眾所周知，前段時(shí)間，佳能官宣自己的FPA-1200NZ2C光刻設(shè)備，可以出貨了，這種光刻設(shè)備，采用的是NIL納米壓印技術(shù)，可以制造 5 nm 芯片。

一時(shí)之間，全網(wǎng)沸騰，大家都表示，這是繞開了ASML的EUV光刻機(jī)，能直接生產(chǎn)5nm芯片，是一個(gè)偉大的進(jìn)步，ASML接下來估計(jì)要哭了。

畢竟之前所有的芯片制造，進(jìn)入5nm時(shí)，必須使用EUV光刻機(jī)，而EUV只有ASML能夠制造，所以ASML是高端光刻機(jī)的王者，現(xiàn)在佳能攪局，讓大家不需要從ASML采購EUV光刻機(jī)，也能夠生產(chǎn)芯片，當(dāng)然對ASML影響最大。

且佳能還表示，這一代NIL納米壓印光刻機(jī)之后，佳能正在研究下一代，可以實(shí)現(xiàn)2nm的芯片制造，也不需要EUV光刻機(jī)。

當(dāng)然，業(yè)界對這個(gè)技術(shù)也比較質(zhì)疑，因?yàn)橹版z俠、SK海力等，與佳能合作過，搞過NIL納米壓印技術(shù)，還是在20多納米的時(shí)候，但那時(shí)候良率低，效率也低，現(xiàn)在進(jìn)入5nm，佳能搞定良率、效率等問題了么？

還有人質(zhì)疑，有了NIL納米壓印光刻機(jī)后，EUV光刻機(jī)真的可以扔了么？

但我告訴大家一個(gè)事實(shí)，那就是你使用NIL納米壓印技術(shù)來制造5nm芯片時(shí)，其實(shí)還離不開EUV光刻機(jī)。

NIL納米壓印技術(shù)的原理，很簡單，就像蓋章一樣，第一步先雕刻一個(gè)圖章出來，下一步拿這個(gè)圖章，直接印到硅晶圓上，就形成了電路圖。

只要這個(gè)圖章不磨損，就可以一直蓋章蓋下去，看起來確實(shí)簡單很多，原理也簡單。

但核心是這個(gè)圖章，你必須制造出和設(shè)計(jì)出來的芯片一樣大小，一樣圖案的圖章，然后才能蓋下去，如何制造這個(gè)圖章，才是真正的核心問題。

蓋章的過程示意

目前在NIL納米壓印技術(shù)生產(chǎn)線中，圖章的制造，還是采用EUV光刻機(jī)來制造，用EUV光刻機(jī)來雕版，制造成需要的圖章，然后再利用NIL納米壓印技術(shù)，拼命的往硅晶圓上蓋章，制造成芯片。

可見，在這個(gè)技術(shù)之下，EUV光刻機(jī)依然繞不過去，只是可能需求量沒那么大了，畢竟只需要制造前期的母版就行。

但要完全繞開EUV，似乎還不可行，并且這個(gè)NIL技術(shù)，可靠性怎么樣，效率怎么樣，良率怎么樣，與其它半導(dǎo)體設(shè)備的配合又怎么樣，還不清楚，所以大家別想著，有了這個(gè)NIL光刻機(jī)，EUV就不重要了，所以我們還是老老實(shí)實(shí)的，一步一步往前走，別想著繞道或偷懶，你覺得呢？