SiC在Tesla Model 3已有5年實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，證明其可用性。法新社

第三類半導(dǎo)體碳化硅（SiC）截至目前為止一直是歐、美IDM主導(dǎo)，IDM模式被視為是發(fā)展SiC的利基，因?yàn)槠渑c終端應(yīng)用客戶長期緊密合作。

隨著補(bǔ)助超過十年的中系廠，包括山東天岳、天科合達(dá)、同光、爍科、三安等具突破SiC長晶門檻潛力，恐讓缺料迎來反轉(zhuǎn)，更埋下整個(gè)SiC產(chǎn)業(yè)翻轉(zhuǎn)因子。

供應(yīng)鏈業(yè)者指出，國際IDM廠與車、工業(yè)應(yīng)用端關(guān)係緊密，地位短期不易因料源鬆綁而撼動(dòng)。市場也關(guān)注在SiC料源不再短缺后，誰將首當(dāng)其衝？

 

目前歐、美、日、韓在SiC產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)主可分為二類：一是料源往元件走。包括龍頭美國Wolfspeed、Coherent、南韓SK Siltron、日本羅姆（Rohm）等SiC料源四大天王具長晶優(yōu)勢，多數(shù)朝IDM模式發(fā)展。

二是元件往料擴(kuò)。包括英飛凌（Infineon）、意法（STM）、安森美（Onsemi）等IDM廠，雖與上述料源廠簽定長期購料合約，近幾年也投入SiC長晶自制來確保料源，唯英飛凌除外。

受到車廠積極導(dǎo)入SiC，這些業(yè)者間競合關(guān)係愈發(fā)明顯，不過料源廠仍不易拚過元件廠，因缺料而有極大機(jī)會(huì)與應(yīng)用端客戶合作；元件廠投入長晶自制，拚過料源廠的跡象也不明，但功率元件競爭優(yōu)勢仍得以維持。

 

業(yè)者認(rèn)為，主流6吋SiC晶片短期不會(huì)快速翻轉(zhuǎn)IDM廠在SiC領(lǐng)域的優(yōu)勢，因?yàn)榫皇瞧湟?；設(shè)計(jì)、晶圓、元件生產(chǎn)再到終端客戶的需求均至關(guān)重要。

目前SiC成本仍高出Si許多，鎖定在高壓、高電流及高溫的環(huán)境才能有效展現(xiàn)效益，因此車用、工業(yè)用為其前二大出?？凇DM與國際車廠間長期合作且關(guān)係緊密，未來5年的車款規(guī)格仍由它們掌控，地位不會(huì)因不缺料而受動(dòng)搖。

例如2018年Tesla的Model 3率先引入SiC，2023年卻預(yù)告將砍7成用料，一度引發(fā)熱議。有一說即是SiC對電動(dòng)車來說是全新用料，為安全起見會(huì)保留備用品（redundancy）。如今SiC在Model 3已有5年實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)證明其可用性，備用品已可減少。此類運(yùn)作節(jié)奏即出自IDM之手，新進(jìn)者沒有設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。

不過，6吋SiC晶片短缺有機(jī)會(huì)因中系廠大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，2024年迎來反轉(zhuǎn)，原本SiC長晶成效不彰者、將率先面臨挑戰(zhàn)。其中，上述歐美日SiC料源廠難享有過往優(yōu)勢，甚至面臨價(jià)格比拚。

其次是IDM功率元件廠近年購併的料源廠，恐有新一波考驗(yàn)。若競爭力不敵，IDM廠將加碼委外採購，自制比重將降低。

最后值得關(guān)注的是臺(tái)灣、中國專業(yè)長晶廠走向。臺(tái)灣SiC長晶有漢磊、環(huán)球晶、泛鴻海盛新、穩(wěn)晟，而臺(tái)系廠是否有與中系主流長晶廠力拚的優(yōu)勢？

另外，未被納入主流的中系廠，被預(yù)估出場的機(jī)率最大，因易受中國內(nèi)耗直接衝擊。

業(yè)者透露，SiC潛力可期，中國因?yàn)橥度胝弑娛懿?，其?shí)目前國際IDM廠向中國買SiC晶片的比例，可能比外界想像還多。

有趣的是，有些中系SiC晶片廠做的是純綷轉(zhuǎn)手貿(mào)易，因?yàn)樽陨砭a(chǎn)出有限，因此向中系同業(yè)買晶片、再賣給外資廠，以維持與客戶的關(guān)係。未來這種模式也可能因晶片供給大幅開出、通路更透明而被打破。