眾所周知，今年以來，中美科技戰(zhàn)爭依然在針峰相對，并且中國開始進行反擊，美光事件就是最好的例子。

而美國針對中國半導體，也有著明確的目標：

(1)采用16nm或14nm及以下非平面FinFET或GAAFET晶體管結構的邏輯芯片；

(2)半間距小于等于18nm的DRAM存儲芯片；

(3) 128層及以上的NAND閃存芯片。

不過，很多網(wǎng)友表示，目前中國存儲芯片，其實是不怕美國的禁令的，因為長江存儲已經(jīng)生產(chǎn)出了232層的3DNAND閃存，這個限制128層以上閃存芯片，不是來搞笑的么。

但其實還真不是的，因為這些禁令，長江存儲和長鑫存儲在開發(fā)新產(chǎn)品或擴展新的HVM晶圓廠方面面臨挑戰(zhàn)。

目前長江存儲有232L Xtacking3.0 TLC芯片，比特密度為15.0 Gb/mm2，這也是迄今為止最高的比特密度。

但是，目前232層閃存，產(chǎn)能并不大，如果想搶占更多的市場份額，還需要擴產(chǎn)，而擴產(chǎn)的話，設備就會被卡，所以擴產(chǎn)比較困難，市場份額就難以提升。

其次，長江存儲還要繼續(xù)開發(fā)n+1和n+2代(>300L)新產(chǎn)品，這些也需要先進的設備，一旦受限，研發(fā)會受影響。

再看長鑫存儲，生產(chǎn)DRAM閃存，目前推出的是20nm級(D/R=23.8nm) DDR4和LPDDR4X產(chǎn)品，以及D1x(采用19nm D/R)樣品產(chǎn)品。

接下來，長鑫存儲會開發(fā)DDR5和LPDDR5/5X產(chǎn)品，采用的是或會是17nm工藝，屬于n+1 (D1y)和n+2 (D1z)代，但生產(chǎn)17nm工藝的設備是受限的，而一旦先進設備受限，這些工藝都會受到影響。

畢竟不管是先進的NAND閃存，還是DRAM內(nèi)存，其產(chǎn)品微縮和提升的必要條件，還是需要先進的設備、軟件、工具等等，如果美國的制裁持續(xù)，而國內(nèi)設備供應鏈沒有突破的話，這兩家公司可能將停止進一步的研發(fā)活動。

所以，我們不應該盲目自大，認為我們已經(jīng)研發(fā)出了232層的3D NAND閃存，就代表已經(jīng)突破美國的封鎖，就不用擔心所謂的設備被卡脖子了，形勢還是很嚴峻的。

真正不怕卡脖子，還是需要國產(chǎn)供應鏈一起努力，進行突破才行，那才是真正的沒有后顧之憂。