出了全球首款DDR5產(chǎn)品,發(fā)布產(chǎn)品的時間節(jié)點略微領(lǐng)先其他兩家廠商。今年5月,SK海力士宣布,已完成現(xiàn)有DRAM中最為微細(xì)化的第五代10納米級(1β)技術(shù)研發(fā),并向英特爾供應(yīng)使用該技術(shù)的服務(wù)器的DDR5產(chǎn)品,進(jìn)入數(shù)據(jù)中心的存儲器認(rèn)證流程。本次向英特爾供應(yīng)的DDR5產(chǎn)品,處理速度為6.4Gbps,與DDR5初期樣品4.8Gbps相比,提高了33%。同時,采用高介電常數(shù)金屬閘極(High-kMetalGate;HKMG)制程,與10納米級(1a)DDR5相比,耗電量降低20%,處理速度約提高14%。


三星是業(yè)界第一個“吃螃蟹的人”,率先將EUV處理技術(shù)成功應(yīng)用于DRAM 生產(chǎn)。2021年10月,三星宣布已開始量產(chǎn)基于EUV技術(shù)的14納米DRAM芯片。


今年5月,三星宣布開始量產(chǎn)12nm級16Gb DDR5,與上一代產(chǎn)品相比,三星的12納米級DDR5功耗降低了23%,晶圓生產(chǎn)率提高了20%,最高可支持7.2Gbps的速度。隨后在今年9月,三星又成功開發(fā)出2倍容量的32Gb DDR5產(chǎn)品,三星計劃在今年底量產(chǎn)32Gb DDR5內(nèi)存芯片。


比起三星和SK海力士,美光在EUV光刻的使用方面起步稍晚。或許是三星和SK海力士對于EUV光刻的追逐給美光帶來了一定壓力,美光如今也將EUV光刻技術(shù)用于DRAM發(fā)展。據(jù)了解,美光計劃從2024年開始,將EUV納入DRAM開發(fā)路線圖。今年5月26日,美光表示在中國臺灣中科新廠啟用后,將導(dǎo)入最先進(jìn)的EUV設(shè)備生產(chǎn)1α DRAM制程。


今年10月,美光宣布已將業(yè)界領(lǐng)先的1β制程技術(shù)應(yīng)用于16Gb容量版本的DDR5內(nèi)存。美光1βDDR5 DRAM在系統(tǒng)內(nèi)的速率高達(dá)7,200MT/s,現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及PC市場的所有客戶出貨。


在2023年過去的十個月,存儲市場經(jīng)歷了沉重的打擊,降價、減產(chǎn)和去庫存環(huán)繞著三大廠商,但是仔細(xì)觀察來看,這些動作似乎都聚焦在DDR4以及更成熟的存儲產(chǎn)品中,DDR5的影響似乎并不太大,反而各大廠商還在奮力推動DDR5的技術(shù)進(jìn)步。


據(jù)悉,目前服務(wù)器用DDR5 DRAM的大多由SK海力士供應(yīng),特別是主力產(chǎn)品64GB DDR5 DRAM、高效能產(chǎn)品128GB DDR5 DRAM。有分析指出,SK海力士DDR5產(chǎn)品良率較高,因而成功掌握DDR5初期市場。以10納米級第四代(1a)、14納米級(1a)為基準(zhǔn),SK海力士產(chǎn)品良率大多已達(dá)黃金良率95%。另外,也有部分產(chǎn)品良率接近90%,進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)。


新韓投資證券分析,在DRAM三巨頭三星、美光、SK海力士之中,SK海力士新一代制程(1β)發(fā)展進(jìn)度也較為領(lǐng)先,預(yù)計到2024年,SK海力士都可以在DDR5領(lǐng)域拿下市占冠軍寶座。


不過,僅憑SK海力士一家的DDR5產(chǎn)能是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。


各界押寶DDR5


根據(jù)Yole Developpement的報告顯示,從DDR4到DDR5內(nèi)存過渡將會非常迅速。DDR5內(nèi)存大規(guī)模應(yīng)用將在2022年從服務(wù)器和企業(yè)市場開始,到2023年,消費級的主流市場將廣泛采用DDR5內(nèi)存,無論是臺式電腦、筆記本電腦還是手機,都會充分利用新一代內(nèi)存技術(shù)。DDR5內(nèi)存在2023年出貨量會超越DDR4內(nèi)存,兩種內(nèi)存技術(shù)之間會快速過渡。


得益于服務(wù)器市場,2022年DDR5內(nèi)存的使用率將增加25%,到了2023年,DDR5內(nèi)存的市場份額會超過50%。2024年至2026年,隨著DDR5內(nèi)存全面被各個市場采用,DDR4內(nèi)存的市場份額將僅有5%。


面對海量市場的強勁需求,全球DRAM三巨頭美光、三星、SK海力士均已緊鑼密鼓地展開籌備,計劃在第四季度全面拉高DDR5產(chǎn)能。


據(jù)悉,在今年7月為主要機構(gòu)投資者和證券分析師舉行的私人企業(yè)簡報(IR)上,SK海力士預(yù)計其兩條產(chǎn)品線的規(guī)模將在2024年增長到兩倍以上。韓國投資證券分析師預(yù)計,由于DDR5需求高漲,拉動產(chǎn)品平均銷售單價,SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈,公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。


另一存儲巨頭美光之前也已透露,將加速向DDR5過渡。美光科技在9月末的財報會議上表示,正在出樣128GB DDR5內(nèi)存模塊,采用美光32GbDDR5內(nèi)存芯片。公司預(yù)計其DDR5出貨量將在2024年第一季度末超過DDR4,超過行業(yè)進(jìn)展速度。


三星也正在為明年可能出現(xiàn)的DDR5強勁訂單需求做準(zhǔn)備,計劃今年第4季度提高DDR5內(nèi)存產(chǎn)量。


除了押寶DDR5的存儲大廠外,英特爾、AMD等芯片大廠也正在全面擁抱DDR5技術(shù) 。


據(jù)悉,英特爾、AMD等PC平臺計劃明年推出新的平臺,進(jìn)一步推廣和普及DDR5內(nèi)存,吸引消費者從DDR4上升級。除了消費級市場之外,在服務(wù)器市場DDR5內(nèi)存也受到追捧。英特爾計劃在今年年底前推出第五代EmeraldRapids服務(wù)器平臺,加之未來AI服務(wù)器需求增加,DDR5內(nèi)存有望進(jìn)入高速增長期。


根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù),得益于英特爾MeteorLake處理器僅支持DDR5和LPDDR5,推動DDR5內(nèi)存的普及,有望在2024年下半年超過DDR4成為主流,因此DRAM平均容量預(yù)計增長12.4%。值得一提的是2022年5月AMD發(fā)布的Ryzen 7000也只支持DDR5,對于AMD來說,只支持DDR5無疑是一次大膽的嘗試,此舉也無疑將進(jìn)一步擴大DDR5內(nèi)存的需求,足以見得AMD押注DDR5的決心。


漲價號角已然吹起


根據(jù)TrendForce集邦咨詢發(fā)布數(shù)據(jù)顯示,2022年第四季DRAM全球營收122.8億美元,環(huán)比下降32.5%,跌幅甚至超越第三季的28.9%,已逼近2008年底金融海嘯時的單季36%跌幅,主要下跌原因是受DRAM產(chǎn)品平均價(ASP)下跌影響。


在存儲市場蕭條之際,DDR5也沒扛得住壓力,價格不斷走低。


TrendForce數(shù)據(jù)顯示,2022年第四季DDR4價格環(huán)比下降23%~28%;DDR5價格環(huán)比下降擴大至30%~35%。2023年上半年期間DDR5價格繼續(xù)下跌。


其實提高DDR5滲透率的最大障礙就是價格,造成DDR5內(nèi)存價格居高不下的罪魁禍?zhǔn)资请娫垂芾硇酒琍MIC,其價格比DDR4上使用的貴了足有10倍,而且供應(yīng)非常緊缺,漫長的35周采購周期,讓產(chǎn)業(yè)鏈不斷抬價,DDR5內(nèi)存的價格自然就水漲船高。


同時,DDR5的應(yīng)用需要CPU芯片的支持,目前已發(fā)布的可支持DDR5的CPU產(chǎn)品還比較少,這也是限制DDR5滲透的重要原因。但也有很多專家認(rèn)為,DDR5對產(chǎn)品性能、功耗等方面大幅度提升,隨著技術(shù)不斷成熟、成本持續(xù)降低,DDR5產(chǎn)品未來應(yīng)用領(lǐng)域?qū)^續(xù)擴張。


如今伴隨著DDR5來到價格甜蜜點,DDR5漲價的暖風(fēng)率先吹來。


市場研究公司DRAM Exchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,8月最新DRAM規(guī)格DDR5 16Gb(2Gx8)固定成交價平均為3.40美元,環(huán)比上漲7.26%。分析指出,由于供應(yīng)商在價格談判中態(tài)度強硬,需求方企業(yè)也接受了小幅提價。


此前中泰證券數(shù)據(jù)也顯示,7月DDR5模組合約價首次環(huán)比上漲,環(huán)比增幅在3%-4%之間。TrendForce表示,需求方因預(yù)期價格反彈,正在增加DDR5產(chǎn)品的庫存,預(yù)計第四季度DRAM固定交易價格將保持穩(wěn)定,但DDR5可能會小幅上漲,漲幅最高可達(dá)5%。


南亞科技總經(jīng)理李培瑛日前也于法說會上透露,目前DDR5價格已上漲,并看好DDR4、DDR3價格翻漲。


國產(chǎn)DDR5仍在路上


在行業(yè)加速發(fā)展的背景下,中國半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)也在快速發(fā)展。然而在DDR5 這條賽道,中國還需要面臨諸多阻礙。


目前中國眾多的內(nèi)存廠商,大都是從三星、SK海力士和美光這三家廠商中采購DDR5芯片顆粒,再找模組廠商購買內(nèi)存模組等,然后在工廠組裝成DDR5內(nèi)存條。這是因為我們自身還沒有DDR5顆粒的制造能力。


中國缺席DDR5顆粒的原因主要有兩方面:一方面是中國大陸半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)起步較晚,另一方面美國商務(wù)部的新一輪技術(shù)制裁,也精準(zhǔn)的打擊了中國正在迅速發(fā)展的存儲產(chǎn)業(yè)。


2022年,美國發(fā)布公告稱禁止16/14 nm邏輯制程、18 nm以下DRAM制程、128層以上3D NAND制程的機臺設(shè)備出口到中國。


近日,北京君正在接受機構(gòu)調(diào)研時表示:目前我們的DDR4、LPDDR4最新工藝是25納米,目前正在研發(fā)21nm的產(chǎn)品。我們目前還沒有進(jìn)行DDR5的研發(fā),這需要有非常先進(jìn)的制程,是美光這類IDM大廠做的,我們和美光的主要產(chǎn)品是差異化競爭的,短時間內(nèi)還是做DDR4、LPDDR4及以下的產(chǎn)品,但是我們會往更高容量去做。


這也意味著,18 nm以下DRAM制程設(shè)備的限制直接制約了國產(chǎn)DRAM公司的DDR5研發(fā)進(jìn)程。不過在DDR5的內(nèi)存接口方面,瀾起科技、聚辰股份等公司已經(jīng)取得一些成就。如今瀾起科技已推進(jìn)DDR5第二子代RCD芯片量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,并開展DDR5第三子代RCD芯片量產(chǎn)版本的研發(fā);聚辰股份與瀾起科技合作開發(fā)配套新一代DDR5內(nèi)存條的SP產(chǎn)品,為DDR5內(nèi)存模組不可或缺的組件。


綜合來看,雖然中國是全球最大的DRAM芯片消費國之一,但在DDR5顆粒制造方面,中國企業(yè)的技術(shù)積累尚不充分,因此難以實現(xiàn)自主制造。不過,中國在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展正在逐步提高。一些國內(nèi)企業(yè)正在加大科研投入,積極研發(fā)DDR5顆粒的制造技術(shù),并取得了一些進(jìn)展,國產(chǎn)DDR5攻堅之路或許不會太遠(yuǎn)。