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中國(guó)大陸的臺(tái)積電誕生:幫華為量產(chǎn)7nm芯片,僅落后臺(tái)積電2代

2023-09-11 來(lái)源:科技專(zhuān)家
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關(guān)鍵詞: 芯片 臺(tái)積電 中芯國(guó)際

近日,隨著華為Mate60、MateX5系列手機(jī)銷(xiāo)售,其搭載的芯片成為了全球最火的話題。


而從華為大規(guī)模銷(xiāo)售這些手機(jī),很明顯可以看出來(lái),華為是徹底攤牌,不再低調(diào)了,直接向全世界表示,已經(jīng)突破了封鎖,美國(guó)是真的卡不住了。


而按照外媒的拆解分析,這顆芯片,其實(shí)是等同于7nm工藝的,且沒(méi)有EUV痕跡,意味著是用DUV光刻機(jī),經(jīng)多次曝光制造出來(lái)的。



至此,這顆芯片的出現(xiàn),也可以證明一個(gè)事實(shí),那就是中國(guó)大陸的廠商,也有了量產(chǎn)7nm芯片的能力,而目前全球也就只有4家晶圓廠有這個(gè)實(shí)力。另外三家分別是臺(tái)積電、三星、intel。


于是很多網(wǎng)友稱(chēng),這可以說(shuō)是中國(guó)大陸的臺(tái)積電誕生了,畢竟已經(jīng)進(jìn)入10nm以下,離的不算太遠(yuǎn)了。


當(dāng)然,如果從工藝制程來(lái)看,臺(tái)積電目前的工藝是3nm,其實(shí)較7nm工藝,也就兩代,因?yàn)橹虚g只隔了一個(gè)5nm了。而像三星也是3nm工藝,intel目前還處于7nm。



所以如果從工藝制程來(lái)看,中國(guó)芯確實(shí)有了非常大的突破,特別是在美國(guó)的封鎖之下,因?yàn)槊绹?guó)之前是想要卡死中國(guó)芯在14nm的,對(duì)14nm及以下的設(shè)備全部封禁了。


不過(guò),大家也要看到另外一個(gè)事實(shí),那就是從14nm進(jìn)入7nm,相對(duì)而言沒(méi)有想象中的那么難,因?yàn)槠渲凶钪匾墓饪虣C(jī),有解決辦法。


不管是28nm,還是14nm,或者7nm,都可以用浸潤(rùn)式光刻機(jī)來(lái)制造,通過(guò)多次曝光后,浸潤(rùn)式光刻機(jī),最多可以量產(chǎn)7nm芯片。



但要進(jìn)入5nm芯片,就完全不一樣了,以目前的技術(shù),要進(jìn)入5nm,需要用到EUV光刻機(jī),沒(méi)有另外的辦法。


而EUV光刻機(jī)目前國(guó)內(nèi)是買(mǎi)不到的,所以要進(jìn)入5nm,要跨過(guò)的檻更高,更難了。


但不管怎么樣,有了7nm芯片的量產(chǎn)能力后,全球可以說(shuō)90%的芯片都可以生產(chǎn)了,美國(guó)是真的卡不住了,而中國(guó)大陸真的也有希望誕生出一家“臺(tái)積電”。