日前加拿大研究機(jī)構(gòu)TechInsights再度拆解中國(guó)MicroBT挖礦專用ASIC，由三星晶圓代工（Samsung Foudry）以3奈米GAA制程所生產(chǎn)之Whatsminer M565++晶片，但此款晶片僅有邏輯單元，沒(méi)有記憶體單元，也就是三星拿來(lái)練兵的GAA簡(jiǎn)化版產(chǎn)品。

三星號(hào)稱3奈米GAA彎道超車(chē)臺(tái)積電量產(chǎn)，至今已超過(guò)1年，但遲未見(jiàn)大客戶投片，甚至連自家手機(jī)也未採(cǎi)用，現(xiàn)在三星3奈米GAA真實(shí)展現(xiàn)，有三大值得關(guān)注之處。

首先，是三星3奈米GAA距離正規(guī)量產(chǎn)仍是漫漫長(zhǎng)路；二是簡(jiǎn)化版談不上良率；三是只有礦機(jī)客戶，未有大廠買(mǎi)單，千億美元投資黑洞難回收。

據(jù)TechInsights拆解報(bào)告指出，三星與中國(guó)礦機(jī)業(yè)者M(jìn)icroBT合作，Whatsminer M56S++是三星在2022年6月底宣布3奈米GAA制程領(lǐng)先量產(chǎn)后，首次曝光的商業(yè)化產(chǎn)品。

為何三星未在其他晶片採(cǎi)用GAA制程技術(shù)？應(yīng)考慮到GAA是先進(jìn)且複雜的制程，良率也較低，因此選擇先在挖礦晶片導(dǎo)入。由于這此晶片不需要記憶單元，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)過(guò)程，也提高了生產(chǎn)良率。

三星于2022年中表示，首代3奈米GAA制程技術(shù)會(huì)在2022年下半商業(yè)化生產(chǎn)，且獲多家客戶青睞。2023年3月則釋出3奈米GAA制程良率穩(wěn)定，已開(kāi)始研發(fā)第二代制程，將全力實(shí)現(xiàn)2024年量產(chǎn)目標(biāo)。

此外，三星亦以2奈米制程基本架構(gòu)進(jìn)行晶圓測(cè)試，并取得良好成果，同時(shí)晶圓代工事業(yè)部亦成功研發(fā)高密度記憶體整合技術(shù)，為因應(yīng)日后生成式AI需求打好基礎(chǔ)。

隨著MicroBT礦機(jī)ASIC曝光后，終于可揭開(kāi)三星3奈米GAA制程神秘面紗。此晶片于5月Bitcoin2023會(huì)議中正式亮相，也就是三星3奈米GAA量產(chǎn)1年后，所採(cǎi)用的卻是簡(jiǎn)化版制程，顯見(jiàn)大規(guī)模量產(chǎn)之路仍相當(dāng)漫長(zhǎng)。

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者表示， 三星3奈米GAA實(shí)力曝光后，臺(tái)積電可以暫鬆口氣。事實(shí)上，進(jìn)入7奈米以下制程世代后，轉(zhuǎn)單成本與風(fēng)險(xiǎn)高昂，因此難有客戶變心。值得一提的是，先前與三星合作的Google、Tesla，接下來(lái)也轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。

除高通（Qualcomm）雙邊押注，其他有技術(shù)、產(chǎn)品及銀彈能力的晶片廠，都是臺(tái)積電客戶。最后是惡性循環(huán)，三星難以擴(kuò)大先進(jìn)制程量產(chǎn)規(guī)模，千億美元投資黑洞難以回收，持續(xù)燒錢(qián)壓力加劇。

設(shè)備業(yè)者也透露，蘋(píng)果（Apple）不會(huì)回頭下單，三星想要爭(zhēng)搶AI、HPC客戶填補(bǔ)產(chǎn)能、支撐龐大投資，但幾乎所有客戶都在臺(tái)積手上，且合作已至2奈米世代。

設(shè)備業(yè)者語(yǔ)重心長(zhǎng)指出：“暫不論制程技術(shù)與服務(wù)優(yōu)勢(shì)，有錢(qián)下單的晶片廠都倒向臺(tái)積電，先進(jìn)制程勝負(fù)已分。”

臺(tái)積電表示，2奈米技術(shù)採(cǎi)用奈米片電晶體架構(gòu)，在良率與元件效能上皆展現(xiàn)良好的進(jìn)展，將如期于2025年量產(chǎn)。據(jù)了解，表定2025年量產(chǎn)的2奈米，牌價(jià)逼近2.5萬(wàn)美元天價(jià)，仍吸引晶片大廠開(kāi)始洽談投片。