分析機構(gòu)指出三星、美光、SK海力士已聯(lián)手調(diào)價，對NAND flash芯片漲價10%，顯示出他們在再次取得技術優(yōu)勢之后，開始重新掌握定價權，開啟漲價收割市場了，這與他們所說的技術升級而成本將下降形成了鮮明對比，可以說撕下了他們的遮羞布。

一、中國芯片技術反超推動存儲芯片降價

2022年中國的存儲芯片企業(yè)表示率先量產(chǎn)全球最先進的232層NAND flash存儲芯片，由此國產(chǎn)芯片取得了技術優(yōu)勢，同時國產(chǎn)存儲芯片的二期工程也在去年量產(chǎn)，依靠領先的技術優(yōu)勢以及成本優(yōu)勢，國產(chǎn)存儲芯片開始反擊美系芯片。

在國產(chǎn)存儲芯片的猛烈攻勢下，從去年中至今年上半年，全球存儲芯片的價格腰斬，這給予美系芯片造成巨大的打擊。美光首先出現(xiàn)虧損，今年一季度更是創(chuàng)下歷史最高的虧損紀錄，營收僅40億美元，虧損卻高達23億美元。

面對著虧損的業(yè)績，美光率先掛起免戰(zhàn)牌，美光對經(jīng)銷商表示不會再跟進降價。對美光予以重擊的還有中國對它的安全審查，這幾乎導致它喪失了中國的企業(yè)市場，由此它在中國市場取得的收入迅速從早年的170多億美元降低至如今的幾十億美元。

韓國存儲芯片同樣遭受重大打擊，韓國存儲芯片大約有六成出口至中國市場，隨著中國存儲芯片的舉起，國產(chǎn)存儲芯片大舉替代進口芯片，直接導致韓國對中國的芯片出口暴跌，今年初曾有數(shù)據(jù)指出韓國對中國的芯片出口下滑了四成，導致三星、SK海力士等韓國存儲芯片的庫存高漲，韓媒報道指三星的庫存芯片金額高達3400億元。

可以看出國產(chǎn)存儲芯片在技術和產(chǎn)能取得進展后，大舉搶占國內(nèi)市場，給美系芯片造成了巨大的打擊，在市場上競爭不過，于是美國采取了措施，限制芯片設備企業(yè)和材料企業(yè)給中國的存儲芯片企業(yè)供應相關的產(chǎn)品，導致中國的存儲芯片技術升級放緩。

二、美系芯片取得技術反超

近期消息指出三星、美光等都已研發(fā)成功300層以上的NAND flash，技術的升級讓同樣面積的存儲芯片可以提供更大的容量，本來如此做可以大幅降低存儲芯片單位成本，存儲芯片理應進一步降價。

然而近期他們卻聯(lián)手漲價，這次漲價10%，估計只是起點，在上一個存儲芯片繁榮周期，存儲芯片的價格曾上漲一倍以上，導致手機企業(yè)、PC企業(yè)叫苦不迭，而美系芯片企業(yè)的利潤卻是持續(xù)大幅增長，乃至倍增，賺得盆滿缽滿。

可以看出中國存儲芯片的競爭力下滑，讓美系芯片不再感受到壓力，沒有了競爭對手，這就讓美系芯片開始肆無忌憚的漲價。其實這已不是美系芯片如此做了，多年前他們就被歐盟和美國進行反壟斷調(diào)查，被罰款數(shù)億美元，證明了他們向來有聯(lián)手漲價的慣例。

美系芯片漲價，對中國的消費電子產(chǎn)業(yè)不利，中國是全球最大的存儲芯片采購國，中國生產(chǎn)了六成的PC、七成的手機，這些消費電子產(chǎn)品都需要大量的存儲芯片，存儲芯片漲價，顯然對中國制造不利。

這樣的事實說明國產(chǎn)芯片需要真正自立自強，如果沒有足夠的話語權，海外芯片企業(yè)就是肆無忌憚的漲價，從中國企業(yè)身上賺取更多的利潤，不過中國的存儲芯片已具有較強的技術基礎，而國產(chǎn)光刻機也已取得突破，相信國產(chǎn)存儲芯片的技術很快就會再次反超，美系芯片再次收割中國制造的愿望恐怕很難再次實現(xiàn)。