7月20日，晶圓代工廠商龍頭臺積電正式公布了2023年第二季財報。

數(shù)據(jù)顯示，今年二季度臺積電合并營收約新臺幣4808.4億元（約合人民幣1110.4億元），同比下滑10%，環(huán)比減少5.5%；稅后凈利潤約新臺幣1818億元（約合人民幣419.8億元），同比下滑23.3%，環(huán)比下滑12.2%。

營收、利潤雙雙下滑，臺積電的業(yè)績并不樂觀。臺積電財務長黃仁昭表示，由于全球經濟環(huán)境的影響，第二季的業(yè)務受到了影響，市場需求減弱，客戶持續(xù)進行庫存調整。

臺積電預計，第三季度銷售額167億-175億美元，環(huán)比增長6.5%-11.6%，平均增長9.1%，低于市場預期約一成。

下調今年營收預期

據(jù)報道，臺積電還意外下調 2023 年了營收預測，向投資者發(fā)出了警告，盡管人工智能發(fā)展蓬勃發(fā)展，但全球電子產品低迷可能會持續(xù)一段時間。盡管華盛頓堅持減少全球對亞洲設施的依賴，但美國的延遲——由于美國缺乏熟練工人和成本膨脹的結果——凸顯了在美國生產芯片的困難。

臺積電預計，公司今年的銷售額將下降 10%，而之前的指導為個位數(shù)下降。高管們還警告投資者，要降低對訓練人工智能模型芯片熱潮的預期，并表示尚不確定 ChatGPT 帶來的需求激增是長期的還是可持續(xù)的。包括臺積電主要設備供應商之一 ——ASML Holding NV 在內的芯片公司股價在歐洲下跌。

該公司董事長劉德音在電話會議上對分析師表示：“人工智能需求的短期狂熱絕對不能推斷為長期的。” “我們也無法預測明年突然出現(xiàn)的需求將如何持續(xù)或趨于平緩。”

在談到對未來走勢的看法時，臺積電總裁魏哲家直言，大趨勢比我們先前預期弱（Macro is weaker then what we thought），比如中國大陸經濟復蘇比預期慢、終端需求不佳也持續(xù)，AI雖然是很強勁但大環(huán)境的趨勢仍不能完全彌補這些，庫存調整到什么時候是個好問題，一切都要看經濟因素。

魏哲家說，經濟前景比我們預期地來的疲弱，通膨因素也持續(xù)，這議題All about the macro，除了AI以外所有客戶也全面更謹慎在管控下半年庫存，IC設計庫存今年會陸續(xù)更健康但他們仍持續(xù)管控，至于2024年也看大環(huán)境。


AI芯片未來五年將占營收10％以上

從具體業(yè)務類型來看，高性能計算（HPC）業(yè)務依舊占營收大頭。二季度，高性能計算（HPC）業(yè)務占臺積電總收入的44％，環(huán)比下降5％，相較于上季度14％的下滑有所改善。

據(jù)了解，臺積電定義的HPC領域包含CPU、GPU和AI加速器，主要大客戶有英偉達、AMD、蘋果等。臺積電HPC業(yè)務開發(fā)主管曾表示，預計未來至少到2025年HPC都將持續(xù)為最強勁增長平臺。

智能手機業(yè)務依舊萎靡，收入占比33％，環(huán)比下滑9％。而在去年同期，智能手機業(yè)務占比仍有38%。

由于手機市場的不斷下滑，包括臺積電在內的上游芯片廠商也受到了較大影響。去年一季度臺積電高性能計算（HPC）首次超過了智能手機業(yè)務，當時兩者占收入的比例分別為41%和40%。

此外，物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務下降11%，占比8%。汽車業(yè)務增長3%，占比8%。DCE（數(shù)據(jù)通信設備）業(yè)務增長較為迅速達到25%，但占整體收入的比例仍然較小，僅有3%。

AI芯片需求的增長，將如何影響臺積電的業(yè)績表現(xiàn)，是行業(yè)關注的焦點。

就在7月20日的2023年世界半導體大會上，華為公司董事、首席供應官應為民表示，國內人工智能（AI）芯片需求與年初相比，在半年時間里增長了10倍以上。

不過臺積電執(zhí)行長魏哲家表示，雖然最近觀察到人工智能相關需求的增長，但在下個季度仍不足以抵消業(yè)務損失。

“AI需求未來五年內有接近50%的年復合成長率，并占收入的低十位數(shù)百分比（11%至13%）?！睆拈L遠來看他認為人工智慧相關需求的增加對臺積電來說是正面的趨勢，生成式AI需要更高的運算能力，無論是使用CPU、GPU還是AI加速芯片等，都需要先進的技術和強大的晶圓代工設計生態(tài)系統(tǒng)。

此外在計算需求的大規(guī)模結構性增長背景下，臺積電預計HPC將成為未來幾年長期增長的主要引擎和最大增量貢獻者。


海外工廠進展如何？

臺積電說，在美國亞利桑那州正在建造第一期晶圓廠，提供美國最先進的半導體技術進行量產，以支持對美國半導體基礎設施的需求。在亞利桑那州的晶圓廠當時依據(jù)非常積極的時程規(guī)劃，自2021年4月開始興建，現(xiàn)在正進入處理和安裝最先進及精密設備的關鍵階段。然而，我們正遇到一些挑戰(zhàn)，能在半導體設施中熟練地安裝設備的專業(yè)人員數(shù)量不足。

劉德音也說，臺積正在努力改善此一情況，包括從臺灣調派經驗豐富的相關專業(yè)人員，以在短時間內培訓當?shù)丶夹g員工。我們預期N4制程技術的量產時間將推遲至2025年。

劉德音也說，在日本，我們正在興建一座特殊制程技術的晶圓廠，該晶圓廠將采用12/16納米和22/28納米制程技術，并按照進度有望于2024年末進入量產。

此外，劉德音也說，在歐洲正在與客戶和伙伴接洽，根據(jù)客戶需求和政府的支持水準，評估在德國建立專注于車用技術的特殊制程晶圓廠的可能性。而在中國正依計劃在南京擴展28納米制程技術的產能，持續(xù)恪守所有規(guī)章制度支持當?shù)乜蛻簟Ｍ瑫r，臺積公司繼續(xù)在臺灣投資并擴大產能，以支援客戶成長。

從成本角度來看，劉德音也說，海外晶圓廠的起始成本高于臺積公司在臺灣的晶圓廠，包含供應鏈因素、勞工因素等，但公司爭取最大補助并希望增進客戶信賴，在地緣政治因素下來增加股東權益與客戶信賴。

臺積電也解釋海外成本較高因素，包含1）晶圓廠規(guī)模較?。?）整體供應鏈的成本較高；3）與臺灣成熟的半導體生態(tài)系相比，海外的半導體生態(tài)系尚處于早期階段。

臺積電強調，在最近與美國、日本和歐洲政府的會議中，我們就臺積公司拓展全球制造足跡的計劃進行了討論。臺積公司在會中也強調，我們的責任是管理及最小化成本差距，以最大化股東回報。這些討論的進展順利，各方都明白臺積公司在半導體產業(yè)中扮演著重要且不可或缺的角色，我們感謝所有政府的持續(xù)支持，與臺積公司通力合作，協(xié)助縮小成本差距。我們將繼續(xù)與各國政府密切合作，以取得他們進一步的支持。

競爭如何呢？

在臺積電第一季度財報電話會議上，CEO魏哲家詳細介紹了其3 nm和2 nm工藝節(jié)點的時間表和進展情況。

重要的是：

N3P計劃于2024年下半年投入生產，將進一步增強N3E的性能。與N3E相比，在相同漏電情況下，N3P速度提升了5%，相同速度下功耗降低了5-10%，芯片密度增加了1.04倍。

N3X優(yōu)先考慮高性能計算應用的性能和最大時鐘頻率。在1.2V的驅動電壓下，與N3P相比，N3X速度提升了5%，芯片密度與N3P相同，并將于2025年開始大規(guī)模生產。

N3AE，也稱為“Auto Early”，預計于2023年推出，基于N3E提供了用于汽車應用的工藝設計工具包（PDK），允許客戶在3 nm節(jié)點上推出用于汽車應用的設計，從而在2025年實現(xiàn)完全符合汽車行業(yè)標準的N3A工藝。

但該公司并未提及競爭。三家制造小于7 nm芯片的公司之間的競爭將取決于其產品的技術特性，這些特性來源于芯片設計和節(jié)點轉換路線圖。下面的表4顯示了2020年至2025年間臺積電、三星和英特爾的技術路線圖。

三星目前的3nm工藝的良率為60%至70%，略高于臺積電的55%。具體來說：

SF3工藝將采用三星的3nmGAP技術，并依賴于全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管，該技術被公司稱為MBCFETs。

SF4X是三星的第四代4納米工藝，相比三星的第二代4納米工藝SF4，性能提升10%，功耗效率提升23%。SF4X將與臺積電的N4P競爭。

三星計劃在2025年開始量產適用于移動應用的2 nm工藝，然后在2026年擴展到高性能計算領域，并在2027年進入汽車領域。

英特爾的目標是在四年內實現(xiàn)五個工藝節(jié)點。Meteor Lake將基于英特爾的7 nm芯片生產節(jié)點，也被稱為Intel 4。Granite Rapids將在2023年下半年從Intel 4升級到Intel 3工藝。Arrow Lake將在2024年上半年使用Intel 20A工藝。在2024年下半年推出Intel 18A芯片。

Intel 4和3是英特爾首次部署EUV的工藝節(jié)點，代表著在晶體管每瓦特性能和密度方面邁出重要一步。而Intel 20A計劃在2024年上半年投入生產，并且代表了一次重大的技術飛躍。它同時引入了一種新的晶體管架構——RibbonFET（通常稱為全環(huán)柵或納米片晶體管），以及PowerVia背面供電技術。

根據(jù)分析，臺積電未來的強勁增長也依賴于晶圓廠建設。重要的是，如果沒有ASML的EUV技術（極紫外線），晶圓廠能無法實現(xiàn)最小工藝節(jié)點。據(jù)估計，在2015年至2022年期間，臺積電從ASML購買了101套EUV光刻系統(tǒng)，而三星購買了31套，英特爾購買了26套。

表5顯示了臺積電、三星和英特爾計劃中和潛在的晶圓廠建設情況。它們都將從美國的芯片法案或不同國家的芯片激勵計劃中獲益。

從多個指標來看，臺積電在技術領先方面有明顯的優(yōu)勢，并且在工藝節(jié)點遷移方面領先六個月。三星將通過采用先進的邏輯架構，包括3 nm的GAA和MBCFET，逐漸縮小技術差距。如果有足夠的產能可供使用，GAA功耗降低50%，整體性能提升35%，將成為客戶遷移至三星的推動力。但產能差距仍然存在。

然而，三星最近一直在失去客戶，這些客戶轉而選擇了臺積電。例如，英偉達選擇了三星的8 nm工藝節(jié)點用于RTX 30系列，但由于低產量的原因，英偉達最終放棄了三星，轉而選擇了臺積電的4nm工藝節(jié)點用于其高端RTX 40系列。