在半導體行業(yè)普遍低迷的情況下，三星電子今年第一季度在全球存儲半導體市場保持了領(lǐng)先地位，而SK海力士的市場地位則出現(xiàn)下滑。市場研究公司Omdia近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星電子第一季度在全球DRAM市場保持領(lǐng)先地位，市場份額為42.8%，與上一季度持平。

具體到數(shù)據(jù)方面，三星電子第一季度DRAM銷售額同比下降61.2%至40.13億美元，環(huán)比萎縮25.2%。業(yè)績下滑主要歸因于半導體市場持續(xù)衰退趨勢，全行業(yè)減產(chǎn)導致銷售額下降和收入下降。相比之下，SK海力士第一季度DRAM市場份額下降了2.3%，從上一季度的27.0%降至24.7%。此外，SK海力士的行業(yè)排名從第二位下滑至第三位，被美國半導體制造商美光科技取代，后者以27.2%的市場份額穩(wěn)居第二位。

NAND內(nèi)存市場方面，三星電子同樣保持領(lǐng)先地位。盡管第一季度NAND閃存銷售額比去年同期下降了一半，達到29.9億美元，但三星電子的市場份額仍實現(xiàn)了0.4%的增長，達到34.3%。值得注意的是，NAND內(nèi)存市場的其他主要參與者包含了日本鎧俠（KIOXIA）（19.5%）、美國西部數(shù)據(jù)（Western Digital）（15.9%）和SK海力士（包括其子公司Solidigm）（15.1%）。SK海力士的NAND市場份額較上一季度的16.8%下降了1.7%，導致其行業(yè)排名從第三位滑落至第四位。

CNMO獲悉，在第二季度財報電話會議上，三星電子和SK海力士均透露了進一步減產(chǎn)的計劃，重點關(guān)注以NAND為中心的業(yè)務。


西數(shù)凱俠將合并，超越三星

多年以來，NAND芯片市場的霸主位置一直被三星所把持著，盡管海力士、美光、凱俠（原東芝存儲部門）也有不錯的表現(xiàn)，但和三星相比，還是有一定距離。不過現(xiàn)在市場格局似乎即將發(fā)生重大的變化。在經(jīng)過較長時間談判后，西數(shù)和凱俠即將達成合并協(xié)議，屆時西數(shù)將超越三星成為閃存芯片新的龍頭。

西數(shù)和凱俠的協(xié)議并不是簡單將兩家公司合并，而是分拆西數(shù)的NAND Flash存儲部門，然后將這個部門與鎧俠合并。之后西部數(shù)據(jù)的股東將控制合并后新公司略超過一半的股權(quán)，以達到控制公司的目的。目前相關(guān)的信息還處于保密狀態(tài)，只能等兩家公司合并后才能知道更多的細節(jié)，不過可以肯定的是，這次合并和過去的想的并非完全一樣，或者說并不是西數(shù)收購凱俠這么簡單。

據(jù)悉兩家公司在談判時，有建議是將由鎧俠的團隊來主導合并后新公司的經(jīng)營，不過西數(shù)的高管也將發(fā)揮相對的重要輔助作用。而就目前情況來看，盡管雙方談判進展順利，但距離最終協(xié)議敲定可能還需要一段時間。而且，期間可能會改變主意，甚至最終未能達成任何協(xié)議而告終。不過由于談判已經(jīng)進行了很久，而且現(xiàn)在雙方都有合并的意愿，所以談判告吹的可能性會比較小。

從我們了解的情況來看，合并后的新公司將采用雙重董事會制度，兩家閃存芯片制造商的高層都將是成員。新公司總部將設(shè)在日本，并預計分別在美國那斯達克以及東京上市。同時，鎧俠的主要投資者貝恩資本還將獲得特別股。先前有消息表示，鎧俠將對合并后的公司出資43%、西數(shù)出資37%，余下20%股權(quán)將由東芝等現(xiàn)有股東持有，不過目前這個股份份額還沒有得到確認，也可能會是西數(shù)出資更多。

截至2023年第一季為止，鎧俠在NAND Flash市場占21.5%的市占率，而西數(shù)則是15.2%的市占率。另一方面，三星同期市占率上為34%。因此，鎧俠和西數(shù)的NAND Flash部門合并后，其市占率將成為全球最大，擁有超過36.7%的市占率。這樣三星將會下滑到全球第二，這對三星來說還是有不小的壓力。

不過現(xiàn)在閃存芯片市場并不好過，SSD價格一直下滑，智能手機銷量也很慘淡，所以這導致閃存整個行業(yè)的業(yè)績低迷。凱俠和西數(shù)都鎧俠借由這次合并來提高營運效率，而且如果能保持現(xiàn)在的市場份額，未來也能在NAND市場上獲得更多的話語權(quán)以及合作伙伴。另外如果能對三星一些阻力，對于市場來說，可能利大于弊。


行業(yè)吹響復蘇號角

HBM是當下數(shù)據(jù)處理速度最快的DRAM產(chǎn)品，是基于3D堆疊工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將多個DDR芯片堆疊后與GPU封裝在一起，能夠?qū)崿F(xiàn)更高帶寬、更高位寬、更低功耗、更小尺寸。最新財報顯示，存儲芯片DRAM三大龍頭SK海力士、三星和美光業(yè)績端開始反彈。三星電子23Q2由于智能手機出貨量下降而營收下降，但存儲業(yè)務較上一季度有所改善，官方稱主要是由于公司專注于HBM和DDR5產(chǎn)品；SK海力士在截至6月30日的一個季度中，其銷售額為7.31萬億韓元（約57億美元），同比下降47%，但超出分析師預計的6.05萬億韓元。雖然目前HBM在SK海力士的營收占比不及1%，但今年這一比例便有望上升至10%；美光23Q2業(yè)績結(jié)束連續(xù)三季度的下降迎來反彈，此外，中國臺灣地區(qū)原廠月度業(yè)績亦連續(xù)環(huán)比改善。

天風證券潘暕7月17日發(fā)布的研報指出，近期存儲芯片利好頻傳拐點或已現(xiàn)，復蘇號角似乎已在耳畔。從歷史周期維度看，存儲行業(yè)周期約為3-4年，本周期自2020Q1起始，于2022Q1價格階段性見頂，目前已連續(xù)6個季度降價，處于周期筑底階段。

價格方面，今年Q2起，多家供應商發(fā)出觸底信號。先是三星和美光向經(jīng)銷商發(fā)出通知，不再低價接單DRAM及NANDFlash，拒絕接受低于4月的報價。5月份，有消息稱長江存儲原廠閃存正式開始漲價3-5%幅度后，三星電子、SK海力士等正在考慮提高報價。6月下旬，供貨商中僅三星愿意進行cSSD（消費級固態(tài)硬盤）提前交易，經(jīng)銷商希望供貨商讓步但都遭拒絕。

潘暕指出，供給需求端，6月美光公布預計減產(chǎn)到2024年，早前2022Q4各原廠大幅削減資本開支，如果按正常生產(chǎn)周期3-4個月來看，供給有明顯收縮減產(chǎn)效果將在Q2、Q3加速顯現(xiàn)。南亞科表示公司在部分應用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單。華邦近期消費電子、電視、物聯(lián)網(wǎng)等三大應用客戶需求回溫，工控相關(guān)接單也持續(xù)發(fā)燙，客戶急單涌入，而且“量也不少”。

此外，空間端，短期來看23Q2起存儲芯片規(guī)模或?qū)⒅鸺驹鲩L，長期來看AI催化下存儲需求有望數(shù)倍提升。地緣政治端，海外大廠逐步退出利基市場，美光事件加速本土替代。

超導技術(shù)或顛覆存儲革命

室溫超導材料獲得突破，這將徹底改變材料科學領(lǐng)域的格局。近日，中國科學家取得了室溫超導材料研究的重要突破，成功合成了一種能在室溫下表現(xiàn)出超導性的材料。這項突破性研究讓人們對未來超導材料應用的可能性充滿了期待。

超導材料的特殊性質(zhì)使得電流能夠在其內(nèi)部同步流動，幾乎沒有能量損耗。然而，過去的研究都是圍繞在極低溫條件下才能實現(xiàn)的超導材料展開的。而室溫超導材料的發(fā)現(xiàn)，可謂是科學界的一大突破。它意味著我們不再需要耗費大量的能源來維持低溫環(huán)境，就能夠?qū)崿F(xiàn)超導效應。這一突破將極大地推動超導技術(shù)在能源傳輸和儲存領(lǐng)域的應用。

此外，國產(chǎn)量子芯片技術(shù)也在商用化進程中取得了加速。量子芯片作為新一代計算技術(shù)的代表，其超強計算能力可望在人工智能、密碼學和材料科學等領(lǐng)域發(fā)揮巨大的潛力。當前，全球量子芯片研究正處于白熱化的競爭中，而中國在該領(lǐng)域的發(fā)展勢頭迅猛。

隨著國產(chǎn)量子芯片技術(shù)的商用化，中國在芯片領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢不斷增強。中國的芯片產(chǎn)業(yè)鏈不斷完善，從材料研發(fā)到設(shè)計制造、封裝測試再到應用拓展，已經(jīng)形成了具有自主研發(fā)和生產(chǎn)能力的完整產(chǎn)業(yè)鏈。不僅如此，中國的芯片技術(shù)已經(jīng)具備了特定場景下的應用能力，有望獲得更多市場份額。

面對室溫超導材料獲得突破和國產(chǎn)量子芯片技術(shù)的商用化加速，人們不禁想到了“中國芯”的崛起。中國科技實力的提升和創(chuàng)新能力的增強，使得中國在全球科技領(lǐng)域的地位不斷攀升。中國的科學家們正在為人類社會的進步做出重要貢獻，他們的努力和成果將不再被忽視。

可以預見，隨著室溫超導材料和量子芯片技術(shù)的商用化，中國在材料科學和半導體領(lǐng)域的影響力將進一步擴大。中國將成為全球芯片技術(shù)的領(lǐng)頭羊之一，不僅在國內(nèi)市場有著巨大的發(fā)展空間，也在國際市場上有著不可忽視的影響力。