荷蘭芯片禁令中最后的一個“漏洞”:光刻機,能支持7nm工藝
緊隨美國、日本,近日荷蘭終于也發(fā)布了芯片禁令,并表示將于2023年9月1日正式生效。
如之前預(yù)計的一樣,荷蘭的芯片禁令,主要針對的對象為先進確實為先進的芯片制造技術(shù),包括先進的沉積設(shè)備和浸潤式光刻系統(tǒng)等。
從具體的條款來看,任何與EUV有關(guān)的設(shè)備全部卡死。甚至是在禁令發(fā)布之前已經(jīng)銷售出去光刻機,目前已經(jīng)在正常運行的,但只要是禁令中不允許的,后續(xù)的維修、保養(yǎng)等,都需要許可證。
荷蘭官方表示,這個禁令可以解決當前政策下“最重要的漏洞”,同時也將盡可能不擾亂全球芯片生產(chǎn)。
不過,在這個禁令之中,其實還是有一個“漏洞”的,那就是荷蘭規(guī)定可以銷售的光刻機中,還是有一臺,能夠支持到7nm工藝,這個堪稱最后的“漏洞”了,因為其它所有與7nm相關(guān)的一切技術(shù)、設(shè)備都卡住了。
按照荷蘭的規(guī)則,光刻機中,具有以下任一項或兩項標準的,就不能夠出口,需要許可證書,這兩個標準是
1、光源的波長短于193nm,小于193nm波長的光刻機,目前只有EUV光刻機,所以EUV是禁止的。
2、光源的波長等于或大于193nm時,如果能夠產(chǎn)生具有45nm或更小的可分辨特征尺寸(MRF)的圖案,同時小于或等于1.50nm的最大專用卡盤覆蓋(DCO)值。
這里大家注意的是條件是并列的,采用193nm波長光源,分辨率要小于45nm,同時DCO值小于1.5nm。
按照ASML的光刻機參數(shù),目前在售的三種浸潤式光刻機中TWINSCAN NXT:2050Di、TWINSCAN NXT:2000i是滿足以上三個條件的,不能出口。
但NXT1980Di的分辨率為38納米左右,是小于45nm的,但是其DCO值是1.6nm,大于1.5nm了,所以NXT1980系列依然可以不受出口限制影響。
所以NXT1980Di是目前國內(nèi)能夠買到最先進的光刻機,其它的比NXT1980Di先進的都不能購買。
那么NXT1980Di能生產(chǎn)多少nm的芯片?NXT:1980Di采用的是193nm的光源,但經(jīng)過一層水后,等效為134nm波長的光源,其分辨率(MRF)在38nm左右,每小時的生產(chǎn)晶圓數(shù)量為275wph,數(shù)值孔徑為1.35NA。
在實際應(yīng)用中,可以用于生產(chǎn)7nm芯片,按照媒體的報道稱,臺積電的第一代7nm工藝就是基于 NXT:1980Di 實現(xiàn)的,后來才升級為EUV 7nm工藝。
所以這是唯一的漏洞了,因為這臺光刻機最高可支持7nm,但大多數(shù)情況下也生產(chǎn)28nm、14nm芯片,所以沒被全面卡死。
