眾所周知，緊隨美國(guó)、日本之后，荷蘭也出臺(tái)了關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備/技術(shù)的禁令。

分析荷蘭的這個(gè)禁令，可以看出來(lái)，與美國(guó)之前的步調(diào)基本一致的，那就是對(duì)14nm及以下工藝的設(shè)備，全部堵住。

不過(guò)在浸潤(rùn)式光刻機(jī)上，還留了一道口子，沒(méi)有全部禁止，其中NXT:1800Di這臺(tái)浸潤(rùn)式光刻機(jī)，不屬于管制范圍，還是可以出口的。

而根據(jù)媒體的說(shuō)法，這臺(tái)NXT:1800Di光刻機(jī)，采用的是193nm波長(zhǎng)，38nm分辨率、1.35NA數(shù)值孔徑，在多次曝光之下，可以實(shí)現(xiàn)最高7nm的工藝，之前臺(tái)積電的第一代7nm工藝，就是基于這臺(tái)光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)的。

于是很多網(wǎng)友表示，這樣看來(lái)，我們還是有希望馬上進(jìn)入到7nm工藝的，沒(méi)有全部堵死，這可能也是荷蘭特意留給我們的一個(gè)機(jī)會(huì)了。

不過(guò)，網(wǎng)友的想法是美好的，但現(xiàn)實(shí)卻是很骨感的，對(duì)于當(dāng)前的中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)而言，要進(jìn)入7nm工藝，并不太現(xiàn)實(shí)，別說(shuō)使用這臺(tái)NXT:1800Di光刻機(jī)了，就算買到EUV光刻機(jī)，都制造不了7nm芯片。

采用NXT:1800Di光刻機(jī)需要多次曝光，目前多次曝光技術(shù)有三種，分別是LELE、LFLE、SADP，但不管哪一種，都對(duì)刻蝕、 沉積等工藝有非常高的技術(shù)要求，同時(shí)成本也要高2-3倍，明顯對(duì)我們并不適用。

更重要的是，芯片制造，并不僅僅看光刻機(jī)的精度，還需要其它設(shè)備、材料都達(dá)到先進(jìn)的工藝。因?yàn)樾酒瑥墓杈A到成品芯片，中間需要幾十種設(shè)備，幾百道工序。

最簡(jiǎn)單的來(lái)講，像擴(kuò)散、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化等這些設(shè)備，全部要達(dá)到7nm工藝才行，還有光刻膠、靶材等，也都要支持7nm工藝。

這些設(shè)備、材料等，我們國(guó)產(chǎn)的大多還是在28nm、14nm甚至40nm，要實(shí)現(xiàn)7nm工藝，絕大部分都需要進(jìn)口，但是目前先進(jìn)工藝的設(shè)備/技術(shù)的進(jìn)口，基本上都是被卡住的。

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備情況

所以，不黑也不吹，靠進(jìn)口的這一臺(tái)NXT:1800Di光刻機(jī)，短時(shí)間之內(nèi)是實(shí)現(xiàn)不了7nm的，甚至就算ASML放開購(gòu)買，就算我們買到了EUV光刻機(jī)，不需要采用多重曝光技術(shù)來(lái)制造7nm芯片，也一樣生產(chǎn)不了7nm的芯片，因?yàn)槠渌O(shè)備、材料同樣的是被卡住的。

說(shuō)實(shí)話，國(guó)產(chǎn)芯片要突破，我們不能將希望寄托在荷蘭放開限制，讓我們買EUV光刻機(jī)身上，而是要放在國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈的突破身上。

只有國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈全面突破，從光刻機(jī)到各種半導(dǎo)體設(shè)備、各種半導(dǎo)體材料，全部實(shí)現(xiàn)了7nm工藝，才是真正的無(wú)后顧之憂，否則都是假象，別人一卡就死，你覺(jué)得呢？