如今的消費(fèi)類(lèi)電源市場(chǎng)，要說(shuō)「幾乎人手一個(gè)氮化鎵快充充電器」并不過(guò)分吧？

從 2018 年前后開(kāi)始，氮化鎵快充充電器進(jìn)入國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，隨后便開(kāi)啟了第三代半導(dǎo)體材料功率器件的新王朝，充電器的發(fā)展坐上騰飛的火箭，在短短時(shí)間從內(nèi)到外煥然一新：體積越來(lái)越小的同時(shí)，功率越來(lái)越大，手機(jī)上的規(guī)格從最初的 5W，到現(xiàn)在早已超過(guò)百瓦。

這就是氮化鎵材料帶來(lái)的行業(yè)革新。發(fā)展了 5 年之后，時(shí)間來(lái)到 2023 年，移動(dòng)充電器市場(chǎng)也不再如昨日般沸騰，那么我們?cè)僬劦墸钟兄鯓拥男滤悸贰?/span>

先回顧 GaN 氮化鎵的優(yōu)勢(shì)

氮化鎵（GaN）是一種「寬禁帶」（WBG）材料，其禁帶寬度是硅的 3 倍多。禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場(chǎng)，更大的禁帶寬度可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度更高的器件結(jié)構(gòu)。

由于氮化鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。它可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng)，同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。

所以氮化鎵在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢(shì)在于高功率、低損耗與高頻率，這些特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。采用了氮化鎵的充電器，能在尺寸和重量減半的前提下，實(shí)現(xiàn)高達(dá)甚至是 3 倍的功率處理能力。

這就是為什么我們?cè)诙潭處啄陜?nèi)看到充電器發(fā)生翻天覆地變化的原因，氮化鎵帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)過(guò)于巨大，一時(shí)間快充市場(chǎng)規(guī)模迅速增長(zhǎng)，同時(shí)也加速了各路行業(yè)與廠(chǎng)商的內(nèi)卷。


氮化鎵器件有望持續(xù)放量

第三代半導(dǎo)體材料憑借其優(yōu)越性、實(shí)用性和戰(zhàn)略性，被許多發(fā)達(dá)國(guó)家已經(jīng)列入國(guó)家計(jì)劃，進(jìn)行全面部署，包括氮化鎵在內(nèi)的器件將成為發(fā)展主流。

氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈一般劃分為上游的材料即襯底和外延片、中游的器件和模組、下游的系統(tǒng)和應(yīng)用。從各環(huán)節(jié)來(lái)看，歐美日企業(yè)發(fā)展較早，技術(shù)積累、專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量、規(guī)模制造能力等方面均處于絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。

我國(guó)在自主替代大趨勢(shì)下，目前在氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均有所涉足，在政策支持下已在技術(shù)與生產(chǎn)方面取得進(jìn)步，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)相對(duì)聚焦中游，多家國(guó)內(nèi)企業(yè)已擁有氮化鎵晶圓制造能力。

此外，5G通訊的革命性轉(zhuǎn)變重塑了射頻技術(shù)產(chǎn)業(yè)，也為我國(guó)氮化鎵器件帶來(lái)重大的市場(chǎng)機(jī)遇。5G通訊基站是氮化鎵市場(chǎng)主要驅(qū)動(dòng)因素之一，氮化鎵射頻器件主要應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)通訊，占比到達(dá)49%。氮化鎵材料耐高溫、高壓及承受更大電流的優(yōu)勢(shì)使得射頻器件應(yīng)用在5G基站中更加合適。隨著國(guó)內(nèi)5G基站覆蓋率不斷上升，對(duì)氮化鎵射頻器件需求將更大。

此前，通過(guò)性能優(yōu)化、產(chǎn)能提升、成本控制之后，我國(guó)氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域逐漸站穩(wěn)了腳跟，成為主要驅(qū)動(dòng)力。未來(lái)，隨著下游新應(yīng)用規(guī)模爆發(fā)，以及氮化鎵襯底制備技術(shù)不斷取得突破，氮化鎵器件有望持續(xù)放量，將成為降本增效、可持續(xù)綠色發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。

“上車(chē)”競(jìng)爭(zhēng)力不斷提升

氮化鎵作為寬禁帶半導(dǎo)體的中流砥柱，具備高頻率、低損耗、抗輻射性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，可以滿(mǎn)足各種應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)高效率、低能耗、高性?xún)r(jià)比的要求。近幾年，隨著各大科研院所和領(lǐng)軍企業(yè)的不斷研究，氮化鎵技術(shù)在成本、良率和穩(wěn)定性上，都實(shí)現(xiàn)了優(yōu)化和改善。

特別是在車(chē)用功率器件領(lǐng)域，氮化鎵功率器件的市場(chǎng)份額一直保持穩(wěn)定增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)顯示，到2027年，氮化鎵功率器件的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到20億美元，而在2021年僅為1.26億美元，電動(dòng)汽車(chē)將成為氮化鎵功率器件的下一個(gè)增長(zhǎng)點(diǎn)，市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)2.27億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率將高達(dá)99%。

因此，氮化鎵也越來(lái)越受到汽車(chē)芯片大廠(chǎng)的青睞。近期，三星電子宣布，為了滿(mǎn)足汽車(chē)領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求，將進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng)，計(jì)劃在2025年，為汽車(chē)應(yīng)用、消費(fèi)級(jí)和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供8英寸氮化鎵晶圓代工服務(wù)；英飛凌宣布，以8.3億美元收購(gòu)氮化鎵功率半導(dǎo)體制造商GaN Systems，意在加強(qiáng)其氮化鎵產(chǎn)品組合，加速氮化鎵技術(shù)路線(xiàn)圖；德州儀器表示，將擴(kuò)大在日本福島縣會(huì)津工廠(chǎng)的氮化鎵晶圓產(chǎn)能。

隨著氮化鎵“上車(chē)”的速率不斷加快，競(jìng)爭(zhēng)力不斷提升，在部分電壓等級(jí)相對(duì)硅和碳化硅更具優(yōu)勢(shì)。

英諾賽科產(chǎn)品部高級(jí)副總裁孫毅表示，在650V電壓等級(jí)，氮化鎵相對(duì)于碳化硅具備更好的高頻特性，可以大幅提高終端產(chǎn)品的功率密度。目前主流的氮化鎵是硅基氮化鎵，整體相對(duì)碳化硅來(lái)講，成本的優(yōu)勢(shì)比較大，所以在650V這個(gè)等級(jí)來(lái)看氮化鎵相對(duì)于碳化硅在性能和成本都具備比較大的優(yōu)勢(shì)。

安世半導(dǎo)體副總裁Carlos Castro表示：“氮化鎵擁有更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。與硅解決方案相比，碳化硅車(chē)載充電器將成本降低了約13%，而氮化鎵則將系統(tǒng)成本降低了24%，而且可以大幅縮短新能源汽車(chē)的充電時(shí)間，以及減少電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)體積等?！?/span>

國(guó)際功率巨頭更是對(duì)碳化硅和氮化鎵通吃的布局態(tài)度。英飛凌去年投資20億歐元，在馬來(lái)西亞擴(kuò)展寬禁帶半導(dǎo)體的產(chǎn)能，就包括碳化硅和氮化鎵；今年3月，英飛凌更是將斥資8.3億美元收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司，以進(jìn)一步增強(qiáng)英飛凌在功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

集邦咨詢(xún)化合物半導(dǎo)體分析師龔瑞驕表示，氮化鎵在400V系統(tǒng)內(nèi)車(chē)載充電機(jī)的應(yīng)用中，可能與碳化硅材料形成競(jìng)爭(zhēng)，但因?yàn)榈壊牧显诟邏荷系木窒蓿?00V系統(tǒng)領(lǐng)域短期內(nèi)應(yīng)該不會(huì)有競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)生。據(jù)預(yù)測(cè)，到2025年左右，氮化鎵功率元件會(huì)小批量地滲透到低功率的OBC（車(chē)載充電機(jī)）和DC-DC（直流轉(zhuǎn)直流電源）中，2030年代工廠(chǎng)商會(huì)考慮將氮化鎵移入到逆變器。