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英特爾400億收購(gòu)案告吹,拿什么應(yīng)對(duì)晶圓代工挑戰(zhàn),還有后招?

2023-08-18 來(lái)源:賢集網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: 英特爾 半導(dǎo)體 芯片

8月16日,英特爾表示,由于未能及時(shí)獲得監(jiān)管部門(mén)的批準(zhǔn),英特爾公司已與高塔半導(dǎo)體(Tower)共同同意終止先前披露的收購(gòu)協(xié)議。為此,英特爾將向高塔支付3.53億美元的終止費(fèi)。

英特爾首席執(zhí)行官Pat Gelsinger表示:“我們的代工工作對(duì)于釋放IDM 2.0的全部潛力至關(guān)重要,我們將繼續(xù)推進(jìn)我們戰(zhàn)略的各個(gè)方面。我們正在很好地執(zhí)行我們的路線圖,到2025年重新獲得晶體管性能和功率性能的領(lǐng)導(dǎo)地位,與客戶和更廣泛的生態(tài)系統(tǒng)建立勢(shì)頭,并投資以提供全球所需的地理多樣性和彈性制造足跡。在這個(gè)過(guò)程中,我們對(duì)Tower的尊重與日俱增,未來(lái)我們將繼續(xù)尋找合作的機(jī)會(huì)?!?/span>



400億收購(gòu)案告吹

2022年2月15日,英特爾宣布與高塔半導(dǎo)體達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,英特爾將以每股53美元的現(xiàn)金收購(gòu)高塔半導(dǎo)體,交易總價(jià)值約為54億美元(約合人民幣400億元),遠(yuǎn)高于高塔半導(dǎo)體的總市值。

當(dāng)時(shí)交易雙方預(yù)計(jì),這項(xiàng)交易將在約12個(gè)月內(nèi)完成,即在2023年2月15日前完成。

根據(jù)各國(guó)的反壟斷法規(guī)定,只要收購(gòu)的雙方企業(yè)在本國(guó)內(nèi)有業(yè)務(wù),就需要當(dāng)?shù)胤磯艛嗖块T(mén)批準(zhǔn)。由于中國(guó)國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局在2023年2月15日尚未批準(zhǔn)該交易,因此,英特爾與高塔半導(dǎo)體宣布延長(zhǎng)了交易期限,將收購(gòu)交易期延長(zhǎng)至6月15日,之后又再次延長(zhǎng)到了美國(guó)加州時(shí)間8月15日24:00(北京時(shí)間8月16日15:00)。

據(jù)了解,高塔半導(dǎo)體是全球Top10的晶圓代工廠。TrendForce集邦咨詢的報(bào)告顯示,2021年第四季Tower營(yíng)收在全球晶圓代工市場(chǎng)位居第九名。除了在以色列、美國(guó)及日本設(shè)立共計(jì)7座制造工廠外,還與松下合資成立了TPSCo,還與意法半導(dǎo)體共享在意大利建立的一個(gè)300毫米制造工廠。其整體12英寸產(chǎn)能占全球約3%。其中,以8英寸產(chǎn)能較多,占全球8英寸產(chǎn)能約6.2%。制程平臺(tái)方面,Tower可提供0.8μm~65nm少量多樣化的特殊制程工藝,主要生產(chǎn)RF-SOI、PMIC、CMOS Sensor、discrete等產(chǎn)品,將助Intel在智能手機(jī)、工業(yè)以及車(chē)用等領(lǐng)域擴(kuò)大發(fā)展。

其中,Tower的SOI工藝在業(yè)內(nèi)頗具影響力,中國(guó)是其重要市場(chǎng)之一。

與此同時(shí),2021年3月,英特爾CEO帕特?基辛格公布了IDM 2.0戰(zhàn)略,同時(shí)成立英特爾代工服務(wù)事業(yè)部,希望重新將英特爾的制程工藝技術(shù)帶回到全球領(lǐng)先地位。在提升英特爾的全球制造能力的同時(shí),還重啟了晶圓代工業(yè)務(wù),計(jì)劃與臺(tái)積電、三星競(jìng)爭(zhēng)。

隨后,英特爾宣布將投資200億美元在美國(guó)興建晶圓廠,還推出10億美元基金建立代工創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)。

此次并購(gòu)是英特爾全球代工戰(zhàn)略的重要組成部分之一。此前,第全球四大晶圓代工廠格芯(Global foundries)也一度成為其“緋聞對(duì)象”。

正是由于這筆收購(gòu)在國(guó)際芯片產(chǎn)業(yè)鏈上有重大影響,因此需要多國(guó)反壟斷監(jiān)管部門(mén)的批準(zhǔn)。在過(guò)去19個(gè)月中,這筆交易通過(guò)了多個(gè)國(guó)家的反壟斷審查。近年來(lái),中國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)在國(guó)際重大并購(gòu)中的地位日益重要,報(bào)請(qǐng)中國(guó)反壟斷審查的國(guó)際并購(gòu)交易數(shù)量明顯增加。

從2021年開(kāi)始,市場(chǎng)監(jiān)督管理總局受理了多起與芯片有關(guān)的國(guó)際并購(gòu)案。以附條件通過(guò)的方式批準(zhǔn)了SK海力士收購(gòu)英特爾閃存業(yè)務(wù)、AMD收購(gòu)賽靈思、環(huán)球晶圓收購(gòu)德國(guó)世創(chuàng)公司等國(guó)際并購(gòu)。在更早之前,中國(guó)反壟斷監(jiān)管機(jī)構(gòu)曾否決了高通公司收購(gòu)恩智浦。



國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)格局已變

從2022年2月到2023年8月,盡管只經(jīng)歷了一年半時(shí)間,但國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)格局已經(jīng)發(fā)生了重要的變化。


首先是半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)衰退

對(duì)于2023年半導(dǎo)體全球市場(chǎng)趨勢(shì),各大分析機(jī)構(gòu)均下調(diào)了增長(zhǎng)預(yù)期。2023年2月,IDC預(yù)測(cè):受庫(kù)存調(diào)整及需求疲軟影響,2023年全球半導(dǎo)體總營(yíng)收將衰退5.3%。

IDC全球半導(dǎo)體與賦能科技研究集團(tuán)總裁Morales預(yù)估2023年全球半導(dǎo)體總營(yíng)收將年減5.3%,前三季度均較2022年有所減少,第四季有所增長(zhǎng)。其中,2023年物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)恐將衰退3.1%,數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)將下滑5.5%,儲(chǔ)存市場(chǎng)將衰退達(dá)23.8%。

晶圓代工方面,營(yíng)收表現(xiàn)將相對(duì)平穩(wěn),預(yù)估將小幅衰退1.8%。Morales表示,臺(tái)積電因在先進(jìn)制程技術(shù)具領(lǐng)先地位,表現(xiàn)可望優(yōu)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)水平。

Morales預(yù)估,2024年晶圓代工營(yíng)收可望增長(zhǎng)18.6%至1438億美元,2026年將逼近1947億美元規(guī)模。芯片代工廠商中芯國(guó)際也表示,2023上半年行業(yè)周期尚在底部,外部不確定因素帶來(lái)的影響依然復(fù)雜。


汽車(chē)電子市場(chǎng)已被幾大巨頭占據(jù)大部分市場(chǎng)

盡管汽車(chē)電子在這場(chǎng)半導(dǎo)體衰退中一枝獨(dú)秀,但這部分市場(chǎng)被ST、TI、瑞薩等歷史悠久的傳統(tǒng)巨頭鎖占據(jù)。

根據(jù)最新財(cái)報(bào),這幾大專(zhuān)供汽車(chē)電子市場(chǎng)的巨頭在半導(dǎo)體市場(chǎng)整體下滑的大環(huán)境下表現(xiàn)突出,市場(chǎng)繼續(xù)深化,技術(shù)和市場(chǎng)粘性進(jìn)一步加強(qiáng)。要想從中分一杯羹,越來(lái)越難。


中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)崛起

全球最大的新能源市場(chǎng)在中國(guó),毫無(wú)疑問(wèn),最大的汽車(chē)電子市場(chǎng)也在中國(guó),隨著美國(guó)的打壓,中國(guó)本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)化升級(jí)越來(lái)越深入,技術(shù)也越來(lái)越成熟。

同時(shí),中國(guó)半導(dǎo)體的成熟工藝也越來(lái)越成熟,產(chǎn)能越來(lái)越大,市場(chǎng)化成都越來(lái)越高。

而高塔的主業(yè)和優(yōu)勢(shì)恰恰就在這方面,因此,隨著中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起,高塔在這方面的優(yōu)勢(shì)將逐漸褪去。


發(fā)力先進(jìn)制程

好在,晶圓代工市場(chǎng)角逐中,英特爾還有其他“殺手锏”:先進(jìn)制程。這也是在AI、高性能計(jì)算風(fēng)靡全球的當(dāng)下,晶圓代工產(chǎn)業(yè)最為看重的“利器”。



近期,英特爾執(zhí)行長(zhǎng)Pat Gelsinger在財(cái)報(bào)電話會(huì)議表示,Intel 3工藝已于第二季達(dá)成缺陷密度(defect density)與效能(performance)里程碑,并釋出1.1版制程設(shè)計(jì)套件(PDK),預(yù)計(jì)將如期達(dá)成總體良率、效能目標(biāo)。

資料顯示,缺陷密度指的是制程中非預(yù)期因素,例如刮痕、光阻覆蓋不全等,對(duì)芯片質(zhì)量產(chǎn)生的負(fù)面影響區(qū)域,而制程的良率與缺陷密度相關(guān),通常晶圓廠會(huì)提供客戶一個(gè)D0值(平均缺陷密度),用來(lái)代表良率水平,數(shù)值越低,代表越好。

英特爾將在2024年上半年陸續(xù)發(fā)布采取3納米制程的Sierra Forest、Granite Rapids服務(wù)器處理器。目前來(lái)看,Intel 3工藝可能不會(huì)應(yīng)用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品,它更多針對(duì)數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品優(yōu)化。

先進(jìn)制程規(guī)劃方面,英特爾曾在2022年末透露,未來(lái)幾年內(nèi)投產(chǎn)包括Intel 4、Intel 3、Intel 20A、Intel 18A等在內(nèi)的先進(jìn)工藝。

除了英特爾外,臺(tái)積電、三星兩大晶圓代工龍頭以及新晉“玩家”Rapidus同樣在布局先進(jìn)制程。

三星晶圓代工計(jì)劃基于GAA的先進(jìn)制程技術(shù),為客戶在人工智能應(yīng)用方面的需求提供強(qiáng)大支持。為此,三星公布了2nm工藝量產(chǎn)的詳細(xì)計(jì)劃以及性能水平,計(jì)劃2025年實(shí)現(xiàn)應(yīng)用在移動(dòng)領(lǐng)域2nm工藝的量產(chǎn),于2026和2027分別擴(kuò)展到HPC及汽車(chē)電子。

臺(tái)積電目前規(guī)劃的3nm"家族"分別是N3、N3E、N3P、N3X、N3 AE,其中N3是基礎(chǔ)版;N3E是改進(jìn)版,成本進(jìn)一步優(yōu)化;N3P性能將進(jìn)一步提升,計(jì)劃2024年下半年投產(chǎn);N3X聚焦高性能計(jì)算設(shè)備,計(jì)劃2025年進(jìn)入量產(chǎn)階段;N3 AE專(zhuān)為汽車(chē)領(lǐng)域設(shè)計(jì),具備有更強(qiáng)的可靠性,將有助客戶縮短產(chǎn)品上市時(shí)間2~3年。

2nm方面,臺(tái)積電預(yù)計(jì)N2工藝將會(huì)在2025年進(jìn)入量產(chǎn)。臺(tái)積電介紹,在相同功率下,N2速度相比N3E提高15%,或者降低30%的功耗,密度為原來(lái)的1.15倍。

Rapidus則計(jì)劃2027年量產(chǎn)2nm,日前,Rapidus執(zhí)行長(zhǎng)小池淳義接受《日經(jīng)新聞》采訪時(shí)表示,正在尋找美國(guó)客戶,與蘋(píng)果、Google、Facebook、亞馬遜和微軟等國(guó)際公司討論。


結(jié)語(yǔ)

54億美元半導(dǎo)體交易案告吹,英特爾失去了高塔半導(dǎo)體助力,擠入全球前十甚至全球前二,可能需要該公司花費(fèi)更多努力或者更多時(shí)間去實(shí)現(xiàn)。不過(guò),對(duì)產(chǎn)業(yè)而言,晶圓代工領(lǐng)域接下來(lái)的劇情或許將更有懸念與看點(diǎn),先進(jìn)制程與晶圓代工版圖之爭(zhēng)將日益激烈,未來(lái)故事將會(huì)更加精彩。